公开(公告)号：CN120020955A

公开(公告)日：2025-05-20

申请号：CN202410835803.2

申请日：2024-02-20

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 杨吴德

IPC: G11C11/4078 ,  G11C7/24 ,  G06F7/58 ,  G06F11/10 ,  G11C29/42

Abstract: 本公开提供一种存储器元件的保护方法，其中该存储器元件包括多条字元线。该保护方法包含响应于一更新信号在一第一更新周期期间更新该多条字元线中的一第一字元线和一第一受保护字元线，其中该第一受保护字元线邻近该第一存取字元线；借由一随机数产生器基于该第一字元线的一地址和该第一存取字元线的一地址来产生一第一数；响应于该更新信号，借由一计数器而开始从该第一数开始倒数；当该计数器计数为零时，借由该控制器而取得正在存取的一第二存取字元线的一地址；在一第二更新周期期间保护一第二受保护字元线，其中该第二受保护字元线邻近该第二存取字元线。

公开(公告)号：CN119889380A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202410100985.9

申请日：2024-01-24

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 杨吴德

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/12 ,  G11C5/02

Abstract: 本公开提供一种存储器元件，包括一存储器单元阵列、一控制单元以及一接口电路。该接口电路包括一接收器电路，该接收器电路经配置以放大从一存储器控制器接收的一第一数据选通信号和一第二数据选通信号以产生一第三数据选通信号和一第四数据选通信号。响应于满足一预定条件的该第一数据选通信号的一第一逻辑状态和该第二数据选通信号的一第二逻辑状态，该接收器电路调整该第三数据选通信号的一第三逻辑状态及/或该第四数据选通信号的一第四逻辑状态。该控制电路根据该写入指令、该第三数据选通信号以及该第四数据选通信号来对该存储器单元阵列执行一写入操作。

公开(公告)号：CN114333974B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202110941856.9

申请日：2021-08-17

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 杨吴德

IPC: G11C29/56

Abstract: 本公开提供一种电子元件的功能测试设备以及该电子元件的测试方法。该功能测试设备具有一第一电源供应器、一第二电源供应器以及一继电器系统。该第一电源供应器经配置以产生一第一供应电压。该第二电源供应器经配置以产生一第二供应电压，该第二供应电压不同于该第一供应电压。该继电器系统经配置以电性耦接该第一电源供应器或该第二电源供应器到该电子元件，其中该第一供应电压施加到该电子元件一第一持续时间，以及该第二供应电压施加到该电子元件一第二持续时间，该第二持续时间小于该第一持续时间。

公开(公告)号：CN118738027A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202311062541.2

申请日：2023-08-23

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 杨吴德

IPC: H01L23/544 ,  H01L27/02 ,  H01L21/78 ,  H01L21/304

Abstract: 本公开提供一种切割线结构及其半导体元件。该切割线结构包括一晶粒区、一切割线区、一或多个凸块垫、一或多个电路探测垫以及一或多条金属线。该晶粒区设置在一半导体晶圆上。该切割线区围绕该晶粒区。该一或多个凸块垫设置在该晶粒区的一边缘区的一第一上表面上。该一或多个电路探测垫设置在该切割线区的一第二上表面上。该一或多条金属线设置在该晶粒区的该第一上表面上与在该切割线区的该第二上表面上，且经配置以将该一或多个凸块垫电性连接到该一或多个电路探测垫。

公开(公告)号：CN113707631B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202011251997.X

申请日：2020-11-11

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 杨吴德

IPC: H01L23/488

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，包括基板以及芯片。芯片设置于基板上，且芯片包括主动表面及至少一个金属垫。金属垫设置于主动表面上，金属垫包括第一垫部及第二垫部，第一垫部及第二垫部相互分离以形成开路，其中第一垫部包括凸起结构，第二垫部包括凹入结构，第一垫部的凸起结构朝向第二垫部的凹入结构延伸，凸起结构与凹入结构提供导电物质的附载平台并增加所填入导电物质与金属垫之间的接触面积。

公开(公告)号：CN118116908A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410081709.2

申请日：2023-06-16

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 杨吴德

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开提供一种封装结构。该封装结构包括一第一基板和一第一电子组件。该第一电子组件设置于该第一基板的一第一穿孔之上。该第一电子组件通过该第一图案化电路层延伸超出该第一穿孔的一侧壁的一延伸部分电性连接至该第一基板的一第一图案化电路层。

公开(公告)号：CN117727743A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311744287.4

申请日：2023-05-16

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 杨吴德

IPC: H01L23/64 ,  H01L25/16 ,  H01L21/50

Abstract: 本申请提供一种半导体元件及其制备方法。半导体元件包括基底、去耦电容器结构以及电子元件。去耦电容器结构设置于基底上。电子元件设置于去耦电容器结构上，并电性地连接到去耦电容器结构。电子元件堆叠于去耦电容器结构上。去耦电容器结构包括第一导电层、介电膜以及第二导电层。第一导电层设置于基底上。介电膜设置于第一导电层上。第二导电层设置于介电膜上。第一导电层电性地连接到地，以及第二导电层的表面面积小于第一导电层的表面面积。

公开(公告)号：CN117423670A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202310311508.2

申请日：2023-03-28

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 杨吴德

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请提供一种键合垫结构及其制备方法。该键合垫结构包括一载体，设置于该载体上的一第一导电层，设置于该第一导电层上并与该第一导电层接触的一第二导电层，以及设置于该第二导电层上并与该第二导电层接触的一第三导电层。该键合垫结构还包括设置于该第一导电层上并与该第一导电层或该第二导电层中至少一个接触的一第一钝化层。该第三导电层背向该载体的一上表面从该第一钝化层曝露出来。

公开(公告)号：CN116417050A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202210128707.5

申请日：2022-02-11

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 杨吴德

IPC: G11C17/16

Abstract: 本发明提供一种反熔丝装置，包括反熔丝单元以及感测电路。反熔丝单元包括串接于反熔丝单元的第一端与反熔丝单元的第二端之间的第一反熔丝与第二反熔丝。感测电路耦接至反熔丝单元的第一端与第二端，用以感测反熔丝单元的刻录态。

公开(公告)号：CN112670259B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN201911170992.1

申请日：2019-11-26

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 杨吴德 ,  尤俊煌

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/49

Abstract: 本发明公开了一种晶圆封装元件，包括基板、第一晶圆、第一导电层、第一接线以及第二接线。基板包括第一上表面以及配置于第一上表面的第一接垫。第一晶圆配置在第一上表面，且第一晶圆包括第二上表面以及配置在第二上表面的第二接垫。第一导电层配置在第二上表面。第一接线连接第一接垫以及第一导电层的一侧，第二接线连接第二接垫以及第一导电层的另一侧。每个第一接线和每个第二接线连接各自第一导电层的相反侧。第一导电层使晶圆封装元件具有较佳的电性连接。