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公开(公告)号：CN119724277A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311840153.2
申请日：2023-12-28
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
Abstract: 本公开提供一种存储器元件及其保护方法。该存储器元件包括一控制器，被配置以响应于一更新信号，在一第一更新周期期间更新该些字元线中的至少一者；一数字调整器，被配置以根据由一随机数字产生器产生的一第一数字来产生一经修改的第一数字，其中该经修改的第一数字小于一第一预定数字。该存储器元件更包括一计数器，被配置以接收该经修改的第一数字作为一初始值，并响应于该更新信号而开启。该控制器被配置以在该计数器计数到零时，获得被存取的一第一字元线的一地址，并在一第二更新周期期间更新一第二字元线，其中该第二字元线的一地址与该第一字元线的该地址相邻。
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公开(公告)号：CN119028932A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410291802.6
申请日：2023-09-21
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
IPC: H01L23/482 , H01L23/49 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，包括一基底、一半导体元件以及多个键合线。该基底具有一第一表面以及在该基底上面延伸的一导电线。该半导体元件设置于该基底的该第一表面上，并包括一半导体裸片以及一重分布层。该重分布层形成于该半导体裸片上，并包括多个中心焊垫、多个边缘焊垫，以及将该多个中心焊垫与该多个边缘焊垫电连接的多个导电线。该多个键合线在该基底与该多个边缘焊垫之间电连接。该多个导电线中的每一个包括至少两个转折点，并且在每个转折点的一内角大于一预定的角度。
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公开(公告)号：CN118353450A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202311542133.7
申请日：2023-03-28
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
Abstract: 一种相位侦测器，包括第一/第二输出端子、第一/第二p型晶体管及第一/第二均衡器元件。第二输出端子的输出信号与第一输出端子的输出信号互补。第一p型晶体管具有栅极、源极及栅极，栅极电性连接到第二输出端子，源极电性连接到供应电压，漏极电性连接到第一输出端子。第二p型晶体管具有栅极、源极及漏极，栅极电性连接到第一输出端子，源极电性连接到供应电压，漏极电性连接到第二输出端子。第一均衡器元件连接在第一输出端子与第二输入端子之间。第二均衡器元件连接在第一p型晶体管的栅极与第二p型晶体管的栅极之间。
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公开(公告)号：CN118231355A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410193402.1
申请日：2023-06-27
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
IPC: H01L23/13 , H01L23/498 , H01L21/52 , H01L21/60
Abstract: 本公开提供一种封装结构及其制备方法。该封装结构包括一第一基板、一第一电子组件、一第二电子组件、一第二基板和多个外部连接器。该第一电子组件电性连接至该第一基板。该第二电子组件电性连接至该第一基板。该第一基板设置于该第一电子组件和该第二电子组件之间。该第二基板与该第一基板隔开且电性连接。该第二电子组件的至少一部分内埋于该第二基板中。该些外部连接器，贴附并电性连接至该第二基板以用于外部连接，其中该些外部连接器的至少一者与该第二电子组件重叠。
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公开(公告)号：CN118136616A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202310179651.0
申请日：2023-02-28
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
Abstract: 半导体封装构造包括第一基板、第一半导体晶片、第一接合线、第二基板、第二半导体晶片以及第二接合线。第一基板具有穿透第一基板的中间部的视窗。第一半导体晶片位于第一基板上。第一接合线位于第一基板的视窗中，电性连接第一半导体晶片与第一基板。第二基板位于第一半导体晶片上，具有穿透第二基板的中间部的视窗，其中第二基板电性连接第一基板。第二半导体晶片位于第二基板上。第二接合线位于第二基板的视窗中，电性连接第二半导体晶片与第二基板。半导体封装构造并不需要将焊接垫换边及将接合线交叉，从而避免了接合线短路的可能性。再者，半导体封装构造的制造方法，可以有效地减少工艺的周期与成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118116906A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202310720273.2
申请日：2023-06-16
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
IPC: H01L23/538 , H01L21/60 , H01L21/50
Abstract: 本公开提供一种封装结构及其制备方法。该封装结构包括一第一基板、一第一电子组件、一第二基板、和一第二电子组件。该第一电子组件设置于该第一基板的一第一穿孔之上。该第一电子组件通过该第一图案化电路层延伸超出该第一穿孔的一侧壁的一延伸部分电性连接至该第一基板的一第一图案化电路层。该第二电子组件通过该第二图案化电路层延伸超出该第二穿孔的一侧壁的一内部延伸部分电性连接至该第二基板的一第二图案化电路层。
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公开(公告)号：CN117936505A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410081114.7
申请日：2023-06-26
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
IPC: H01L23/498 , H01L21/60 , H01L21/50
Abstract: 本公开提供一种封装结构及其制备方法。该封装结构包括基板、电子组件和封装体。该基板包括图案化电路层并定义穿孔。该图案化电路层的延伸部分沿着该穿孔的一侧壁延伸。该电子组件具有位于该基板的该穿孔之上的一主动表面。该电子组件的主动表面通过该穿孔中的该图案化电路层的延伸部分电性连接至该基板的图案化电路层。该封装体设置于该基板的穿孔中且包封该图案化电路层的延伸部分。该封装体接触该电子组件的主动表面。该基板具有第一表面和相对该第一表面的第二表面，该电子组件贴附至该基板的第一表面。该电子组件包括至少一凸块，其邻近于该电子组件的主动表面设置，且该图案化电路层的延伸部分连接至该电子组件的至少一凸块。
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公开(公告)号：CN117526928A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202211356137.1
申请日：2022-11-01
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
IPC: H03L7/08 , G11C11/4076 , G11C7/22
Abstract: 本发明提供一种延迟锁定回路电路，包含接收器、延迟线电路、时钟信号产生器以及相位检测电路。接收器接收时钟信号及参考电压且根据时钟信号及参考电压产生参考时钟信号。延迟线电路耦接到接收器且通过用延迟指示信号延迟参考时钟信号来产生延迟时钟信号。时钟信号产生器根据延迟时钟信号产生输出时钟信号。相位检测电路通过用由输出时钟信号产生的反馈时钟信号对参考时钟信号进行采样产生检测结果，且根据检测结果的数值产生延迟指示信号。
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公开(公告)号：CN112786551B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201911281915.3
申请日：2019-12-13
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/52 , H01L23/538
Abstract: 本发明提供一种重布线层结构，包括第一接垫、第二接垫、第三接垫、第四接垫、第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件与第四开关元件。第一接垫、第二接垫、第三接垫与第四接垫彼此分离。第一开关元件包括彼此分离的第一导体层与第二导体层。第二开关元件包括彼此分离的第三导体层与第四导体层。第三开关元件包括彼此分离的第五导体层与第六导体层。第四开关元件包括彼此分离的第七导体层与第八导体层。上述重布线层结构可有效地降低生产成本。
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公开(公告)号：CN117374043A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310277518.9
申请日：2023-03-21
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
IPC: H01L23/525 , H10B12/00 , G11C17/16
Abstract: 本公开提供一种半导体元件结构。该半导体元件结构包括一第一栅极结构，沿着一第一方向延伸且电性连接到一第一晶体管；一第二栅极结构，沿着该第一方向延伸且电性连接到一第二晶体管；一第一主动区，沿着不同于该第一方向的一第二方向延伸并穿过该第一栅极结构与该第二栅极结构；以及一第一导电元件，沿着该第二方向延伸并设置在该第一主动区上。该第一导电元件电性连接到该第一主动区。该第一导电元件电性连接到该第一主动区，以便形成该第一主动区与该第三晶体管之间的一短路。该第一栅极结构以及该第一主动区形成一第一熔丝元件，且该第二栅极结构与该第一主动区形成一第二熔丝元件。
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