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公开(公告)号：CN114065682A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111066024.3
申请日：2021-09-13
申请人： 苏州宽温电子科技有限公司
IPC分类号： G06F30/367 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06F119/02
摘要： 本发明公开了一种基于多层感知器神经网络的电路良率分析方法，包括步骤：一、均匀分布采样：针对电路器件的各项工艺变化参数，采用均匀分布采样的方法得到总量样本；二、蒙特卡罗仿真：采用蒙特卡洛仿真方法对总量样本进行电路仿真，获得电路失效样本；三、重要性采样：统计电路失效样本各参数的均值，并将其作为电路失效区域的中心点，以该点为原点在电路失效区域进行高斯分布采样得到重要样本；四、多层感知器神经网络筛选：将重要样本输入预先训练好的多层感知器神经网络进行筛选，得到电路失效的采样点；五、电路良率计算：采用重要性采样公式计算出电路良率。本发明能够提供快速且准确的良率验证分析，在缩短项目周期的同时提升产品可靠性。
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公开(公告)号：CN113948135A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111286469.2
申请日：2021-11-02
申请人： 苏州宽温电子科技有限公司
IPC分类号： G11C11/413
摘要： 本发明公开了一种SRAM存储器的两级流水线架构及其数据读写方法，其SRAM存储器的两级流水线架构包括一前一后设置的译码器和存储阵列读写通路，所述译码器的输入端口设置有第一寄存器组，所述译码器的输出端口与存储阵列读写通路的输入端口之间设置有第二寄存器组；其方法的数据读写过程为：当地址输入后，第一个时钟上升沿到来时，译码器工作，直至译码完成，并将地址数据输出至存储阵列读写通路；当第二个时钟上升沿到来时，译码器和存储阵列读写通路并行工作，存储阵列读写通路的地址输入数据为第一个时钟上升沿至第二个时钟上升沿之间的译码器输出数据。本发明能够有效提高存储器的工作速度，同时，不会带来大的面积或者功耗惩罚。
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公开(公告)号：CN114139482A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111036201.3
申请日：2021-09-06
申请人： 苏州宽温电子科技有限公司
IPC分类号： G06F30/367 , G06K9/62 , G06N3/04 , G06N3/08
摘要： 本发明公开了一种基于深度度量学习的EDA电路失效分析方法，包括步骤：一、根据原始分布对EDA电路样本进行蒙特卡罗采样，生成蒙特卡罗采样样本，并进行蒙特卡罗仿真，得到失效仿真结果；二、通过步骤一的蒙特卡罗采样样本和失效仿真结果，训练一个能够将失效样本区分出来的深度度量学习模型；三、对待进行失效分析的EDA电路，采用蒙特卡罗采样方法生成足够多的失效分析样本，并利用步骤二中训练的深度度量学习模型对样本进行筛选，筛选出可能失效样本；四、对可能失效样本进行SPICE电路仿真，得到失效的EDA电路并计算出失效率。本发明仿真效率高，可靠性高，在先进工艺大规模电路的仿真分析中具有明显的优势。
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公开(公告)号：CN216957455U
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202123453496.2
申请日：2021-12-31
申请人： 苏州宽温电子科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及存储器电路技术领域，具体为一种位线电荷共享高速存储器电路，包括电路控制单元，所述电路控制单元的输出端连接有驱动模块，且驱动模块的输出端连接有辅助电路模块，所述电路控制单元的输出端还连接有存储器阵列单元，且存储器阵列单元的输出端连接有位线预留模块；所述电路控制单元的输出端分别连接有清空单元和刷新单元。本实用新型通过设置的驱动模块能够分别驱动写入模块和读取模块对存储器进行操作；通过设置的存储器阵列单元将存储器电路分为阵列状结构，并将其中一部分位线资源存储在位线预留模块中，在进行双重工作时，可通过位线预留模块对存储器阵列单元直接进行操作，这样可有效提高存储器阵列单元的相应速率。
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公开(公告)号：CN216957459U
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202123431059.0
申请日：2021-12-30
申请人： 苏州宽温电子科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种高速读取的SRAM电路结构，包括低电平片选模块，所述低电平片选模块的电性输出端连接有读控制电路模块，且读控制电路模块的电性输出端连接有读地址线模块，SRAM储存器模块，其连接在所述译码器模块的电性输出端，数据判断模块，其连接在所述灵敏放大器模块的电性输出端；错误提示模块，其连接在所述数据判断模块的电性输出端。该高速读取的SRAM电路结构，与现有的装置相比，可以通过数据判断模块对转换的数据进行判断，数据读出模块能够将转换准确的数据读出，从而能完成数据的读取，错误提示模块能够对转换错误的数据进行提示，通过数据校正模块能够对错误数据进行校正。
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公开(公告)号：CN217214155U
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202123384557.4
申请日：2021-12-29
申请人： 苏州宽温电子科技有限公司
IPC分类号： G11C7/10
摘要： 本实用新型公开了一种存储器的写辅助电路，包括控制模块的输入端连接有写入模块，所述控制模块的输入端连接有电压检测模块，所述控制模块的输入端还连接有温度检测模块，所述控制模块的输出输入端均与防缓冲区模块输出输入端相互连接，所述一段数据缓存模块、二段数据缓存模块和三段数据缓存模块共同在电路上组成三个传输通道，且每个传输通道相互独立，所述一段数据缓存模块、二段数据缓存模块和三段数据缓存模块的输出端均连接有主储存模块和错误日志储存模块。该存储器的写辅助电路通过设置的一段数据缓存模块、二段数据缓存模块和三段数据缓存模块能够根据需要对缓存的容量进行调节使用，从而达到阶段性的速率调节，提高使用效率。
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