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公开(公告)号：CN103762094A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201310737244.3
申请日：2013-12-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了提供了一种制造活性碳电化学电容器电极材料的方法，包括：将石墨材料进行研磨处理，获得石墨材料粉末；将石墨材料粉末在酸性条件下进行超声破碎处理，获得活性碳材料；将活性碳材料分散于分散溶剂中，获得第一分散溶液；用第一分散溶液进行电化学沉积，形成活性碳薄膜层。本发明实施例中提供的制造活性碳电化学电容器电极材料的方法，效率高、过程简单、成膜稳定性好。
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公开(公告)号：CN103337381A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310279461.2
申请日：2013-07-05
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造柔性电极的方法，包括：将高氯酸盐和3,4-乙撑二氧噻吩单体溶于乙腈溶液中，获得聚合电解液；用石墨烯纸制作基片；将基片浸入聚合电解液中作为工作电极进行电化学聚合处理，在基片上形成聚氧噻吩薄膜电极层；将基片清洗并干燥，获得柔性电极。本发明的实施例的方法中，利用柔性石墨烯纸的重量轻，强度好，硬度高等特点，作为超级电容器电极基底，再在石墨烯纸上电化学聚合聚噻吩电极，形成双电层/赝电容互补的石墨烯纸的导电聚噻吩柔性电极，该柔性电极柔性好，比容量高、质量轻，非常适合制成各类组装电动车用的超级电容器。
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公开(公告)号：CN103289063A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310235014.7
申请日：2013-06-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造聚噻吩基氧化石墨烯还原复合材料的方法，包括：将氧化石墨烯片分散在第一溶剂中；加入噻吩单体；加入氧化剂溶液，并冰浴反应；加入还原剂溶液，充分搅拌之后水浴反应；去除杂质离子，然后过滤并干燥滤出物，获得所述聚噻吩基氧化石墨烯还原复合材料。本发明的实施例的方法中，利用氧化石墨烯（GO）的优良的分散性，将氧化石墨烯良好分散于溶液中，形成空间夹层结构，再将噻吩单体(EDOT)分散吸附于氧化石墨烯片上，聚合形成聚噻吩-氧化石墨烯（PEDOT-GO）复合材料，再将GO还原，形成聚噻吩-石墨烯（PEDOT-GN）复合材料，制备过程简单，制得的复合材料综合性能优异。
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公开(公告)号：CN103198934A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310112885.X
申请日：2013-04-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01G11/86
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造复合薄膜电极材料的方法，包括：在基板上电化学聚合形成聚3,4-乙撑二氧噻吩修饰薄膜电极层；将石墨烯加入甲基苯磺酸铁和异丙醇的混合溶液中，获得涂敷溶液，并将涂敷溶液在聚3,4-乙撑二氧噻吩修饰薄膜电极层上涂敷至少三层并退火处理，获得中间复合薄膜；然后将中间复合薄膜在3,4-乙撑二氧噻吩单体气氛中进行气相沉积处理，获得复合薄膜电极材料。本发明的实施例中的制造复合薄膜电极材料的方法，效率高，过程简单，其制得的复合薄膜电极材料具有比电容高，循环稳定性好等优点，适用于超级电容器电极材料。
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公开(公告)号：CN102709052A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210205760.7
申请日：2012-06-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造纳米电容器的方法，包括：在基片上形成至少一层金属纳米粒子层；在该至少一层金属纳米粒子层中的金属纳米粒子表面形成介电材料层；在介电材料层上沉积聚合物复合材料以形成聚合物复合材料层。本发明实施例中，在基片上形成金属纳米粒子层，然后在基片上的金属纳米粒子的表面形成介电材料层，然后再在该介电材料层的表面形成聚合物复合材料层，这样形成了金属纳米粒子-介电材料层-聚合物复合材料层结构的纳米电容器。这样形成的金属纳米粒子层的金属纳米粒子密度高，比表面积大，因此形成的纳米电容器能量密度高，而且可以实现大面积纳米电容器阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102632675A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210112271.7
申请日：2012-04-17
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01G4/206
Abstract: 本发明公开了一种纳米复合介电薄膜的制备方法，首先通过Langmuir-Blodgett(LB)膜法获得聚合物介电薄膜，然后采用LB膜法在聚合物介电薄膜上制备高介电无机/有机复合纳米粒子薄膜，最后在复合纳米粒子薄膜上通过LB膜方法制备聚合物介电薄膜，从而形成一种纳米粒子分散于聚合物的高介电复合薄膜材料。该方法所制备的聚合物-纳米粒子复合介电薄膜材料克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN102623174A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210112200.7
申请日：2012-04-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01G4/00
Abstract: 本发明公开了一种高能量密度电容器的制备方法，首先通过真空沉积方法在多孔聚碳酸酯材料内制备金属薄膜，然后在金属膜表面通过原子层沉积的方法制备纳米介电薄膜作为电容器电介质材料，最后在介电薄膜上通过原子层沉积方法获得纳米薄膜作为电极，形成一种金属-绝缘体-金属的纳米电容器结构。该方法所制备的电容器具有纳米超薄结构，使得电容器具有大的能量密度，同时该电容器制备技术克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN102412016A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110191364.9
申请日：2011-07-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种导电聚合物有序微/纳米结构阵列的制备方法，首先通过LB膜方法获得导电聚合物单体有序薄膜，然后通过刻蚀方法在单体薄膜上得到聚合物单体有序化阵列结构，最后采用化学原位聚合的方法获得导电聚合物有序微/纳米结构阵列。该方法所制备的聚合物微/纳米结构阵列化技术克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN102358610A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110191360.0
申请日：2011-07-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种导电聚合物一维纳米结构阵列的制备方法，首先通过旋涂方法获得氧化剂薄膜，然后通过刻蚀的方法获得氧化剂一维纳米结构阵列，最后采用化学原位聚合的方法将获得的氧化剂一维纳米结构阵列暴露于导电聚合物单体气氛中引发聚合，从而获得导电聚合物一维纳米结构阵列。该方法所制备的聚合物纳米结构阵列化技术克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN101423335B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810045647.0
申请日：2008-07-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种导电聚合物有序纳米薄膜的制备方法，包括表面活性剂有序膜和表面活性剂/导电聚合物复合有序膜的制备。本发明的特点是，通过一种修饰Langmuir-Blodgett(LB)有序纳米薄膜的方法，利用纳米薄膜中提供的活性点来固定氧化剂，并采用单体气体扩散吸附并聚合的方法得到导电聚合物多层有序纳米薄膜。本发明中得到的导电聚合物复合纳米薄膜层状有序，导电性能好，多层膜层间距可调控。本发明可用于制备高导电聚合物膜及气体传感器敏感薄膜。
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