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公开(公告)号：CN118707757A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410990464.5
申请日：2024-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种差分热光调制器、调制方法及光芯片，包括：马赫曾德尔干涉结构及热光调制电极，热光调制电极接收调制信号并实现对马赫曾德尔干涉结构中光信号相位的调制；热光调制电极包括第一电极及第二电极，第一电极与第二电极并联，并分别作用于马赫曾德尔干涉结构的第一调制臂波导及第二调制臂波导上；其中，第一调制臂波导与第二调制臂波导的热响应速率和/或去热响应速率不相同。本发明的差分热光调制器、调制方法及光芯片兼顾调制效率和调制速度；一个周期可加载两次信息，调制速率高；且适用范围广。
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公开(公告)号：CN118641033A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410747136.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于超导纳米单光子探测器的光谱仪，包括：单色仪模块、光耦合模块及探测系统；单色仪模块接收待测光谱，并将待测光谱按照波长从空间上进行分离，输出单色光；光耦合模块设置于单色仪模块的输出端，将单色光聚焦并耦合到探测系统中；探测系统基于超导纳米单光子探测器对输入的光信号进行高灵敏度探测。本发明采用超导纳米单光子探测器对待测光谱进行检测，可在宽光谱范围内实现高吸收效率和探测效率，进而解决光谱测量中信号光谱强度微弱、波长范围广的问题。
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公开(公告)号：CN115542583B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202211112142.8
申请日：2022-09-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供一种电光调制器、调制方法及系统，包括：微腔光耦合装置及超导热电极；所述微腔光耦合装置包括微环谐振腔及波导，所述微环谐振腔与所述波导耦合；所述超导热电极覆盖于所述微环谐振腔的部分上方区域，接收直流偏置信号及射频调制信号，用于在所述超导热电极呈有阻态时将所述射频调制信号加载到所述微腔光耦合装置中的光信号中。本发明的电光调制器、调制方法及系统适用于极低温的工作环境(低于超导热电极材料的超导临界温度)；通过将微弱高频电流信号加载到光信号上，实现高频微弱电流信号的电光转换；而且本发明叠加了微腔光耦合装置的高灵敏度和超导材料失超突变的高灵敏度优势，使得高频微弱电流信号的传输高效稳定。
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公开(公告)号：CN117651475A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311664350.3
申请日：2023-12-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供超导纳米线单光子探测器及其制备方法和自对准封装结构，包括：覆盖硅片表面的图形化金属镜层；覆盖金属镜层和硅片表面的第一介质层；平坦化第一介质层；第一介质层上设置超导薄膜；图形化第一介质层和硅片为锁孔形；金属镜层完全覆盖锁孔形的圆形结构。本发明设置金属镜层覆盖圆形结构，使第一介质层无需进行图形化而直接实现平坦化，提高制备效率；同时通过控制金属镜层的刻蚀时间，减小过刻产生的台阶部高度，避免超导薄膜断裂，提高结构可靠性；另外，利用电感耦合等离子体浅硅刻蚀法刻蚀第一介质层，减少对光刻胶掩膜的腐蚀，降低对设备的要求，提高制备效率；最后，通过共用光刻胶掩膜图形化第一介质层和硅片，节约制备成本。
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公开(公告)号：CN117213647A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311182424.X
申请日：2023-09-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种超导光子采集阵列、超导光子数分辨探测器及读取方法，包括：偏置电流产生单元以及N个子单元；N为大于等于2的整数；各子单元依次串联形成串联结构；偏置电路产生单元用于产生偏置电流，并加载在串联结构的一端；各子单元均至少包括一个热点调控结构；各热点调控结构均包括窄纳米线部以及两侧宽纳米线；窄纳米线部用于在偏置电流作用下将吸收的光子数转为热电阻值；各宽纳米线用于限制热电阻的扩散，以保证各热点调控结构的总热电阻值大小与光子线性相关。本发明通过设置热点调控结构，保证能基于热电阻值与光子数之间的线性关系求得光子数，有效提高了光子分辨数及保真度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114553210B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210168023.8
申请日：2022-02-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0175 , H03K19/195 , G01R31/3177
Abstract: 本发明提供一种超导电路与CMOS电路之间的跨温区互联系统、超导测试电路，超导测试电路包括CMOS电路与跨温区互联系统；跨温区互联系统包括衰减模块、放大模块和传输线链路；所述衰减模块的输入端用于连接CMOS电路，所述衰减模块的输出端用于连接所述超导电路；所述衰减模块用于将CMOS电路的CMOS逻辑电平转化处理为超导逻辑电平；所述放大模块的输入端用于连接所述超导电路，所述衰减模块的输出端用于连接所述CMOS电路；所述放大模块用于将超导电路的超导逻辑电平转化处理为CMOS逻辑电平；所述传输线链路用于实现超导电路与CMOS电路之间跨温区的信号传输。本发明能保证测试中超导芯片的高速、动态功能实现。
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公开(公告)号：CN109633540B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201910061731.X
申请日：2019-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种磁源的实时定位系统及实时定位方法，所述定位系统包括：设于不同测点的至少两组磁源定位装置；其中，磁源定位装置包括：安装支架，用于提供安装平台；全张量磁梯度测量组件，设于所述安装支架上，用于同步测量待定位磁源在所述全张量磁梯度测量组件处产生的磁场梯度值；位置定位器，刚性连接于所述全张量磁梯度测量组件，用于测量所述全张量磁梯度测量组件在地理坐标系下的位置信息；测控组件，电连接于所述全张量磁梯度测量组件及所述位置定位器，用于采集所述磁场梯度值及所述位置信息并根据采集的数据对所述待定位磁源进行实时定位。通过本发明解决了现有定位方法中存在虚解或受基线长度限制而无法实现长距离高精度定位的问题。
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公开(公告)号：CN114774874A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210389533.8
申请日：2022-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C14/50 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种FC型接头光纤端面镀膜夹具、系统及使用方法。该FC型接头光纤端面镀膜夹具包括夹具底座和光纤夹具，夹具底座上设置有若干个定位槽，各定位槽为台阶状通孔，定位槽的前半部分设置有用于固定光纤夹具的第一螺纹，光纤夹具的前部设置有与定位槽的第一螺纹相匹配的第二螺纹，光纤夹具的后部设置有与FC光纤接头的螺纹相匹配的第三螺纹，用于固定FC接头光纤，且光纤夹具中间设置有与FC接头光纤陶瓷插芯相匹配的通孔。本发明可以控制光纤端面和监控片上表面完全处于同一水平面，有助于提高光纤端面镀膜的质量和效率；与常规光学镜片镀膜夹具具有良好的兼容性，且结构简单，操作非常方便，可以同时进行光纤端面和镜片镀膜，适用性广。
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公开(公告)号：CN114553210A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210168023.8
申请日：2022-02-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0175 , H03K19/195 , G01R31/3177
Abstract: 本发明提供一种超导电路与CMOS电路之间的跨温区互联系统、超导测试电路，超导测试电路包括CMOS电路与跨温区互联系统；跨温区互联系统包括衰减模块、放大模块和传输线链路；所述衰减模块的输入端用于连接CMOS电路，所述衰减模块的输出端用于连接所述超导电路；所述衰减模块用于将CMOS电路的CMOS逻辑电平转化处理为超导逻辑电平；所述放大模块的输入端用于连接所述超导电路，所述衰减模块的输出端用于连接所述CMOS电路；所述放大模块用于将超导电路的超导逻辑电平转化处理为CMOS逻辑电平；所述传输线链路用于实现超导电路与CMOS电路之间跨温区的信号传输。本发明能保证测试中超导芯片的高速、动态功能实现。
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公开(公告)号：CN113140919A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010064571.7
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种信号传输线及具有信号传输功能的产品，包括传输线、隔热结构和接头；所述传输线的端口连接所述隔热结构；所述隔热结构上设有至少三块用于焊接的焊盘，所述隔热结构上设有导通孔，所述导通孔内壁覆铍铜；每个所述焊盘与至少一个导通孔连通。所述接头焊接于所述焊盘上，所述接头通过所述导通孔与所述传输线连通。本发明提供的信号传输线通过在接头与传输线之间增加隔热结构并将接头与传输线通过隔热结构上的焊盘和导通孔连通，对信号传输线的漏热改善很大，对信号传输性能影响非常小，结构简单，成本低。
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