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公开(公告)号：CN202905721U
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201220539902.9
申请日：2012-10-19
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12
摘要： 本实用新型公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，用以提高薄膜晶体管的电学性能，提高显示装置显示图像的画质。本实用新型提供的薄膜晶体管包括：基板、形成在所述基板上的栅极、源极、漏极、半导体层和半导体层保护层；以及形成在所述基板上位于所述栅极和半导体层之间的第一栅极保护层，和位于所述第一栅极保护层和所述半导体层之间的栅极隔离层；半导体层保护层位于半导体层与源极和漏极之间；所述源极和漏极通过过孔与所述半导体层相连。
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公开(公告)号：CN202712193U
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201220364647.9
申请日：2012-07-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/45 , H01L29/49
摘要： 本实用新型属于显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置。本实用新型薄膜晶体管包括基板，以及在基板上依次形成的栅极层、栅绝缘层、有源层、电极金属层和钝化层；电极金属层包括源电极和漏电极，源电极和漏电极互相隔离，之间为沟道区域；所述栅极层和基板之间有第一透明导电层；所述有源层和电极金属层之间有第二透明导电层。本实用新型中的薄膜晶体管在基板和栅极金属层之间、有源层和电极金属层之间增加了透明导电层，增强了栅金属层与基板之间的附着力，阻止了电极金属向有源层的扩散，提高了产品性能。
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公开(公告)号：CN202601621U
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201220261684.7
申请日：2012-06-04
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/77
摘要： 本实用新型提供一种薄膜晶体管阵列基板、显示面板、显示装置，属于液晶显示领域。其中，该薄膜晶体管阵列基板包括：由第一金属氧化物层形成的有源层；由第二金属氧化物层形成的过渡层，过渡层的导电率比有源层的导电率大，过渡层包括源电极过渡层和漏电极过渡层；由源漏金属层形成的源电极、漏电极；其中，源电极过渡层位于所述有源层和所述源电极之间，所述漏电极过渡层位于所述有源层和所述漏电极之间。本实用新型的技术方案能够简化金属氧化物TFT阵列基板的制造工艺，降低产品的生产成本。
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公开(公告)号：CN202957242U
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201220695548.9
申请日：2012-12-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/786
摘要： 本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示装置和阵列基板。该阵列基板包括基板、位于基板上的栅电极、栅极绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极层、钝化层和像素电极层；所述有源层为氧化物半导体，所述栅极绝缘层和有源层之间具有金属氧化物绝缘层，所述栅极绝缘层贴近所述栅极，所述金属氧化物绝缘层贴近有源层。本实用新型公开的阵列基板采用栅极绝缘层结合金属氧化物绝缘层可以有效地阻止Cu离子的扩散和H离子的扩散对氧化物半导体的影响，最大程度地提高整个TFT器件的稳定性，提高最终产品的良率；同时采用五次光刻工艺，与现有技术相比减少一次光刻工艺，简化工艺，可以提升生产效率，节省加工成本。
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公开(公告)号：CN202888177U
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201220601614.1
申请日：2012-11-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/786
摘要： 本实用新型公开了一种阵列基板、显示装置，用以提高阵列基板的工作性能，提高显示装置的图像画质。本实用新型提供的阵列基板包括：基板、形成在所述基板上的多个薄膜晶体管；还包括：形成所述基板上位于基板与薄膜晶体管之间的缓冲层；其中，所述缓冲层为金属氧化物膜层。
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公开(公告)号：CN201845779U
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201020554515.3
申请日：2010-09-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/423 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本实用新型公开了一种阵列基板及液晶显示器，其中阵列基板包括：衬底基板，衬底基板上形成有数据线和栅线；数据线和栅线围设形成像素单元；像素单元包括TFT开关和像素电极；TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层；栅电极连接栅线，源电极连接数据线，漏电极连接像素电极；栅线上覆盖有栅绝缘层；有源层形成于栅绝缘层上；还包括：辅助栅绝缘层和辅助栅电极；辅助栅绝缘层形成于栅线和栅电极上方；辅助栅电极形成于栅电极上方且被栅绝缘层覆盖，辅助栅电极与栅电极之间以辅助栅绝缘层相互间隔；辅助栅电极通过附加过孔与栅电极连接。本实用新型的阵列基板在保证栅绝缘层的厚度满足基本要求的情况下，可以增大充电电流。
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