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公开(公告)号：CN219104228U
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202222316226.5
申请日：2022-08-30
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
IPC分类号： G01L1/22
摘要： 一种压力感测组件，其包括：介质层；覆盖于介质层顶部的至少一个压力感测电路，其具有多个敏感元件及包一个第一焊盘在内的多个焊盘；覆盖于压力感测电路的除第一焊盘以外的其他部分之顶部的一层保护釉；及覆盖结合于保护釉顶部的导电保护层，其至少遮盖敏感元件，且与每个压力感测电路的第一焊盘连接，导电保护层与不同第一焊盘连接的部分之间相互。本实用新型的压力感测组件，其通过在保护釉上再覆盖一层导电保护层，其不仅能够在保护釉的剧烈收缩/拉伸时对釉层表面进行表面增强，避免釉层开裂或剥离，而且能够屏蔽对压力感测电路的电磁干扰，从而提高测量精度；另外也能够提高对应焊盘的电连接稳定性。
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公开(公告)号：CN218994600U
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202223419930.X
申请日：2022-12-13
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
IPC分类号： G01L7/08
摘要： 一种压力传感器，其包括：压力接头，其内设有纵向延伸的压力通道；压力敏感头，其纵向远端一侧朝内凹陷形成具有一朝远端感测腔的连接筒，其纵向近端一侧相应形成弹性膜片，连接筒的近端与压力接头密封连接以使压力通道的近端连通至感测腔；压力接头的下部外缘朝外凸伸并越过压力敏感头的周缘而形成装配凸缘与壳体及压力接头一起合围形成安装腔的端钮和壳体；设置于安装腔内的安装座及信号处理组件，信号处理组件设置于安装座上；安装座具有远端抵压于压力接头上的一压筒；装配凸缘在横向平面上撑抵于压筒的内壁上，压力敏感头的周缘与压筒之间留有间隙。上述压力传感器能够将压力敏感头的弹性膜片与其他元件隔离开来以避免测量偏差。
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公开(公告)号：CN214471485U
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202120436743.9
申请日：2021-02-27
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种烧结座、芯体结构以及压力传感器，所述烧结座沿第一方向间隔设有开口朝向第二方向的第一腔室和第二腔室，所述烧结座内形成有连接通道，所述第二腔室在与所述连接通道的连通处形成有用于安装压力芯片的连接口，所述烧结座还贯设有若干个与所述第二腔室连通的安装孔，所述安装孔用于安装管脚。
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公开(公告)号：CN214251330U
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202120195681.7
申请日：2021-01-25
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
摘要： 本实用新型提供一种集成芯片、以及厚膜压力传感器，该用于厚膜压力传感器的集成芯片包括弹性金属膜片以及导电电路，弹性金属膜片具有用于感压的变形区及与所述变形区连接的连接区，导电电路包括若干个压敏电阻和热敏电阻，所述若干个压敏电阻设于所述弹性金属膜片的上表面且设于在所述变形区，所述热敏电阻设于所述弹性金属膜片的上表面且设于所述连接区。
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公开(公告)号：CN203617298U
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201320522894.1
申请日：2013-08-26
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司 , 无锡慧思顿科技有限公司
摘要： 一种硅压阻式压力传感器芯片,包括:硅压阻式压力传感器基本体、隔离层、增稳层、金属层、接触孔、硅衬底重掺杂区，所述硅压阻式压力传感器由SOI硅片制作，在压敏电阻下方埋有二氧化硅层，隔离层覆盖在硅压阻式压力传感器基本体上，隔离层上刻蚀有接触孔，孔内充有金属，该金属与硅衬底重掺杂区进行欧姆接触并与芯片表面的金属层相连，增稳层设置在隔离层上，增稳层与接触孔内的金属经金属层实现电气连接，金属层上形成芯片的最高电位点，即传感器的供电焊盘。本实用新型的优点是在于未大幅改动传统硅压阻式压力传感器芯片的结构前提下，只需稍微改变一下硅压阻式压力传感器芯片的结构，增加少量工艺步骤就可以显著提升其输出稳定性。
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公开(公告)号：CN220356607U
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202321400678.X
申请日：2023-06-01
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
摘要： 本申请提供了一种通过主动加热以避免橡胶密封件低温失效的流体分布组件及相应的检漏或调理装置，流体分布组件包括：由导热材料制成的主体；连接于主体上侧并前后排列的至少一组流体出料嘴，每组流体出料嘴包括左右排列的至少一个流体出料嘴，流体出料嘴的顶端形成有凹槽；所述流体出料嘴竖直设置且其内同轴地设置有出料通道，出料通道的上端贯通至所述凹槽；设置于主体上的流体进料嘴，通过设置于主体内的流道连通至出料通道底部；及设置于主体内以对凹槽进行加热的加热组件。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN220344394U
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202321614884.0
申请日：2023-06-21
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
IPC分类号： A61B5/022
摘要： 一种腕式血压测量装置，其包括：壳体；可上下移动地设置于壳体的朝向腕部一侧的底板；连接于底板内侧并固定于壳体上的压力传感器；腕带，其至少一端在一驱动器的驱动下可侧向伸缩地连接于壳体内以带动底板压迫腕部；设置于底板上朝向腕部一侧的PPG传感器；及与压力传感器、PPG传感器连接的控制器。本实用新型的腕式血压测量装置，其能够以接触方式测量腕部的血压。
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公开(公告)号：CN219608289U
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202223363701.0
申请日：2022-12-09
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种力传感器，其包括：金属基座，包括中心设有纵向延伸的过孔的基体，基体的纵向近端朝外横向伸展而形成一圈第一凸缘；基体的内壁上形成密封槽；设置于密封槽内的密封圈；与金属基座围成密封腔的密封罩，包括位于基体纵向近端一侧的罩板及由罩板的内外两侧边缘分别朝向纵向远端一侧凸伸形成的内筒、外筒，外筒的远端密封固定于基体的近端端面上，内筒配合固定于基体的过孔内并抵压于密封圈上；位于密封腔内且设置于基体近端端面的电路板；及位于密封腔内的至少两个压敏电阻，压敏电阻对应设置于基体近端端面上设置的绝缘基础上，并与电路板电连接。本上述力传感器在能够良好密封的同时能够更容易地被制造。
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公开(公告)号：CN219608288U
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202223317267.2
申请日：2022-12-09
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种力传感器，其包括：金属基座，包括中心设有纵向延伸的过孔的基体，基体的纵向近端朝外横向伸展而形成一圈第一凸缘；基体的内壁上形成密封槽；设置于密封槽内的密封圈；朝纵向远端一侧与金属基座围成密封腔的密封罩；位于密封腔内的至少两个压敏电阻，压敏电阻对应设置于基体近端端面上设置的绝缘基础上；及位于密封腔内且设置于基体近端端面的电路板,电路板的周缘设有多个在垂直于纵向的平面上避让绝缘基础的让位槽口，压敏电阻与电路板电连接。上述力传感器能够降低电路板与压敏电阻表面高度差，易于键合连接。
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公开(公告)号：CN219104229U
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202223329861.3
申请日：2022-12-13
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
摘要： 一种压力测量组件，其包括：压力接头，其内设有纵向延伸的压力通道；及压力敏感头，其纵向远端一侧朝内凹陷形成具有一朝远端感测腔的连接筒，其纵向近端一侧相应形成弹性膜片，弹性膜片的纵向近端一侧表面设置有压力测量电路，连接筒的近端与压力接头密封连接以使压力通道的近端连通至感测腔；其中，连接筒的近端与压力接头相焊接。采用上述压力测量组件的压力传感器能够改善装配应力对测量结果的不利影响。
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