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公开(公告)号：CN115548159A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110738985.8
申请日：2021-06-30
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/042
Abstract: 本发明实施例提供一种太阳能电池片及其形成方法，太阳能电池片的形成方法包括：提供基底；对所述基底进行硼扩散处理，在所述基底表面形成依次堆叠的硼掺杂层和硼硅玻璃层，所述硼硅玻璃层内具有间隙氧原子；所述硼扩散处理包括沉积阶段和推进阶段，在所述沉积阶段向所述基底提供硼源和氧源；所述沉积阶段的反应腔室的温度大于所述推进阶段的反应腔室的温度；在所述硼扩散处理之后，进行钝化阶段，向所述硼硅玻璃层提供钝化源，所述钝化源和所述间隙氧原子反应形成含氧化合物。本发明实施例有利于提高太阳能电池片的性能。
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公开(公告)号：CN115274885A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211043561.0
申请日：2022-08-29
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/18 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , H01L31/05
Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，包括底电池，底电池包括相对的正面和背面；位于底电池正面的复合层和钙钛矿顶电池，钙钛矿顶电池包括层叠设置在复合层表面的空穴传输层、钙钛矿层，电子传输层和导电复合层，导电复合层包括至少一组层叠设置的第一导电层和第二导电层，第二导电层位于第一导电层与电子传输层之间，第一导电层包括第一透明导电膜层，第二导电层包括对应于金属化区域的金属导电膜层及对应非金属化区域的第二透明导电膜层；位于底电池背面的背面电极。本申请导电复合层中金属导电膜层的存在，能够提高导电复合层的导电性能，使得太阳能电池不需要设置正面电极，即可获得较高的导电性能，从而提高电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN115274868A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110476394.8
申请日：2021-04-29
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/05 , H01L31/048
Abstract: 本发明实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底；在所述基底第一表面依次设置的发射极、第一钝化膜、减反膜以及第一电极；在所述基底第二表面依次设置的隧穿层、阻滞层、场钝化层、第二钝化膜以及第二电极，所述阻滞层用于阻滞所述场钝化层中的掺杂离子向所述基底迁移，所述阻滞层包括与所述第二电极投影重合的第一阻滞层和投影错位的第二阻滞层，至少所述第二阻滞层为本征半导体，所述第一阻滞层的材料的平均颗粒尺寸大于所述第二阻滞层的材料的平均颗粒尺寸。本发明实施例有利于降低太阳能电池的复合损失以及提高太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN115249750A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110454156.7
申请日：2021-04-26
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例提供一种光伏电池及其制作方法、光伏组件，光伏电池包括：基底以及位于所述基底第一表面的发射极和第一钝化结构，所述发射极位于所述基底与所述第一钝化结构之间；第一电极，所述第一电极贯穿所述第一钝化结构并与所述发射极接触；第一共熔体，位于所述第一电极与所述发射极之间，所述第一共熔体包含所述第一电极的材料和所述发射极的材料，部分所述第一电极贯穿所述第一共熔体并与所述发射极接触。本发明实施例有利于提高光伏组件的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115241299A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210891476.3
申请日：2022-07-27
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/048
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池以及光伏组件，太阳能电池包括：基底；第一掺杂层；第二掺杂层；电介质层；第一电极；第二电极；第一掺杂层包括具有第一掺杂浓度的第一掺杂区域以及第二掺杂浓度的第二掺杂区域，其中，第一掺杂区域与第一电极形成电接触，第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度，在基底前表面一侧形成有若干凸起结构，第一掺杂区域位于若干凸起结构表面内部，至少部分凸起结构的侧壁上形成有阻隔层，阻隔层包括与基底不同晶体结构的含硅材料。与现有技术相比，本发明通过于基底前表面的形成阻隔层，从而抑制金属化尤其是银铝浆体系对于发射级的影响程度进而降低金属复合损失实现电池开压和填充因子的升高，最终提升电池的转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115172478A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210899930.X
申请日：2022-07-28
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/048 , H01L31/06
Abstract: 本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件，包括基底、依次设置在基底背表面的隧穿层、掺杂导电层、钝化膜以及穿透钝化膜与掺杂导电层形成接触的电极；掺杂导电层包括交替排列的p型掺杂层和n型掺杂层；p型掺杂层包括第一掺杂层，且第一掺杂层远离基底的一侧与钝化膜接触；n型掺杂层包括第二掺杂层，且第二掺杂层远离基底的一侧与钝化膜接触；电极包括穿透钝化膜与第一掺杂层形成接触的第一电极，以及穿透钝化膜与第二掺杂层形成接触的第二电极。本申请实施例提供的太阳能电池，能够提升太阳能电池的钝化效果，提高电池转换效率。
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公开(公告)号：CN115148828A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210377277.0
申请日：2022-04-11
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面以及背面，背面包括绒面区以及与绒面区相邻接的平坦区，绒面区的基底内具有掺杂表面场，且掺杂表面场内具有掺杂元素，掺杂元素为N型或者P型；隧穿介质层，隧穿介质层位于基底背面的平坦区；掺杂导电层，掺杂导电层位于隧穿介质层远离基底背面的表面，掺杂导电层具有掺杂元素，掺杂导电层内的掺杂元素类型与掺杂表面场内的掺杂元素类型相同；背电极，背电极的部分底面位于掺杂导电层内且背电极的部分底面与掺杂表面场相接触，至少可以降低太阳能电池的接触电阻。
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公开(公告)号：CN114975648A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210751677.3
申请日：2022-06-28
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/048 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的正面和背面；位于半导体衬底正面的掺杂导电层、正面钝化层及设置所述正面钝化层上的多个栅线电极组，其中，栅线电极组包括相邻设置的第一正面栅线电极和第二正面栅线电极，掺杂导电层的掺杂量自第一正面栅线电极至第一正面栅线电极与第二正面栅线电极的对称中心区域依次递减；位于半导体衬底背面的背面钝化层、背面栅线电极。本申请的太阳能电池的掺杂导电层自第一正面栅线电极与第二正面栅线电极的对称中心区域至第一正面栅线电极的电流逐渐升高，传输电阻逐渐降低，从而有利于电流在掺杂导电层中横向的传输，从而减少串联电阻，提高电池效率。
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公开(公告)号：CN114899243A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202111268053.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，该太阳能电池包括：半导体衬底，位于半导体衬底表面的第一掺杂结构和第二掺杂结构；第一掺杂结构包括依次设置在半导体衬底表面的电介质层和掺杂多晶硅层；第二掺杂结构包括第一硅掺杂层；覆盖第一掺杂结构和第二掺杂结构的钝化层，穿过钝化层与所述掺杂多晶硅层形成电连接的电极。本申请太阳能电池通过设置不同类型的第一掺杂结构和第二掺杂结构，第一掺杂结构的区域允许多数载流子通过而阻碍少数载流子通过，具有较好的金属接触和较低的金属区复合，第二掺杂结构的硅掺杂层避免了第二掺杂结构形成载流子复合中心，降低太阳能电池对光的吸收，从而提高太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN114843349A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210333745.4
申请日：2020-10-30
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/042
Abstract: 本发明实施例提供一种太阳能电池，包括：基底；在基底上表面依次层叠的发射极、第一钝化膜、减反膜以及第一电极；在基底下表面依次层叠的隧穿层、阻滞层、场钝化层、第二钝化膜以及第二电极，阻滞层用于阻滞场钝化层中的掺杂离子向基底迁移，阻滞层包括与第二电极投影重合的第一阻滞层和投影错位的第二阻滞层，至少第二阻滞层为本征半导体；在垂直于基底表面的方向上，第一阻滞层的厚度小于第二阻滞层的厚度，第一阻滞层远离基底的表面平齐于第二阻滞层远离基底的表面，与第二电极投影重合的隧穿层的厚度大于与第二电极投影错位的隧穿层的厚度。本发明实施例有利于降低太阳能电池的复合损失以及提高太阳能电池的转换效率。
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