一种高量程加速度传感器封装中的平面互连结构及方法

    公开(公告)号:CN102928621A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201210402139.X

    申请日:2012-10-22

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及传感器封装技术,具体是一种高量程加速度传感器封装中的平面互连结构及方法。本发明解决了现有传感器封装技术易导致传感器在恶劣应用环境中失效的问题。一种高量程加速度传感器封装中的平面互连结构包括U形匹配电路板、矩形传感器芯片、矩形封装管壳、以及矩形基板;U形匹配电路板的下表面、矩形传感器芯片的下表面均与矩形基板的上表面贴附固定;U形匹配电路板的下表面与矩形基板的上表面之间、矩形传感器芯片的下表面与矩形基板的上表面之间均灌注有贴片胶层;矩形传感器芯片的外侧壁与U形匹配电路板的内侧壁贴附固定。本发明适用于各种传感器的封装,尤其适用于高量程加速度传感器的封装。

    一种硅基巨磁阻效应微加速度传感器

    公开(公告)号:CN102854339A

    公开(公告)日:2013-01-02

    申请号:CN201210330512.5

    申请日:2012-09-07

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种巨磁阻效应微加速度传感器,主要结构包括:键合基板;铁磁性薄膜,铁磁性薄膜设在键合基板上的矩形凹槽,即底槽中;和加速度敏感体,加速度敏感体设在键合基板上方并与键合基板相连接,且加速度敏感体包括:对应设在底槽上方的敏感质量块;敏感质量块上表面设有巨磁敏电阻且巨磁敏电阻与铁磁性薄膜位置对应;敏感质量块四周的悬臂梁,以及悬臂梁外侧的支撑框体。巨磁敏电阻层可随敏感质量块沿垂直于所述铁磁性薄膜上表面的方向振动。根据本发明实施例的微机械加速度传感器采用整体结构设计,结构合理,检测电路简单,使用方便、可靠性好、适合微型化。

    记录器回收用水下定位搜索方法

    公开(公告)号:CN102169181B

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN201010613666.6

    申请日:2010-12-30

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及航空航天领域中记录器的回收,具体是一种能在水下远程定位搜索的记录器回收用水下定位搜索方法。解决了目前航空航天领域中记录器一旦落入水中后难以搜索找寻、回收难度大的问题,记录器的防护壳上设置有若干辅助定位装置;记录器的防护壳外设有撞击分裂式外壳,两壳间设有填充物、内装颜料的染色包,撞击分裂式外壳上设置有若干能脱离外壳本身的浮标;方法按如下步骤实现:1)自动启动声纳设备;2)搜索定位步骤:A、水下直接搜索定位;B、水上间接搜索定位。本发明记录器外设结构简单,搜索定位方法合理,能有效实现记录器的水下回收,完成其内重要数据的获取,促进航空航天事业的发展。

    具有抗横向干扰的硅纳米带巨压阻效应微加速度计

    公开(公告)号:CN102680738A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201210057647.9

    申请日:2012-03-07

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 一种具有抗横向干扰的硅纳米带巨压阻效应微加速度计,主要结构由键合基底、敏感质量块、固定外框、组合梁、硅纳米线电阻、凹槽、阻尼孔组成,组合梁由检测梁、连接块、横向缓冲梁组成,硅纳米线电阻由硅纳米带电阻层、硅纳米带电阻正极、硅纳米带电阻负极组成;以键合基底为载体,在键合基底上键合有固定外框,固定外框的四边中心位置处连接有组合梁,组合梁连接于敏感质量块的四角部位,且内嵌于组合梁运动空间内,组合梁由检测梁、连接块、横向缓冲梁组成,结构设计紧凑,既能充分利用空间,适合器件微型化,又能抗击横向干扰,提高检测精度,硅纳米带电阻由硅纳米带电阻层、硅纳米带电阻正极、硅纳米带电阻负极组成,硅纳米带电阻层所具有巨压阻效应比传统的硅压阻器件的压阻灵敏度高约2个数量级,可大幅提高硅压阻式传感器的检测灵敏度和分辨率。

    基于约瑟夫逊效应的压阻式力敏器件

    公开(公告)号:CN102680147A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201210058424.4

    申请日:2012-03-07

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 一种基于约瑟夫逊效应的压阻式力敏器件,主要由固定基座、悬臂梁、约瑟夫逊器件、压敏电阻、频率检测电路、频谱分析仪组成,悬臂梁的一端连接于固定基座,悬臂梁的根部掺杂有压敏电阻,固定基座与悬臂梁连接的邻近区域也掺杂有压敏电阻,固定基座上还制作有约瑟夫逊器件,约瑟夫逊器件由硅衬底层、二氧化硅层、铅层、氧化铅层、铜层、铅层组成,此检测方法将约瑟夫逊结对电压的超灵敏性应用于压阻式器件的电压信号的检测,将直流能量信号转变成交流能量信号,通过对交流能量信号的频率检测即可实现对微小电压信号的检测,其分辨率可比传统压阻式信号检测方法提高2-3数量级,检测方便、数据翔实可靠,是一种十分新颖的压阻式电压信号的检测方法。

    一种适用于高转速飞行体姿态测量的半捷联式结构

    公开(公告)号:CN102175242B

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:CN201110025476.7

    申请日:2011-01-24

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及惯性导航测量技术,具体是一种适用于高转速飞行体姿态测量的半捷联式结构。本发明解决了传统惯性导航系统不适用于高转速飞行体姿态测量的问题。一种适用于高转速飞行体姿态测量的半捷联式结构包括轴向负荷承载区、径向负荷承载区、惯性测量组合及解算电路区、质量偏置区、以及外框架;轴向负荷承载区包括第一半球和第二半球;径向负荷承载区包括第一球轴承和第二球轴承;惯性测量组合及解算电路区包括前轴、内筒、以及后轴。本发明实现了微惯性测量组合在旋转方向与载体不捷联,其它两个方向与载体捷联,从而有效解决了传统惯性导航系统不适用于高转速飞行体姿态测量的问题,适用于高转速飞行体的姿态测量。

    测试设备抗冲击防护壳体结构设计方法

    公开(公告)号:CN102279014B

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN201110179083.1

    申请日:2011-06-29

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及测试设备抗冲击防护结构的设计方法,具体是一种测试设备抗冲击防护壳体结构设计方法。本发明解决了现有测试设备抗冲击防护结构设计方法不利于统一测试设备的设计方法、以及导致测试设备设计周期加长和设计成本增加的问题。测试设备抗冲击防护壳体结构设计方法,该方法是采用如下步骤实现的:1)设计确定抗冲击壳体的外形结构;2)定量确定内层圆柱壳体屈曲速度、外层圆柱壳体屈服速度、电路板破坏极限;3)内层圆柱壳体顶盖厚度、外层圆柱壳体顶盖厚度、缓冲材料厚度、灌封材料厚度的确定;4)抗大冲击缓冲结构的设计;5)抗层裂结构的设计。本发明在面对不同的测试环境时,可以使得测试设备的设计方法趋于统一。

    基于石墨烯的MEMS声学传感器

    公开(公告)号:CN102638753A

    公开(公告)日:2012-08-15

    申请号:CN201210071272.1

    申请日:2012-03-16

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 一种基于石墨烯的MEMS声学传感器,主要结构由由上层结构、下层结构及石墨烯组成,上层结构上制作有集音腔、间隙腔、通孔板、拾音孔、上层金属层、上层绝缘层、上层金属连接位、上层键合金属层,下层结构层上制作有通孔板、间隙腔、阻尼孔、阻尼腔、下层金属层、下层绝缘层、下层金属连接位、石墨烯连接位、下层金属键合层、上层金属焊盘、下层金属焊盘、上层金属连接孔、下层金属连接孔、石墨烯连接孔,上层绝缘层和下层绝缘层中夹有石墨烯层,单碳原子层厚度的石墨烯材料具有优异的机械特性和电学特性,以石墨烯为振动膜的声学传感器将会实现更高的灵敏度、分辨率,使声音的检测数据翔实、精准、可靠。

    十字电流型三轴矢量磁传感器

    公开(公告)号:CN102520376A

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201110434180.0

    申请日:2011-12-22

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及MEMS磁传感器领域,具体是一种十字电流型三轴矢量磁传感器。本发明为了解决现有磁传感器精度低、灵敏度差的问题。十字电流型三轴矢量磁传感器,包括GaAs衬底、两个基于RTD的竖直型电流霍尔器件以及一个基于HEMT的水平型电流霍尔器件;其是由包括如下步骤的制备方法制得的:制作基片;形成两个梯形RTD台面和HEMT台面;制备两个基于RTD的竖直型电流霍尔器件;制备基于HEMT的水平型电流霍尔器件。本发明所述的磁传感器精度高、灵敏度好,可广泛适用于各种导航系统。

    基于e指数半导体器件的嵌入式高灵敏度微陀螺仪

    公开(公告)号:CN102506842A

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN201110299726.6

    申请日:2011-09-29

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及微陀螺仪,具体为一种基于e指数半导体器件的嵌入式高灵敏度微陀螺仪。本发明解决了因现有微陀螺仪灵敏度低而无法满足测量要求的问题。基于e指数半导体器件的嵌入式高灵敏度微陀螺仪,包括基片、e指数半导体器件、质量块、检测梁、以及梳齿结构;其是由包括如下步骤的制造方法制得的:e指数半导体器件的制备;刻蚀梳齿结构;利用ICP刻蚀出检测梁和质量块之间的间距孔,刻蚀深度为检测梁的厚度;将质量块背面进行深槽刻蚀;从基片背面ICP刻蚀梳齿结构直至穿透,继续ICP刻蚀基片背面形成检测梁,最终释放质量块,形成完整的微陀螺仪结构。本发明所述的微陀螺仪具有良好的线性度、高灵敏度,可广泛适用于角速度测量。

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