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公开(公告)号：CN102916060B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210435963.5
申请日：2012-11-05
申请人： 南开大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/076 , H01L31/18 , H01L31/20 , C23C16/44
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 一种硅基薄膜电池太阳电池，以具有种子层结构的n型纳米晶硅氧材料作为背反射电极，n型纳米晶硅氧材料的结构式为nc-SiOx:H，厚度为20-100nm，硅基薄膜太阳电池的类型为p/i/n型单结或多结；该硅基薄膜电池太阳电池的制备方法是：沉积完薄膜电池后，通过等离子处理电池的n型非晶硅层后制备n型nc-Si:H种子层，然后制备n型nc-SiOx:H材料。本发明的优点是：n型nc-Si:H种子层的加入可以提高材料的晶化率和电导率，减小电池串联电阻，降低制备难度；该材料用于硅基薄膜太阳电池背反射电极具有与ZnO相近的背反射效果，不仅提高了电池的入射光利用率，而且可降低硅基薄膜太阳电池制备成本。
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公开(公告)号：CN103981937A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410220809.5
申请日：2014-05-23
申请人： 南开大学
摘要： 一种用于光伏电站的节水装置，包括水收集器、输水器、污水处理器和储水器，水收集器为半圆形或方形管道，通过支架固定于太阳电池组件下端；输水器的一端与水收集器密封连接，另一端与污水处理器的进水口密封连接；污水处理器为圆筒型容器或水泥砌成的沉淀池，通过管道与储水器的进水口连接；储水器为圆筒型容器或水泥砌成的储水池，储水器的外壁与内壁之间填充有石棉保温层，侧壁的上方设有进水口及溢水口，下方设有出水口及排水阀。本发明的优点是：该装置装置简单可靠、成本低、易于实施，用于太阳电池组件清洗中水资源可循环利用，且可收集雨水和雪水，最大程度上节约了水资源，可用于新建和已建成太阳能电站上。
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公开(公告)号：CN103928573A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410169980.8
申请日：2014-04-25
申请人： 南开大学
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L31/186
摘要： 一种用于制备太阳电池的硅片磷铝变温吸杂方法，步骤如下：将衬底硅片依次进行去损伤层、超声清洗后，在硅片正反两面先涂覆磷源，再蒸镀铝膜；然后采用氮气气氛保护下热处理依次进行一次吸杂、二次吸杂；冷却至室温后，放入氢氟酸和硝酸的混合液中腐蚀以去除吸杂层即可。本发明的优点是：该吸杂方法在磷铝吸杂基础上引入变温工艺，通过不同温度对吸杂的各个过程实现有效控制，充分利用磷吸杂和铝吸杂各自的优势；工艺简单易于实现，无需增加其他设备；吸杂效果明显，经吸杂处理后，硅片少子寿命有明显提升，同时在满足吸杂效果的前提下减少了工艺周期。
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公开(公告)号：CN103227226A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310169458.5
申请日：2013-05-09
申请人： 南开大学
IPC分类号： H01L31/052
CPC分类号： Y02E10/52
摘要： 一种光子晶体非晶硅薄膜太阳电池，由衬底、一维光子晶体背反射器、背电极、n型氢化非晶硅、本征氢化非晶硅、p型氢化非晶硅和前电极组成叠层结构，其中一维光子晶体背反射器是由低折射率介质和高折射率介质周期性交叠构成，周期数大于等于两个周期，背电极和前电极为高透过、高电导、低吸收的透明导电膜并作为电流引出电极。本发明的优点是：该光子晶体非晶硅薄膜太阳电池，克服了采用Ag背电极成本高，采用其他金属背电极反射率不够的问题，保证高效率的同时降低原材料成本。同时还克服了采用金属背电极引入的一系列问题，有助于提高电池开路电压，提升电池稳定性。因与电池工艺兼容，还有助于降低设备投资和厂房面积，提升产能。
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公开(公告)号：CN102168256B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110066989.2
申请日：2011-03-21
申请人： 南开大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO：B薄膜，利用MOCVD技术，以玻璃基片为衬底，以二乙基锌和水为原料，以硼烷作为掺杂气体，在玻璃基片上先生长未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜；然后同样利用MOCVD技术，在上述薄膜基础上分阶段梯度掺杂生长ZnO，制备玻璃基片/未掺杂B或低B掺杂ZnO/正常B掺杂ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是：通过初期生长未掺杂或者低B掺杂ZnO薄膜，而后采用正常情况下的掺杂，实现大晶粒尺寸，高可见光及近红外透过率的ZnO薄膜。该薄膜适合应用于p-i-n型Si基薄膜太阳电池，尤其是a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池，可进一步提高Si薄膜电池的性能。
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公开(公告)号：CN102242345B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110178404.6
申请日：2011-06-29
申请人： 南开大学
摘要： 一种直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜的方法，通过调控溅射气氛中氢气含量，利用氢等离子的刻蚀及辅助迁移作用，实现采用磁控溅射氧化锌陶瓷靶材直接制备具有良好陷光特性的高绒度氧化锌透明导电薄膜。本发明有益效果是：制备绒面氧化锌透明导电薄膜，具有低电阻率、高的宽光谱透过率和高散射绒度，在550nm处散射绒度可达15-60%，同时保持方块电阻小于6Ω/□；直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜，可避免后腐蚀工艺带来的大面积均匀性难于控制的问题，同时具有良好的可重复性，利于大面积工业化生产；该薄膜可直接应用于单节及叠层薄膜光伏器件中，有利于提高电池的光吸收及光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102945865A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210483988.2
申请日：2012-11-23
申请人： 南开大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种基于金字塔绒度形貌ZnO层的导电背反射电极，由衬底、具有金字塔表面形貌ZnO层、金属银层和ZnO界面层组成薄膜叠层结构，所述具有金字塔表面形貌ZnO层为本征ZnO或掺杂Al、Ga、B、Mo、W的ZnO材料；其制备方法是：先在衬底上采用超声喷雾技术生长或金属有机物化学气相沉积技术制备具有的金字塔形貌的ZnO薄膜，然后依次银薄膜层和ZnO薄膜界面层。该基于金字塔绒度形貌ZnO层的导电背反射电极，陷光效果好，可同时实现宽光谱、高绒度反射，光利用率高；其制备方法工艺简单、易于实施；作为背反射电极用薄膜太阳电池，比传统的基于绒度金属铝来实现绒度反射制备的相同条件的电池短路电流密度提高10%以上。
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公开(公告)号：CN102916061A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210435814.9
申请日：2012-11-05
申请人： 南开大学
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/0352
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 一种窄带隙微晶锗-非晶锗异质吸收层材料，是采用层递式循环沉积方法制备的由微晶锗薄膜和非晶锗薄膜交替生长的多层材料，微晶锗薄膜的厚度为20-50nm，非晶锗薄膜的厚度为1-10nm，然后进行等离子体处理或化学退火处理，如此循环沉积微晶锗薄膜和非晶锗薄膜，直至形成总厚度为50-1500nm的微晶锗-非晶锗异质薄膜；该窄带隙微晶锗-非晶锗异质吸收层材料可用于基于Ⅳ族薄膜材料的宽光谱四端叠层硅基薄膜太阳电池。本发明的优点是：可将薄膜太阳电池的光谱响应范围拓展至1800nm，在不增加设备成本的前提下便可获得基于Ⅳ族薄膜材料的新型宽光谱叠层太阳电池，更加充分地利用了太阳光谱，提高了电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102916060A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210435963.5
申请日：2012-11-05
申请人： 南开大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/076 , H01L31/18 , H01L31/20 , C23C16/44
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 一种硅基薄膜电池太阳电池，以具有种子层结构的n型纳米晶硅氧材料作为背反射电极，n型纳米晶硅氧材料的结构式为nc-SiOx:H，厚度为20-100nm，硅基薄膜太阳电池的类型为p/i/n型单结或多结；该硅基薄膜电池太阳电池的制备方法是：沉积完薄膜电池后，通过等离子处理电池的n型非晶硅层后制备n型nc-Si:H种子层，然后制备n型nc-SiOx:H材料。本发明的优点是：n型nc-Si:H种子层的加入可以提高材料的晶化率和电导率，减小电池串联电阻，降低制备难度；该材料用于硅基薄膜太阳电池背反射电极具有与ZnO相近的背反射效果，不仅提高了电池的入射光利用率，而且可降低硅基薄膜太阳电池制备成本。
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