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公开(公告)号：CN103745742A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310723105.5
申请日：2013-12-25
申请人： 苏州宽温电子科技有限公司
IPC分类号： G11C11/4063
摘要： 本发明公开了一种差分的浮栅型DRAM存储单元，包括单管浮栅动态存储单元晶体管M1和单管浮栅动态存储单元晶体管M2，M1和M2的上面是源线SL控制电路模块，M1和M2的下面是位线BL控制电路模块和灵敏放大电路模块，M1和M2的源极分别作为存储单元的两根源线SL1和SL2；M1和M2的漏极分别作为存储单元的两根位线BL1和BL2；M1和M2的第二层栅极作为存储单元的控制栅CG1和CG2。本发明的工艺和单管浮栅动态存储器的工艺一样，设计难度小，设计成本低；采用差分输入方案，不需要设计复杂度灵敏性很高的基准参考电路，差分输入可以扩大了读操作时的可区分电流范围，读操作可靠性得到明显增强。
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公开(公告)号：CN103226971A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310090935.9
申请日：2013-03-21
申请人： 苏州宽温电子科技有限公司
IPC分类号： G11C11/413
摘要： 本发明公开了一种防止数据破坏的CAM快速回写机制，包括由SRAM内存模块和查找模块构成的CAM单元，在所述CAM单元的基础上，引入一个回写机制。所述回写机制可为一个用于实现回写功能的MOS管，或者为一个具有回写功能的外围电路。本发明在传统9管CAM的基础上，引入快速回写机制，有效消除了CAM在写过程中的虚读状态，保证了CAM中数据的可靠性，且减小了电路设计时对MOS管的限制。
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公开(公告)号：CN116486870B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310742181.4
申请日：2023-06-21
申请人： 苏州宽温电子科技有限公司
IPC分类号： G11C11/417 , G11C11/419 , G11C5/14 , G11C7/12
摘要： 本发明涉及一种写辅助电路、静态随机存取存储器及其操作方法，写辅助电路包括电压跟踪电路和功率控制电路，电压跟踪电路基于外部时钟信号而参考两个定时延迟信号确定写使能信号的脉宽，其中，两个定时延迟信号分别由电源电压和外围电路电源电压供电；功率控制电路响应于所述写使能信号而对存储单元内部电源电压进行放电以提供所述存储单元内部电源电压。本发明在进行宽电压设计时，自动跟踪电源电压和外围电路电源电压的变化，在保持模式和读模式下保证存储单元的稳定，并且避免在写模式下两者差距过大而导致的写操作困难的问题。
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公开(公告)号：CN114139482A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111036201.3
申请日：2021-09-06
申请人： 苏州宽温电子科技有限公司
IPC分类号： G06F30/367 , G06K9/62 , G06N3/04 , G06N3/08
摘要： 本发明公开了一种基于深度度量学习的EDA电路失效分析方法，包括步骤：一、根据原始分布对EDA电路样本进行蒙特卡罗采样，生成蒙特卡罗采样样本，并进行蒙特卡罗仿真，得到失效仿真结果；二、通过步骤一的蒙特卡罗采样样本和失效仿真结果，训练一个能够将失效样本区分出来的深度度量学习模型；三、对待进行失效分析的EDA电路，采用蒙特卡罗采样方法生成足够多的失效分析样本，并利用步骤二中训练的深度度量学习模型对样本进行筛选，筛选出可能失效样本；四、对可能失效样本进行SPICE电路仿真，得到失效的EDA电路并计算出失效率。本发明仿真效率高，可靠性高，在先进工艺大规模电路的仿真分析中具有明显的优势。
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公开(公告)号：CN104299648B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201410495362.2
申请日：2014-09-25
申请人： 苏州宽温电子科技有限公司
IPC分类号： G11C16/06
摘要： 本发明是一种差分架构只读存储单元，每个单元包括四条位线支路BL1、BL1B、BL2和BL2B，以及一条字线WL，所述支路BL1和支路BL1B之间构成差分对，所述支路BL2和支路BL2B之间构成差分对，每个差分对之间共用两个MOS场效应晶体管。采用本发明技术方案，差分架构ROM单元一定程度上扩大器件读操作时可区分的电流范围，同时读取时采用两条支路对比输入差分放大器，可以避免采用基准电路带来的不匹配问题，极大地提高了读取的稳定性，具有广阔的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN105199644B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201510705330.5
申请日：2015-10-27
申请人： 苏州宽温电子科技有限公司
IPC分类号： C09J163/00 , C09J177/02 , C09J123/20 , C09J183/06 , C09J151/06 , C09J11/04 , C09J11/06 , H01L33/56
摘要： 本发明公开了一种低吸湿性抗老化环氧树脂基封装胶，按照重量份数包括原料如下：氢化双酚A型环氧树脂56~85份、尼龙610 3~10份、聚4‑甲基‑1‑戊烯2~8份、羟基硅油1~5份、叔碳酸乙烯基酯2~6份、氧化锆1~3份、氧化镁1~4份、2‑羟基‑4‑N‑辛氧基二苯甲酮2~5份、马来酸酐接枝聚丙烯3~8份、固化剂9~20份和固化促进剂2~8份。本发明还公开了所述低吸湿性抗老化环氧树脂基封装胶的制备工艺。本发明所制备的环氧树脂基封装胶的吸水率较低，且1000h黄变指数也较低显示良好的耐老化性，同时，所制备的环氧树脂基封装胶也具有良好的透光率，适合作用于电子封装材料，尤其适用于作为LED封装材料。
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公开(公告)号：CN105237950B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510615526.5
申请日：2015-09-24
申请人： 苏州宽温电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种覆铜板用环保无卤阻燃环氧树脂，由以下各个组分制备而成：双酚F型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、聚氧亚丙基二胺、磷酸铵铜、滑石粉、膨润土、二辛基锡、十二烷基磺酸钠、硼酸锌、木质素和偶联剂。本发明还公开了所述覆铜板用环保无卤阻燃环氧树脂的制备方法。本发明所制备一种覆铜板用环保无卤阻燃环氧树脂，不仅具有良好的阻燃性，同时也具有较佳的剥离强度、较低的介电损耗和热膨胀系数，非常适合应用于加工制作覆铜板；此外，制备过程中所用原材料易得且制备工艺简便，也方便推广应用。
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公开(公告)号：CN105199389B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510654964.2
申请日：2015-10-12
申请人： 苏州宽温电子科技有限公司
IPC分类号： C08L81/02 , C08L23/06 , C08L51/06 , C08L23/08 , C08K13/06 , C08K9/02 , C08K7/06 , C08K3/04 , C08K3/38 , C08K5/24 , C08K3/26
摘要： 本发明公开了一种聚合物屏蔽材料及其制备方法，该聚合物屏蔽材料，由以下原料组成，按重量份数计为：聚苯硫醚30~52份、聚乙烯20~40份、氧化石墨烯5~11份、碳纤维4~12份、白云石3~16份、氮化硼2~11份、马来酸酐接枝聚乙烯3~10份、POE 1~5份、0.5mol/L的硝酸18~30份、水合肼6~20份、抗氧剂1~4份、偶联剂1~5份和适量的二氯乙烷。本发明所制备的聚合物屏蔽材料重量轻、制备工艺简单，并且所获得的屏蔽材料在30‑1500MHz范围内的屏蔽效能值为65~88dB，屏蔽性能良好，可扩宽该屏蔽材料的应用范围。
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公开(公告)号：CN105199594B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510615486.4
申请日：2015-09-24
申请人： 苏州宽温电子科技有限公司
IPC分类号： C09D179/02 , C09D163/00 , C09D7/12
摘要： 本发明公开了一种电子产品用散热材料及其制备方法。该散热材料，按重量份数由以下原料制备而成：聚苯胺溶液份、环氧树脂份、粉煤灰份、矿渣份、回收银粉、六钛酸钠、磷酸三钙、钼粉、铝硅酸盐水泥、磷铁粉、二氨基二苯基甲烷、硅烷偶联剂KH‑560和适量的乙醇。本发明所制备的散热材料附着力强，不易脱落，相比于传统的石墨基散热材料其使用过程中更佳稳定。本发明所制备的散热材料的导热率大于2W/（m•k），且所使用的聚苯胺的化学稳定性好，抗静电能力佳，非常适合电子产品使用。此外，本发明的制备方法工艺简便，适合大规模的生产。
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公开(公告)号：CN106531210A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610884512.8
申请日：2016-10-11
申请人： 苏州宽温电子科技有限公司
IPC分类号： G11C16/04
摘要： 本发明是一种改善P型NVM存储器NBTI效应的差分架构存储单元，该存储单元由P型NVM存储单元及NBTI恢复电路组成，所述P型NVM存储单元为浮栅型架构或者为基于标准CMOS工艺的逻辑结构NVM存储单元。本发明在传统P型NVM存储单元的基础上，采用差分架构，保证输入差分放大器的位线信号的匹配性，增加了存储单元的可靠性和稳定性，同时增加了恢复电路来降低P型NVM在高压工作之后的NBTI效应影响，可以有效地降低电路功耗，提高存储器整体的稳定性。所述存储单元稳定性得到明显改进，具有很重要的研究意义和广阔的市场前景。
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