公开(公告)号：CN110829397A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911167924.X

申请日：2019-11-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 聂子攀 ,  余占清 ,  屈鲁 ,  张翔宇 ,  陈政宇 ,  尚杰 ,  刘佳鹏 ,  周文鹏 ,  任春频

IPC: H02H9/02

Abstract: 本发明公开了一种基于可控磁耦合的有源式柔性直流电网故障限流器，包括：预充电电容模块，用于储存并在柔性直流电网发生短路故障时释放电能，产生电流；磁耦合模块，用于将所述预充电电容模块产生的电流磁耦合转换为与直流电网电压相抵消、限制故障电流的负压。本发明提供了一种基于可控磁耦合的有源式柔性直流电网故障限流器，能够同时满足参数快速变化、快速限流、低损耗和高可靠性的要求。

公开(公告)号：CN110775938A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910973280.7

申请日：2019-10-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 胡军 ,  何金良 ,  韩志飞 ,  薛芬 ,  余占清 ,  曾嵘 ,  张波 ,  李琦

IPC: B81C1/00 ,  G01R3/00 ,  G01R29/08

Abstract: 一种基于逆压电效应的电容-悬臂梁式电场测量传感器件的制备工艺流程，包括硅晶片加工步骤、SOI晶片加工步骤、组合步骤，所述硅晶片加工步骤、SOI晶片加工步骤、组合步骤依次进行。其有益效果是：采用微加工技术制备传感器，实现传感器的小体积和低成本，有利于工业批量生产；制备流程保证了传感器的可靠性；制备过程将压电材料制备技术与硅微加工技术相结合，保证了工艺的兼容性；流程设计保证了工艺步骤的最简化和生产周期的最小化。

公开(公告)号：CN110649094A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910885637.6

申请日：2019-09-19

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵彪 ,  刘佳鹏 ,  周文鹏 ,  曾嵘 ,  余占清 ,  陈政宇

IPC: H01L29/74 ,  H01L21/332

Abstract: 本发明公开了一种GCT芯片结构及其制备方法，GCT芯片结构包括引出阳极的P+发射极、与P+发射极贴合的n+缓冲层、与n+缓冲层相贴合的n漂移区，GCT芯片结构还包括：第一P+区域、第二P+区域及n+发射极，第一P+区域与n漂移区相贴合；第二P+区域与第一P+区域相贴合；n+发射极与第二P+区域连接，n+发射极引出阴极，第二P+区域引出门极，阴极与门极具有高度差，高度差的范围为0-10μm。

公开(公告)号：CN110634851A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201911006785.2

申请日：2019-10-22

Applicant: 清华四川能源互联网研究院 ,  清华大学

Inventor： 蔡放 ,  曾嵘 ,  陈政宇 ,  余占清 ,  尚杰 ,  周雁南 ,  张英成 ,  白羽

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/10 ,  H01L23/16

Abstract: 本发明提供了一种晶体管压接封装结构，涉及电力电子开关技术领域。所述晶体管压接封装结构包括第一压接块、第二压接块、弹力压接组件、电路板和晶体管；所述第一压接块与所述第二压接块相对压合设置，所述弹力压接组件、所述电路板和所述晶体管设置在所述第一压接块与所述第二压接块之间，所述弹力压接组件将所述晶体管压接在所述电路板上。这样，结构简单、可靠性高、空间利用率高，而且后期加工封装、拆卸和维护方便。

公开(公告)号：CN110535166A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910962667.2

申请日：2019-10-11

Applicant: 清华大学 ,  国网北京市电力公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 宋强 ,  曾嵘 ,  孟经伟 ,  赵彪 ,  余占清

IPC: H02J3/36 ,  H02J1/10

Abstract: 本发明涉及一种混合串联多落点直流输电系统，属于直流输电技术领域。本发明输电系统包括一个送端交流电网、晶闸管整流器、直流线路、单向电流型全桥模块化多电平换流器、三相交流变压器和受端交流电网；单向电流型全桥模块化多电平换流器的交流输出端分别通过相对应的三相交流变压器连接到受端交流电网；单向电流型全桥模块化多电平换流器的直流端依次串联连接，再通过直流线路连接到晶闸管整流器的直流端；晶闸管整流器的交流端接入送端交流电网。本发明针对远距离大容量混合直流输电功率单向输送的特点，各受端电网换流器采用单向电流型全桥模块化多电平换流器实现交直流的功率转换，使受端电网换流器的成本更低、紧凑化程度更高。

公开(公告)号：CN110456237A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201910655391.3

申请日：2019-07-19

Applicant: 清华大学 ,  中国电力科学研究院有限公司 ,  国网陕西省电力公司电力科学研究院 ,  国网北京市电力公司

Inventor： 张波 ,  再木然·乌斯曼 ,  康鹏 ,  李中新 ,  时卫东 ,  王森 ,  李志忠 ,  马慧远 ,  王乐平 ,  何金良 ,  曾嵘 ,  胡军 ,  余占清 ,  庄池杰

IPC: G01R31/12 ,  G01R1/06

Abstract: 本发明输电线路现场人工雷击实验中减小注入电流波形波头时间的系统及方法，所述系统包括冲击电流器、被测杆塔、电压测量探头、示波器；述冲击电流发生器设置有接地端、回流极、输出端；所述接地端通过所述回流极与大地相连；所述系统还包括扁铜线；所述冲击电流发生器输出端通过扁铜线与被测杆塔顶部相连。与使用沉重的扩径导线相比，本发明使用扁铜线的弧垂更小，和被测杆塔之间的耦合小，测量结果更为准确；更容易满足对地安全距离要求，防止出现对地放电等危险情况；且取材简单，成本低廉，只需普通的扁铜线即可满足试验条件。本发明可以实现在人工雷击试验现场减小注入电流波形的波头时间，更准确的体现输电线路的冲击特性。

公开(公告)号：CN110135116A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910498411.0

申请日：2019-06-10

Applicant: 清华大学 ,  国家电网有限公司 ,  国网北京市电力公司

Inventor： 胡军 ,  赵根 ,  欧阳勇 ,  吴阳 ,  王博 ,  张波 ,  余占清 ,  曾嵘 ,  何金良 ,  马慧远 ,  于希娟

IPC: G06F17/50

Abstract: 一种单根线电流的三维参数重建方法，包括模型建立步骤、数据处理步骤、参数繁衍步骤，所述模型建立步骤、数据处理步骤、参数反演步骤依次进行。其有益效果是：简化了反演计算过程，并提高了参数的计算精度，有效避免了非线性优化求解中陷入局部最优解。在一定程度上可以替代目前传统的线电流测量方式，在所有线电流参数均为未知的情况下，快速得到准确的参数重建结果。

公开(公告)号：CN107257116B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201710464180.2

申请日：2017-06-19

Applicant: 清华大学

Inventor： 何金良 ,  胡军 ,  赵孝磊 ,  杨霄 ,  余占清 ,  曾嵘 ,  张波 ,  李琦

IPC: H02G3/22 ,  H02G3/04

Abstract: 一种采用非线性电导复合材料均压结构的穿墙套管，包括导杆，所述导杆为杆状结构，所述导杆的外侧包裹有均压层，所述均压层外包裹有限流层，所述限流层外包裹有硅橡胶伞群护套，所述限流层内镶嵌有电极延伸层。其有益效果是：通过采用非线性电导复合材料作为均压层与电极延伸层来均匀主绝缘内部及法兰附近的场强，不仅很好地解决了主绝缘发生击穿和法兰处发生闪络的问题，同时也使得穿墙套管尺寸得到减小，套管的散热性能得到明显改善，生产工艺得到很大的简化，效率与经济效益得到提升。

公开(公告)号：CN110112721A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910435398.4

申请日：2019-05-23

Applicant: 清华大学

Inventor： 余占清 ,  曾嵘 ,  屈鲁 ,  王晓蕊 ,  陈政宇 ,  张翔宇 ,  姚大伟

IPC: H02H9/04 ,  H02J1/00

Abstract: 本发明公开了一种直流配电网系统内部过电压防护方法及依照该防护方法搭建的直流配电网系统内部过电压防护系统。该方法对直流配电网系统内部的避雷器按照如下原则进行配置：1)交流侧过电压由交流侧避雷器限制；2)直流侧过电压由直流侧避雷器限制；3)系统关键设备由紧靠它的避雷器直接保护。依照该防护方法搭建的直流配电网系统内部过电压防护系统包括配置有避雷器的多端口电力电子变压器的中压交流端口、多端口电力电子变压器的中压直流端口、多端口电力电子变压器的低压交流端口、多端口电力电子变压器的低压直流端口、电压源换流器、直流断路器。

公开(公告)号：CN106556810B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201611025137.8

申请日：2016-11-18

Applicant: 清华大学 ,  清华四川能源互联网研究院

Inventor： 何金良 ,  欧阳勇 ,  胡军 ,  王善祥 ,  赵根 ,  王中旭 ,  曾嵘 ,  庄池杰 ,  张波 ,  余占清

IPC: G01R33/12

Abstract: 本发明涉及静态特征优化技术领域，公开了一种基于内部偏置场难轴方向的磁阻静态特性优化方法。具体包括以下步骤：步骤1、将易轴偏置场设置为恒定值，设置难轴偏置场的取值获取传感曲线；步骤2、选取特定的磁场测量范围的最大值hFM，将传感曲线经过目标函数优化，获取灵敏度k、偏置b和绝对误差Err；步骤3、选取不同的磁场测量范围的最大值hFM，重复步骤2；步骤4、选取不同的难轴偏置场的取值，重复步骤1‑3，获取在同一个二维坐标A的N条绝对误差Err与磁场测量范围的关系曲线；步骤5、根据所述二维坐标获取特定磁场测量范围和特定的易轴偏置场下使得绝对误差最小的难轴偏置场相应值。通过调节难轴偏置场，获得更大的线性区域。