对称直梁结构电容式微加速度传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN101038298A

    公开(公告)日:2007-09-19

    申请号:CN200710038123.4

    申请日:2007-03-16

    Abstract: 本发明涉及一种对称直梁结构电容式微加速度传感器及其制作方法。其特在于所述的加速度传感器由一个中心对称的质量块、外部支撑框架、质量块与外部支撑框架相连接的八根上下对称直弹性梁结构以及上、下盖板组成。每根直弹性梁的一端连接在与弹性梁平行的质量块顶端或底端侧面,另一端连接到与弹性梁垂直的外部支撑框架内侧面。本发明提供的对称直梁结构电容式加速度传感器可以在显著减小横向效应的同时提高灵敏度,采用微电子机械系统工艺制作,是一种高性能的微机械加速度传感器。

    微机械热电堆红外探测器及其制作方法

    公开(公告)号:CN1960017A

    公开(公告)日:2007-05-09

    申请号:CN200610118474.1

    申请日:2006-11-17

    Abstract: 本发明涉及微机械红外热电堆探测器结构及其制作方法,其特征在于作为红外吸收层的悬浮膜结构具有多种形状的腐蚀开口,使用各向同性的干法刻蚀从正面腐蚀衬底形成悬浮膜结构释放器件。探测器的衬底和悬浮于框架中间的红外吸收层分别构成热电堆的冷结区和热结区,支撑臂连接框架和红外吸收区并承载热电堆;中间悬浮的红外吸收层带有不同形状的腐蚀开口,作为干法刻蚀工作气体进入衬底进行反应的通道。采用了标准CMOS工艺中最常见的材料,便于实现和信号处理电路的集成。使用了选择性很好的干法刻蚀形成红外吸收层,相比传统的湿法腐蚀不仅简化了工艺流程,降低了对光刻机的要求;同时不需考虑对其它材料的破坏,拓宽了探测器可用材料的范围。

    一种音叉式微机械陀螺及其制作方法

    公开(公告)号:CN1278922C

    公开(公告)日:2006-10-11

    申请号:CN200410016930.2

    申请日:2004-03-12

    Abstract: 本发明涉及一种音叉式微机械陀螺及其制作方法。微机械陀螺主它是由第一基板及其上的四组驱动用条形固定对电极和两组检测用条形固定对电极、固定在第一基板上的中间锚点和两侧锚点、悬在第一基板上方的第二基板组成;第二基板包括可沿驱动方向振动的两个结构相同且对称的驱动质量块、中间锚点与驱动质量块相连接的第一弹性梁、两侧锚点与驱动质量块相连接的第二弹性梁、连接两个驱动质量块的耦合弹性梁、可沿垂直于驱动方向的检测方向振动的两个检测质量块、检测质量块与驱动质量块之间的连接弹性梁组成。本陀螺采用微电子机械系统技术制作,采用变面积电容实现驱动和检测,驱动和检测方向均具有滑膜阻尼,灵敏度较高,是一种实用的微机械陀螺。

    湿法腐蚀制造微机械电容式加速度传感器的方法

    公开(公告)号:CN1242272C

    公开(公告)日:2006-02-15

    申请号:CN02111345.9

    申请日:2002-04-12

    Abstract: 本发明涉及一种湿法制造微机械电容式加速度传感器的方法,属于微电子机械系统领域。其特征在于,最为关键的是利用补偿条结构牺牲方法和(110)单晶硅在各向异性腐蚀液中选择性腐蚀特性,采用硅各向异性湿法腐蚀在(110)单晶硅上制造出所需要的电容式加速度传感器结构,电容加速度传感器可动电极和固定电极同时形成在(110)单晶硅上,电容极板间隙为3-15微米。电容的平行电极必须严格对准(111)晶向。本发明提供的方法简化了微机械电容式加速度传感器的制造工艺,提高了电容式加速度传感器的成品率,而且也使制造出来的加速度传感器具有高的灵敏度和输出稳定性。

    声子晶体晶胞结构、声子晶体器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN112086083A

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN201910513756.9

    申请日:2019-06-14

    Abstract: 本发明提供一种声子晶体晶胞结构、声子晶体器件及其制备方法,声子晶体晶胞结构包括:基板,基板包括基板第一表面及相对设置的基板第二表面,基板包括自所述基板第一表面向基板第二表面延伸且贯穿基板的沟槽,以在基板中构成弹簧部件,且弹簧部件自基板内侧向基板外侧延伸,弹簧部件的自由端位于基板内侧;共振体,共振体位于基板第一表面上,且共振体与弹簧部件的自由端相接触。本发明设计了一种基于弹簧振子的声子晶体晶胞结构,可简化成一个弹簧‑重物系统,利用弹簧部件的振动可增强声子晶体晶胞结构的共振体的谐振能力,可有效调节、改变声子晶体晶胞结构的禁带频率和宽度,从而可扩大声子晶体器件的应用范围。

    磁场传感器结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN111413653A

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN201910012484.4

    申请日:2019-01-07

    Inventor: 熊斌 刘松 梁亨茂

    Abstract: 本发明提供一种磁场传感器结构及制备方法,磁场传感器结构包括:衬底结构;至少一个驱动电极组件,包括若干个间隔排布的第一梳齿单元,悬空设置于衬底结构上;谐振结构组件,包括谐振结构部及至少一个梳齿部,均悬空设置于衬底结构上,梳齿部包括若干个间隔排布的第二梳齿单元,第二梳齿单元与第一梳齿单元交叉间隔设置;感应线圈组件,至少对应设置于谐振结构部上。本发明的磁场传感器结构基于电磁感应进行磁场测量,具有功耗低、线性度好及检测电路设计简单的优点,采用梳齿单元驱动,降低了空气阻尼,解决了现有技术中的吸合问题,并使得器件无需真空封装也具有较高的灵敏度,可以实现磁场的面内测量,进行实现三轴磁场测量。

    一种适用于MEMS谐振式传感器的闭环驱动电路

    公开(公告)号:CN108599738A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201810241026.3

    申请日:2018-03-22

    Abstract: 本发明涉及一种适用于MEMS谐振式传感器的闭环驱动电路,传感器在静电力的激励下处于谐振状态时,I/V转换器将检测电极上的感应电流转换成电压,其中反馈回路上的电阻用于设定增益,与之并联的电容则用于环路相位补偿,取代现有的相位补偿电路,降低了电路成本和复杂度。接下来,I/V转换器的输出经过二级放大器,获得进一步的增益。然后二级放大器的输出分为两路,一路用于检波器检波,检测结果与参考电压通过比较器进行比较后产生增益控制电压,用于调节VGA的增益;另一路则作为VGA的输入,根据增益控制电压进行幅度调整后产生交流驱动电压。本发明可以降低电路的成本和复杂度。

    一种热电能量采集器及其制作方法

    公开(公告)号:CN105355773B

    公开(公告)日:2018-02-13

    申请号:CN201510766680.2

    申请日:2015-11-11

    Abstract: 本发明提供一种热电能量采集器及其制作方法,该方法包括以下步骤:S1:制作第一器件片;S2:制作第二器件片;S3:将所述第一器件片与第二器件片键合,使各个第一、第二热电偶臂通过第一电连接块与第二电连接块相互交替依次相连,其中,各个所述第一热电偶臂通过其顶端的第一键合层与相应的第二电连接块键合,各个所述第二热电偶臂通过其顶端的第二键合层与相应的第一电连接块键合。本发明与传统平面结构的采集器相比,其垂直结构热电偶臂端面与导热板之间具有较大的接触面积,可以降低接触热阻和接触电阻,提高器件的温差利用率和发电功率;同时,相比传统垂直结构热电能量采集器的制备方法,本发明与CMOS工艺兼容,可以实现低成本的批量化生产。

    基于声子晶体的微流控结构、微流控器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN104084249B

    公开(公告)日:2017-10-03

    申请号:CN201410332258.1

    申请日:2014-07-14

    Abstract: 本发明提供一种基于声子晶体的微流控结构、微流控器件及其制作方法,其中,所述基于声子晶体的微流控结构至少包括:声子晶体;所述声子晶体至少包括:固体基板,以及设于所述固体基板上的声学波散射结构和声学波控制区域;所述声学波控制区域适于通过设置所述声学波散射结构的形态和分布,来控制所述声学波在所述固体基板表面的传输和分布,以使所述微流体在所述声学波控制区域受到所述声学波的操控。本发明通过在微流控结构中引入声子晶体,能够有效控制声学波的传输和分布;采用该微流控结构的微流控器件,大大提高了声学波的控制效率,同时增加了声学波控制方式的多样性,能够形成独特的声场结构,实现了对微流体进行移动、离心、分离、检测等操作。

    一种硅柱通孔互连结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN106711121A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201510770462.6

    申请日:2015-11-12

    Abstract: 本发明提供一种硅柱通孔互连结构及其制作方法,该结构包括第一硅片以及与该第一硅片键合的第二硅片;所述第一硅片和第二硅片键合后形成接触孔部分金属引线的电连接和非接触孔部分金属环的密封结构;所述硅柱通孔和通孔上的金属层结构用于电连接,实现真空或气密封装时内部器件及结构与外部的电学互连;所述硅柱通孔外表面金属层用于降低硅柱电阻;所述固体基板上的金属层用于键合工艺,实现器件及结构的真空或气密封装。本发明通过硅柱通孔互连结构,能够优化现有真空或气密封装存在较大台阶时的电连接问题;可以实现真空或气密封装内部结构与器件与外部直接的电连接;完全平面化引线连接,可以实现多层堆叠;可以实现晶圆级的电学连接。

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