用于高温化学场效应晶体管(ChemFET)废气传感器的适用于废气的保护层

    公开(公告)号:CN102159941A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN200980136130.5

    申请日:2009-07-16

    IPC分类号: G01N27/414 G01N27/407

    CPC分类号: G01N27/4141

    摘要: 发明涉及用于制造传感器元件(1)的方法,这元件包括有至少一个敏感元器件(3),在这方法中,将由无残留地可以热分解的材料制成的屏蔽层(31)涂覆在敏感元器件(3)上,其中敏感元器件(3)通过屏蔽层(31)基本上完全被遮盖住,在屏蔽层(31)上涂覆由一种热稳定材料制成的保护层(33),并且通过热解作用或者一种低温传导的氧等离子体去除屏蔽层(31)发明此外还涉及一种传感器元件,它包括有至少一个敏感元器件(3)和由一种热稳定的材料制成的保护层(33),其中敏感元器件(3)被由热稳定的材料制成的保护层(33)遮盖,其中敏感元器件(3)和保护层(33)相互有间距。