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公开(公告)号:CN118355563A
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN202280080225.5
申请日:2022-12-02
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01Q15/02
Abstract: 复合谐振器包含:在第1面方向扩展的第1导电体;与第1导电体在第1方向分离且在第1面方向扩展的第2导电体;与第2导电体在所述第1方向分离且在所述第1面方向扩展的第3导电体;和与第3导电体在第1方向分离且在第1面方向扩展的第4导电体;和沿着第1导电体、第2导电体、第3导电体和第4导电体的周围设置多个的与第1方向平行的连接导体。多个连接导体构成为将第1导电体、第2导电体、第3导电体和第4导电体电磁连接。
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公开(公告)号:CN118284826A
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202280076000.2
申请日:2022-11-07
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: G01S13/58 , G01S7/02 , G01S13/34 , A61B5/0245 , A61B5/11
Abstract: 电子设备具有:发送天线,发送发送波;复数个接收天线阵列,分别包括复数个接收发送波被反射后的反射波的接收天线;以及信号处理部,基于作为发送波发送的发送信号以及作为反射波接收的接收信号,检测反射发送波的对象的位移。复数个接收天线阵列配置成分别为不同的朝向。信号处理部对由复数个接收天线阵列分别检测出的对象的位移进行合成。
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公开(公告)号:CN113826041B
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202080031020.9
申请日:2020-04-01
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: G02B27/28 , G02B6/125 , G02B6/42 , H01S5/02326
Abstract: 本公开的光隔离器(10)包括基板(11)和位于基板(11)上的光波导(12)。光波导(12)包括第一端部(13)、阵列状排列的多个第二端部(14)以及位于第一端部(13)和多个第二端部(14)之间的至少一个分支部(18)。光波导(12)局部具有非互易性,对第一端部(13)和至少两个第二端部(14)之间提供不同的非互易性的相移量。
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公开(公告)号:CN118160174A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202280072278.2
申请日:2022-10-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01S5/02315 , G02B6/42 , H01L23/02
Abstract: 半导体封装体具有:基体、固定构件、以及将基体和固定构件接合的接合构件。基体具有:基部,具有第一顶面;以及框部,位于第一顶面,并且具有内侧面、外侧面和沿第一方向从外侧面贯通至内侧面的开口部。固定构件具有:第一部,位于开口部;第二部,与第一部连续并位于第一部的外侧面侧;以及贯通孔,沿第一方向贯通第一部以及第二部。接合构件位于第一部与开口部之间。从与第一方向交叉的剖面观察,开口部具有至少一部分包含第一直线部的形状,并且第一部具有与第一直线部相对地配置的第二直线部的形状,从与第一方向交叉的剖面观察时的接合构件的厚度在第一直线部与第二直线部之间最薄。
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公开(公告)号:CN118159375A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202280071308.8
申请日:2022-10-11
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor: 永江伸
Abstract: 切削刀片具有上表面及下表面。上表面具有第一角、第一边、前刀面和立起面。立起面具有:第一凹部,其相对于第一边凹陷;第一凸部,其位于比第一凹部远离第一角的位置;第二凸部,其位于第一凸部与第一边之间;以及第一台阶部,其位于第一凸部与第二凸部之间。第一凸部具有位于最接近第一边的位置的第一前端部。与第一边正交且包含第一前端部的截面为第一截面。在第一截面中,第二凸部位于比第一凸部靠近下表面的位置。
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公开(公告)号:CN118139707A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202280067075.4
申请日:2022-10-06
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 本公开的刀片(1)具有基体(2)和将基体(2)的表面涂覆的涂层(3)。基体(2)由金属陶瓷构成。涂层(3)由Ti1‑a‑b‑c‑dAlaMbWcSid(CxN1‑x)构成,其中,金属元素M是从Nb、Mo、Ta、Hf、Y中选择的一种以上的金属元素,且0.40≤a≤0.55、0.01≤b≤0.1、0.01≤c≤0.1、0.01≤d≤0.05、0≤x≤1。另外,本公开的一方案的刀片(1)在基体(2)与涂层(3)之间配置有含有Ti的中间层(4)。中间层(4)的平均厚度为20nm以上且80nm以下。
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公开(公告)号:CN115066772B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202180013650.8
申请日:2021-06-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01M8/0228 , H01M8/0206 , H01M8/0215 , H01M8/0236 , H01M8/0245 , H01M8/04 , H01M8/12 , H01M8/2475 , C25B13/04
Abstract: 导电构件具有基材以及位于基材上且含有第一元素的覆盖部。基材含有铬。第一元素的第一电离能比铬小并且第一元素的氧化物的生成自由能的绝对值比铬小。
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