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    一种磁性随机存储器参考信号的产生方法
    91.
    发明公开
    一种磁性随机存储器参考信号的产生方法 失效

    公开(公告)号：CN1790543A

    公开(公告)日：2006-06-21

    申请号：CN200410081514.0

    申请日：2004-12-17

    申请人： 电子科技大学

    发明人： 张万里 ,  彭斌 ,  张祖刚 ,  张文旭 ,  蒋洪川 ,  张怀武

    IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C7/00

    摘要： 本发明提供了一种磁性随机存储器MRAM参考信号的产生方法，它是通过外加电流产生磁场，该磁场改变存储单元两磁性层磁化方向的夹角来获得中间态，将该中间态的电阻作为参考信号，并利用MRAM中信息存储单元的电阻值与存储单元中两磁性层磁化方向的夹角存在确定的变化规律，来实现MRAM中存储单元信息的读取。利用本发明的方法可以实现MRAM中存储信息的快速读取，它具有高速读取且不降低存储密度的优点。