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公开(公告)号：CN115185134B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202210836491.8
申请日：2022-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/163
Abstract: 一种恢复电致变色器件性能的方法，它涉及电致变色器件领域，具体涉及一种恢复电致变色器件性能的方法。本发明的目的是要解决现有恢复电致变色薄膜性能衰减的方法不适用于电致变色器件，电致变色器件性能衰减后限制了其商业应用的问题。一种恢复电致变色器件性能的方法为采用热处理使性能衰减的电致变色器件恢复初始性能。具体方法：将性能衰减的电致变色器件在40℃～800℃下热处理，使性能衰减的电致变色器件恢复初始性能。本发明提出了一种简便、新颖的方法，通过加热对衰减的电致变色器件进行再生，可以显著延长器件的使用寿命，具有重要价值；使用本发明的一种恢复电致变色器件性能的方法，可以恢复到初始性能的95％～100％。
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公开(公告)号：CN118475226A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410595261.6
申请日：2024-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种双模式耦合智能光谱调控器件及其制备方法，它属于多光谱智能调控器件领域。本发明要解决红外辐射热调控多功能器件存在器件结构工艺复杂，成本高，难以大批量生产，且在电磁波段内发射率固定，不能适应不同环境温度协同变化的问题。双模式耦合智能光谱调控器件，它自下而上依次为基底、Al层、HfO2层和VO2相变层；制备方法：一、Al薄膜的制备；二、HfO2薄膜的制备；三、VO2薄膜的制备。本发明用于双模式耦合智能光谱调控器件及其制备。
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公开(公告)号：CN115287597B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202210925974.5
申请日：2022-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 北京航天长征飞行器研究所
IPC: C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/20 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/26 , C23C14/30
Abstract: 一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法，它涉及一种薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有红外调控技术方面存在红外发射率调节幅度不高，改变物质显示出的温度特定不明显和成本高的问题。方法：一、基底的表面处理；二、膜层沉积前处理；三、高反射层材料的选择；四、介质层材料的选择；五、红外辐射层材料的选择；六、保护层材料的选择；七、沉积膜层，得到红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜。本发明制备的一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜能够在低温下使用，薄膜红外波段发射率选择性能力基本与初始状态相同，该技术是一种低成本、安全、简单的薄膜制备技术。
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公开(公告)号：CN114592225B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210356742.2
申请日：2022-04-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种通过掺杂稀土离子提高聚苯胺薄膜红外发射率调控能力的方法，它涉及一种提高聚苯胺薄膜红外发射率调控能力的方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的聚苯胺薄膜的红外发射率调节范围低，限制其作为热控材料应用的问题。方法：一、镀金；二、配制共混聚合物溶液；三、酸化预处理；四、电化学沉积制备新型PANI/Ce4+薄膜。采用本发明的方法沉积得到的新型PANI/Ce4+薄膜，与纯的聚苯胺薄膜相比，红外调节幅度极大幅度的提高，新型PANI/Ce4+薄膜的可调红外发射率范围在2.5～25μm可达0.49，且具有更强的循环稳定性。本发明可获得一种具有垂直生长结构的高红外辐射调控能力的新型PANI/Ce4+薄膜。
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公开(公告)号：CN115933266A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211579488.9
申请日：2022-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/1523 , G02F1/1524
Abstract: 一种可独立调控可见光和近红外光透过率的全薄膜电致变色器件及其制备方法，它涉及一种全薄膜电致变色器件及其制备方法。本发明的目的是要解决现有技术中全薄膜电致变色器件难以独立调控可见光和近红外光透过率，调控能力较弱且循环稳定性较差和只有两种调控模式的问题。一种可独立调控可见光和近红外光透过率的全薄膜电致变色器件，包括透明底电极、离子储存层、离子传导层、可独立调控可见光和近红外光透过率的电致变色层和透明顶电极，其中电解质是水或空气中的水蒸气，通过特殊的方法引入到器件内部；所述的可独立调控可见光和近红外光透过率的电致变色层是具有丰富氧缺陷的非晶单组分电致变色材料，其具有三种工作模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115852591A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211565562.1
申请日：2022-12-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D04H1/728 , D04H1/4358 , D04H1/4382 , D01D5/00
Abstract: 一种机械调节反射率的全天候热管理薄膜的制备方法，它涉及辐射制冷技术领域，具体涉及一种机械调节反射率的全天候热管理薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有基于辐射制冷的热管理材料在制冷模式下的反射率不高，热管理的实现多为复杂体系和不能主动地对其热管理能力进行原位连续调节的问题。方法：一、制备TPU溶液；二、控制TPU溶液的体积、静电纺丝的推注速度、接收距离与施加的电压，得到械调节反射率的全天候热管理薄膜。本发明一种机械调节反射率的全天候热管理薄膜可以通过施加不同程度的机械外力来实现连续的原位控制，是基于宽范围的反射率调制能力实现的制冷‑制热可连续切换的热管理能力。
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公开(公告)号：CN115200410A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210863511.0
申请日：2022-07-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种红外辐射动态可重构器件及其制备方法，它属于红外辐射动态调控领域。本发明要解决红外辐射调控器件的红外特征无法随环境变化而变化的问题。红外辐射动态可重构器件，它自下而上依次由基底层和掺杂VO2层组成。制备方法：一、模板制备；二、掺杂VO2层图案制备。本发明用于红外辐射动态可重构器件及其制备。
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公开(公告)号：CN114592225A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210356742.2
申请日：2022-04-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种通过掺杂稀土离子提高聚苯胺薄膜红外发射率调控能力的方法，它涉及一种提高聚苯胺薄膜红外发射率调控能力的方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的聚苯胺薄膜的红外发射率调节范围低，限制其作为热控材料应用的问题。方法：一、镀金；二、配制共混聚合物溶液；三、酸化预处理；四、电化学沉积制备新型PANI/Ce4+薄膜。采用本发明的方法沉积得到的新型PANI/Ce4+薄膜，与纯的聚苯胺薄膜相比，红外调节幅度极大幅度的提高，新型PANI/Ce4+薄膜的可调红外发射率范围在2.5～25μm可达0.49，且具有更强的循环稳定性。本发明可获得一种具有垂直生长结构的高红外辐射调控能力的新型PANI/Ce4+薄膜。
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公开(公告)号：CN110255620B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201910386725.1
申请日：2019-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二维钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法，它涉及一种钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法。本发明的目的是要解决现有方法难以制备二维钨基纳米片液晶的问题。二维钨基纳米片液晶的制备方法：一、制备质子交换反应后的层状材料；二、制备插层反应后的层状材料；三、机械剥离，得到二维钨基纳米片液晶。利用旋涂仪将二维钨基纳米片液晶旋涂到氧化铟锡导电玻璃上，再置于干燥箱中干燥，得到钨基纳米片电致变色薄膜材料。本发明可获得一种二维钨基纳米片液晶及钨基纳米片电致变色薄膜材料。
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公开(公告)号：CN111139432B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202010021933.4
申请日：2020-01-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种仿蛾眼结构二氧化钒智能窗薄膜，它属于智能窗领域。本发明要解决现有VO2薄膜低温可见透过比较低，热调控能力不足以满足使用需求，且相变温度较高，严重制约其在智能窗领域应用的问题。仿蛾眼结构二氧化钒智能窗薄膜自下而上依次由基底层和VO2层组成。制备方法：一、高能脉冲磁控溅射W掺杂的VO2薄膜制备；二、离子束刻蚀。本发明用于仿蛾眼结构VO2智能窗薄膜及其制备。
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