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公开(公告)号：CN110031094A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910334409.X
申请日：2019-04-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高单光子探测器的光子数分辨率能力的系统及方法,包括：若干个单光子探测器；若干个读出电路，各读出电路的输入端与各单光子探测器的输出端一一对应连接；若干个电平转换电路，各电平转换电路的输入端与各读出电路的输出端一一对应连接；合路器，合路器的输入端与各电平转换电路的输出端相连接。本发明的提高单光子探测器的光子数分辨率能力的系统可以将响应光子数较多时将读出电路的输出信号中波峰与波峰之间区分开，从而可以获得高光子数分辨探测动态范围；可以在保证单光子探测器探测效率的同时，提高单光子探测器的信噪比，从而提高单光子探测器统计数据的准确性。
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公开(公告)号：CN109962120A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201910274713.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种跟瞄与通讯一体化超导纳米线单光子探测器，包括：第一超导纳米线单光子探测器，即通信专用单光子探测器；超导纳米线单光子探测器阵列，包括多个第二超导纳米线单光子探测器，多个第二超导纳米线单光子探测器位于第一超导纳米线单光子探测器外围；超导纳米线单光子探测器阵列用于跟瞄定位入射光的光斑是否偏离第一超导纳米线单光子探测器的光敏面。本发明的跟瞄与通讯一体化超导纳米线单光子探测器可以通过光计数反馈实时调整光斑的位置，以确保入射光的光斑与第一超导纳米线单光子探测器的光敏面对准，确保跟瞄与通讯一体化超导纳米线单光子探测器具有较高的耦合效率。
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公开(公告)号：CN109633540A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910061731.X
申请日：2019-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01S5/06 , G01S5/0257 , G01S5/14 , G01S5/145
Abstract: 本发明提供一种磁源的实时定位系统及实时定位方法，所述定位系统包括：设于不同测点的至少两组磁源定位装置；其中，磁源定位装置包括：安装支架，用于提供安装平台；全张量磁梯度测量组件，设于所述安装支架上，用于同步测量待定位磁源在所述全张量磁梯度测量组件处产生的磁场梯度值；位置定位器，刚性连接于所述全张量磁梯度测量组件，用于测量所述全张量磁梯度测量组件在地理坐标系下的位置信息；测控组件，电连接于所述全张量磁梯度测量组件及所述位置定位器，用于采集所述磁场梯度值及所述位置信息并根据采集的数据对所述待定位磁源进行实时定位。通过本发明解决了现有定位方法中存在虚解或受基线长度限制而无法实现长距离高精度定位的问题。
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公开(公告)号：CN108735851A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710257382.X
申请日：2017-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种可降低恢复时间的超导纳米线单光子探测器件及制作方法，所述可降低恢复时间的超导纳米线单光子探测器件包括：超导纳米线；石墨烯结构，所述石墨烯结构结合于所述超导纳米线的底部。本发明通过在超导纳米线单光子探测器件中集成石墨烯结构，由于石墨烯具有高热导率和超快的载流子弛豫过程，克服了以往超导材料能量弛豫能力不足的难题，加速超导纳米线单光子探测器件能量弛豫过程，从而降低了超导纳米线单光子探测器件的恢复时间。
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公开(公告)号：CN108666388A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710207615.5
申请日：2017-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；反射镜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述反射镜的表面；光学薄膜滤波器，位于所述超导纳米线远离所述反射镜的一侧，且与所述超导纳米线具有间距。本发明通过在超导纳米线下方设置所述反射镜，可以将光直接耦合到超导纳米线上，可以对目标波长具有较高的吸收效率，有效提高了器件探测效率；同时，本发明通过设置光学薄膜滤波器，可以对非目标波长滤波，进而有效抑制黑体辐射造成的暗计数；此外，本发明的集成光学薄膜滤波器的光学薄膜滤波器与其他结构分离设置，可重复使用，从而降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108051405A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711189276.9
申请日：2017-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明提供一种光学胶折射率测量器件、测量系统及测量方法，所述光学胶折射率测量器件包括：衬底；微纳光纤，位于贴置于所述衬底的上表面，且所述微纳光纤的两端延伸至所述衬底的外侧；光学胶，位于所述衬底的上表面，且固化包覆于所述微纳光纤的外围。本发明可用于低温条件下对光学胶折射率进行测量，低温条件的温度可以达到约2K（开尔文）；本发明对待测量的光学胶的形状没有要求，使用更加灵活方便；本发明的器件、系统结构简单，便于操作，测量结构稳定性及准确性较高。
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公开(公告)号：CN107910400A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711101757.X
申请日：2017-11-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一衬底；于所述衬底表面形成具有应力的超导纳米线；基于所述具有应力的超导纳米线制备超导纳米线单光子探测器。基于上述技术方案，本发明提供的超导纳米线单光子探测器保证器件材料层薄膜具有一定厚度的同时，可以降低器件材料的临界温度，并保证了器件材料的均一性及较小的转换温度宽度，提高器件的探测效率。
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公开(公告)号：CN107507884A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710678412.4
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , G01J11/00 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L31/09 , B82Y30/00 , G01J11/00 , H01L31/02327
Abstract: 本发明提供一种宽谱超导纳米线单光子探测器件，所述宽谱超导纳米线单光子探测器件包括：衬底；反射镜，位于所述衬底表面；叠层结构，位于所述反射镜表面；所述叠层结构中包括至少两层上下间隔排布的超导纳米线。本发明的宽谱超导纳米线单光子探测器件通过在反射镜上设置包括至少两层上下间隔排布的超导纳米线的叠层结构，可以实现两层或多层超导纳米线的吸收，从而拓展所述宽谱超导纳米线单光子探测器件的高效吸收带宽，具有较高的吸收效率。
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公开(公告)号：CN107507883A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710678394.X
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/0216 , G01J11/00 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L31/09 , B82Y30/00 , G01J11/00 , H01L31/0216 , H01L31/02327
Abstract: 本发明提供一种晶须单光子探测器件，所述晶须单光子探测器件包括：衬底；功能结构层，所述功能结构层位于所述衬底表面；所述功能结构层至少包括一层晶须。本发明的晶须单光子探测器件使用晶须替代现有超导纳米线单光子探测器件中的超导纳米线，本发明的晶须单光子探测器件即具有现有超导纳米线单光子探测器件的一切功能，同时，晶须具有很好的柔性，具有较高的临界电流密度，且在弯曲和外场强下其临界电流密度不会明显变化，大大提高了晶须单光子探测器件的实用性。
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公开(公告)号：CN103245424B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210024730.6
申请日：2012-02-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法及装置，所述SNSPD系统包括SNSPD器件和偏置树；所述偏置树具有DC端口、DC&RF端口、RF端口；所述偏置树的DC&RF端口与SNSPD器件的一端相连，SNSPD器件的另一端接地；所述提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法为：在所述DC端口与SNSPD器件的接地端之间连接一电阻。本发明操作简单，不改变器件结构，不需要增加滤波电路或屏蔽，仅需并联适当阻值的电阻就能提高系统抗电干扰能力，成本低；不改变探测电脉冲信号的形状、幅度与宽度；不会形成反射脉冲从而影响器件性能；不影响探测系统的暗计数率及量子效率。
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