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公开(公告)号：CN112241031B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011103988.6
申请日：2020-10-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种红外增透的二氧化铪介质薄膜及其制备方法，它属于红外增透领域。本发明要解决现有Si基底透过率较低，而HfO2薄膜存在增透极限的问题。红外增透的二氧化铪介质薄膜由Si基底及一侧设置的HfO2微纳结构层组成，或红外增透的二氧化铪介质薄膜由Si基底及两侧设置的HfO2微纳结构层组成。制备方法：一、清洗基片；二、HfO2薄膜制备；三、微纳结构加工。本发明用于红外增透的二氧化铪介质薄膜及其制备。
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公开(公告)号：CN111453999B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010225122.6
申请日：2020-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种智能辐射器的制备方法，它属于智能热控领域。本发明要解决现有VO2薄膜热调控能力不足的问题。一种智能辐射器自下而上依次由高反射金属基底层、红外高吸收中间介质层和VO2复合层组成。制备方法：一、VO2颗粒掺杂的红外透明基体材料溶胶的制备；二、VO2复合层的制备；三、金属层沉积。本发明用于一种智能辐射器及其制备。
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公开(公告)号：CN113322442A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110620478.4
申请日：2021-06-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种抗原子氧性能优异的γ‑三氧化二铝薄膜的制备方法，它涉及三氧化二铝薄膜的制备方法。本发明要解决现有方法制备的γ‑Al2O3薄膜存在的致密性差，抗氧化性能不高，薄膜制备温度过高的问题。制备方法：一、将基体置于高能脉冲磁控溅射系统中，抽真空；二、Al靶进行预溅射；三、通入氩气及氧气，沉积。本发明用于抗原子氧性能优异的γ‑三氧化二铝薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN111453999A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010225122.6
申请日：2020-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种智能辐射器及其制备方法，它属于智能热控领域。本发明要解决现有VO2薄膜热调控能力不足的问题。一种智能辐射器自下而上依次由高反射金属基底层、红外高吸收中间介质层和VO2复合层组成。制备方法：一、VO2颗粒掺杂的红外透明基体材料溶胶的制备；二、VO2复合层的制备；三、金属层沉积。本发明用于一种智能辐射器及其制备。
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公开(公告)号：CN111005001A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911405661.1
申请日：2019-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种仿天牛多级结构的二氧化钒智能热控器件及其制备方法，它属于智能热控涂层技术领域。本发明要解决现有基于VO2的智能热控器件发射率变化小，太阳吸收比高的问题。仿天牛多级结构的二氧化钒智能热控器件自下而上依次由半导体基底层、红外高反射金属层、HfO2介质层、VO2层和保护层组成。制备方法：一、红外高反射金属层的制备；二、介质薄膜制备；三、VO2薄膜制备；四、微结构加工；五、保护层沉积。本发明用于仿天牛多级结构的二氧化钒智能热控器件及其制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115200410A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210863511.0
申请日：2022-07-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种红外辐射动态可重构器件及其制备方法，它属于红外辐射动态调控领域。本发明要解决红外辐射调控器件的红外特征无法随环境变化而变化的问题。红外辐射动态可重构器件，它自下而上依次由基底层和掺杂VO2层组成。制备方法：一、模板制备；二、掺杂VO2层图案制备。本发明用于红外辐射动态可重构器件及其制备。
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公开(公告)号：CN111139432B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202010021933.4
申请日：2020-01-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种仿蛾眼结构二氧化钒智能窗薄膜，它属于智能窗领域。本发明要解决现有VO2薄膜低温可见透过比较低，热调控能力不足以满足使用需求，且相变温度较高，严重制约其在智能窗领域应用的问题。仿蛾眼结构二氧化钒智能窗薄膜自下而上依次由基底层和VO2层组成。制备方法：一、高能脉冲磁控溅射W掺杂的VO2薄膜制备；二、离子束刻蚀。本发明用于仿蛾眼结构VO2智能窗薄膜及其制备。
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公开(公告)号：CN117498037A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311472187.0
申请日：2023-11-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01Q15/00 , H01Q17/00 , G02F1/00 , G02F1/01 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/06 , C23C14/14
Abstract: 一种可见‑微波多谱段电磁波动态调控器件及其制备方法，它涉及电磁波动态调控器件及其制备方法。本发明要解决现有VO2电磁波动态调控器件无法实现对宽波段、多频谱电磁波的动态调控问题。器件自下而上依次由基底、第一VO2层、第一中间介质层、选择反射层、第二VO2层、第二中间介质层和第三VO2层。制备方法：在基底上依次沉积第一VO2层、第一中间介质层、选择反射层、第二VO2层、第二中间介质层和第三VO2层。本发明用于可见‑微波多谱段电磁波动态调控器件及其制。
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公开(公告)号：CN112241031A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011103988.6
申请日：2020-10-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种红外增透的二氧化铪介质薄膜及其制备方法，它属于红外增透领域。本发明要解决现有Si基底透过率较低，而HfO2薄膜存在增透极限的问题。红外增透的二氧化铪介质薄膜由Si基底及一侧设置的HfO2微纳结构层组成，或红外增透的二氧化铪介质薄膜由Si基底及两侧设置的HfO2微纳结构层组成。制备方法：一、清洗基片；二、HfO2薄膜制备；三、微纳结构加工。本发明用于红外增透的二氧化铪介质薄膜及其制备。
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公开(公告)号：CN111077603A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911405665.X
申请日：2019-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种红外发射率可调柔性薄膜及其制备方法，它属于智能热控领域。本发明要现有方法提高基于VO2的智能热控器件发射率变化值，需要高精度的真空镀膜系统和微纳结构加工系统，成本高，制备效率低，面积大小受限，且制备温度较高，难以在柔性基底上沉积柔性薄膜，不能满足异形结构应用的问题。一种红外发射率可调柔性薄膜自下而上依次由高反射金属基底层、VO2复合层和表面保护层组成。制备方法：一、微米级W掺杂VO2颗粒的制备；二、VO2复合层膜的制备；三、高反射金属基底层沉积；四、表面保护层沉积。本发明用于红外发射率可调柔性薄膜及其制备。
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