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公开(公告)号：CN113098457B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202110252175.1
申请日：2021-03-08
Applicant: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC: H03K17/16
Abstract: 本发明提供一种基于饱和电抗器的快恢复二极管小电流振荡抑制方法，所述采用带磁芯的饱和电抗器构造半导体器件功率模块，所述带磁芯的饱和电抗器通过如下步骤获得：A、对于所述半导体器件功率模块，以空芯可调电抗作为换流电抗器，调节所述空芯可调电抗的电抗值为在发生一开关行为时不使所述半导体器件功率模块换流时损坏的第一预期值；B、反复增大所述空芯可调电抗的感值，直到任何电流下开关行为都不会导致低电流振荡，确认此时所述空芯可调电抗的感值L；C、基于所述步骤B中得到的感值L，确定所述带磁芯的饱和电抗器不饱和时的感值，以设计所述带磁芯的饱和电抗器。本发明所实现的IGCT模块体积小，振荡抑制效果好，效率高。
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公开(公告)号：CN109686786B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201811615517.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种集成门极换流晶闸管，依次包括p基区、n基区、n+缓冲层、p+发射极，还包括设于p+发射极的阳极、设于p基区上的门极、设于p基区上的n+发射极梳条和设于n+发射极梳条上的阴极，该集成门极换流晶闸管在芯片层面具有区域隔离的阴极结构，进一步具有与之配套的封装和门极驱动电路，抑制安全工作区域边界附近不同阴极区域间的电流汇聚效应，拓展器件的安全工作区域。本发明还提供一种集成门极换流晶闸管的制备方法。
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公开(公告)号：CN110767643B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201810827090.X
申请日：2018-07-25
Applicant: 清华大学
IPC: H01L25/16 , H01L23/48 , H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种电气器件，所述电气器件包括：功率半导体元件，所述功率半导体元件的控制电极和电流电极成环形布置，且所述控制电极设置在环形外圈，所述电流电极设置在内圈；驱动模块，所述驱动模块包括至少一个开关元件，用于驱动所述功率半导体元件；一个或多个第一导电块，设置于所述功率半导体元件的一侧，用于提供开关元件到所述电流电极的连接；一个或多个弹性结构，所述弹性结构包括基座、辅助弹片以及弹簧。该电气器件具有换流回路面积小，换流回路杂散电感低，以及换流速度快的特点，且该电气器件中的弹性结构为导电块与电路板的接触面提供了压力，减小了接触电阻，并可以限制开关元件表面受到的压力上限值。
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公开(公告)号：CN112737384B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202011603833.9
申请日：2020-12-30
Applicant: 中国长江三峡集团有限公司 , 清华大学 , 西安西电电力系统有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于IGCT的模块化多电平换流器的关断震荡抑制方法，包括步骤：改变模块化多电平换流器的连接结构，得到杂散电感；绘制振荡幅‑频实验曲线；选择目标杂散电感，规避共振区间频率。本发明的基于IGCT的模块化多电平换流器的关断震荡抑制方法通过可变杂散电感结构实验提取共振频率和共振幅值，实现激励源频率和回路结电容的耦合分析，得到共振幅‑频实验曲线，根据共振幅‑频实验曲线，优化结构设计从而改进杂散电感，规避共振频率点，抑制IGCT器件的关断震荡过冲电流，保证IGCT器件的最大的安全工作区。
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公开(公告)号：CN110907786B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201811083979.8
申请日：2018-09-17
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种对物理封装晶闸管器件的电热耦合特性进行测量方法，所述方法包括：步骤1、物理封装晶闸管器件进行恒温处理，以达到预定温度；步骤2、利用测量回路测量所述物理封装晶闸管的以下参数中的一个或多个：门阴极电压、门阴极电流、阳极电流和阴阳极电压；步骤3、将所述预定温度增加一定的温度值，返回步骤2；步骤4、基于获得的上述参数进行拟合，以形成拟合曲线。本发明提供的测量方法实现了对IGCT/ETO等器件的电热耦合特性进行测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113451387A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010215412.2
申请日：2020-03-24
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/74
Abstract: 本发明属于电力半导体器件领域，公开了一种用于过压击穿功能的缓冲区变掺杂结构及半导体器件，缓冲区变掺杂结构设置于半导体器件内，当半导体器件承受击穿电压时，通过缓冲区变掺杂结构承受半导体器件产生的电场，使得电场击穿所述缓冲区变掺杂结构。本发明采用局部穿通原理实现过压可控击穿，具有温度稳定性好、工艺易实现、击穿电压一致性好、穿通点位置可控的优势。
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公开(公告)号：CN112834894A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110017165.X
申请日：2021-01-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种用于半导体电流密度反演的磁场测试装置，包括磁场测试组件和压接组件；所述压接组件压接被测半导体芯片；所述磁场测试组件对压接的被测半导体芯片进行磁场强度测定，从而解决现有大功率压接式半导体器件通常为圆饼状或者方形封装的密封结构，受限于这种密封结构，难以探测到内部的电流密度分布情况的问题。
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公开(公告)号：CN112599587A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011443412.4
申请日：2020-12-08
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明属于功率半导体器件测试领域，特别涉及一种具有缓冲层结构的半导体器件，包括依次设置的第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域、第三掺杂剂区域，还包括择一或多个组合设置的上掺杂剂区域、下掺杂剂区域、中部掺杂剂区域；所述上掺杂剂区域位于第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域之间；所述下掺杂剂区域位于第二掺杂剂区域和第三掺杂剂区域之间；所述中部掺杂剂区域位于第二掺杂剂区域中间，本发明的优点在于，能够实现较小的漏电流，从而提高器件的耐压能力，以及可运行的最高结温，增大器件的通流能力。
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公开(公告)号：CN112067877A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010783194.2
申请日：2020-08-06
Applicant: 清华大学
IPC: G01R19/00 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了一种用于测试门极电流的功率半导体器件，包括功率半导体芯片和管壳，所述功率半导体芯片包括多个第一绝缘层和多个子门极环形电极，所述第一绝缘层将功率半导体芯片的门极公共金属区分割为多个子门极公共金属区，所述多个子门极公共金属区分别与多个子门极环形电极一一对应连接；所述管壳包括多个子门极接触环和多个子绝缘座内金属环，并均与所述多个子门极环形电极一一对应设置；所述管壳门极槽外侧的阴极铜块上设置有多个方形槽，所述多个方形槽中均设置有门极引出条，以分别引出相应子门极环形电极上的门极电流。上述功率半导体器件能够有效地引出对功率半导体芯片内部不同阴极条形区域的门极电流，从而达到测量的目的。
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公开(公告)号：CN109600966B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201811436322.5
申请日：2018-11-28
Applicant: 清华大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
Abstract: 本发明提供了一种可用于固态式直流断路器的散热装置，所述散热装置包括散热组件；所述散热组件包括基座、热管和散热片，所述热管的一端和所述基座连接，所述热管的另一端贯穿套接在所述散热片中；所述基座内设置有空腔，所述空腔的上下端均设置有固定板。本发明通过一组散热组件对应一组电力电子阀组，提高了散热装置的散热效果。
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