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公开(公告)号：CN111950506A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010860359.1
申请日：2020-08-25
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开了一种基于AR技术的MOCVD设备维修辅助方法及系统，该方法包括：调用用户端摄像头获取当前视频图像并上传，得到视频信息；通过目标识别算法对视频信息进行图像模板识别，得到检测目标；将检测目标与资料库内的设备匹配，得到设备信息；将设备信息添加至视频信息后进行视频处理，得到AR视频；将AR视频回传至用户端。该系统包括：用户端和服务器端。通过使用本发明，可以极大的解决MOCVD设备修理困难的问题。本发明作为一种基于AR技术的MOCVD设备维修辅助方法及系统，可广泛应用于半导体设备技术领域。
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公开(公告)号：CN111934765A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010542929.2
申请日：2020-06-15
申请人： 中山大学
IPC分类号： H04B10/116 , H04B10/60
摘要： 本发明涉及可见光通信技术领域，更具体的是涉及一种可见光通信系统接收前端电路，包括顺次连接的将光信号转换成电压信号并初步放大的跨阻放大电路、消除背景光噪声和电路直流偏置影响的高通滤波电路、起主要增益作用的主放大电路和提升带宽的后均衡电路。本发明通过跨阻放大电路、主放大电路、后均衡电路的级联，在实现光电转换的同时还能够完成对信号的放大和频带的展宽，该电路较为简单，成本较低、易于实现，且适用于多种LED光源。
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公开(公告)号：CN111640857A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010700124.6
申请日：2020-07-20
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L41/18
摘要： 本发明公开了氧化镓在压电材料上的应用及压电薄膜、压电器件，涉及压电材料技术。针对现有技术在压电材料选择中对压电系数的技术偏见提出本方案，ε相氧化镓在压电材料上的应用。压电薄膜由ε相氧化镓制成。应用ε相氧化镓的压电器件。优点在于，相对介电常数仅有εr＝3.6，可以保证外部输入的交流电信号高效的转化为机械振动能，这就弥补了ε相氧化镓在压电系数方面的不足。而且由于ε相氧化镓具有超宽禁带，绝缘性好，可以避免了压电器件工作过程中由于漏电流导致的热损耗，提升压电器件的能量转换效率。ε相氧化镓是一种适用于制备高性能压电器件的新型半导体材料。
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公开(公告)号：CN107706278B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201711052464.7
申请日：2017-10-30
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开了一种用在紫外LED的透明电极的金属有机化学气相沉淀(MOCVD)制备方法。其特征在于，沉积锡掺杂氧化铟(ITO)作为主体层前，先原位地生长一层功能调节层。本发明还公开了如何原位地生长功能调节层和主体层，在紫外LED外延片作为生长衬底材料表面依次生长功能调节层和主体层，步骤包括：生长衬底预处理；在氮化物基的紫外LED外延片表面通入铟源、锡源其一或两者混合源构成功能调节层；在功能调节层上通入铟源、锡源和氧源生长ITO薄膜构成主体层。本发明提供的ITO透明导电薄膜应用于氮化物基的紫外LED器件上具有低的正向工作电压、极高的可靠性和高效的光萃取效率，可极大地促进紫外光电器件的应用。
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公开(公告)号：CN108728817B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201810486416.7
申请日：2018-05-21
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开了一种具有电磁屏蔽功能的红外透明窗口，由蓝宝石衬底及其上方的氧化铟基半导体膜叠层通过金属有机化学气相沉积方法制得。所述蓝宝石衬底的表面与蓝宝石c晶面存在0°～2°的偏离角，所述蓝宝石衬底双面抛光、厚度为100～10000μm；所述氧化铟基半导体膜叠层由非故意掺杂氧化铟缓冲层以及锡掺杂氧化铟电磁屏蔽主体层叠加而成；所述非故意掺杂氧化铟缓冲层的厚度为10～1000nm，电子平均浓度不高于1×1019cm‑3；所述电磁屏蔽主体层的厚度为0.2～200μm，电子平均浓度不高于5×1019cm‑3。本发明红外透明窗口的方块电阻低于100Ω/sq，0.78～2.5μm波长范围内透过率大于70％、2.5～5μm波长范围内透过率大于50％，电子迁移率高于70cm2/Vs，对1～18GHz频率范围内电磁屏蔽效率大于12dB。
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公开(公告)号：CN110112207A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910417281.3
申请日：2019-05-20
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L21/34
摘要： 本发明公开了一种氧化镓基混合PiN肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。针对现有技术中P型氧化镓的掺杂难度非常大，而且现在的技术无法做到足够高的掺杂浓度，根本无法适用于正常的器件使用的问题。提出一种利用氧化镓耐压层表面插入p型氧化物半导体层的方法实现混合PiN肖特基结构的二极管。巧妙的规避了氧化镓材料的p型掺杂难题，二极管的反向击穿电压和泄漏电流都由异质PN结决定，在保证良好正向开启特性的同时具有更好的耐压特性。
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公开(公告)号：CN110085658A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910335562.4
申请日：2019-04-24
申请人： 中山大学
摘要： 本发明提供了一种能够在硅衬底上实现高质量氧化镓半导体薄膜的叠层结构及相应的制备方法。该叠层结构由硅衬底、氮化物插入层、氧化镓半导体层依次叠加而成。所述硅衬底为具有 晶向的硅衬底；所述氮化物插入层为氮化铝、氮化镓、氮化铟中的一种或多种形成的合金，晶体结构为六方纤锌矿结构；所述氧化镓半导体层为具有六方对称性的ε相或α相氧化镓，厚度不超过100μm。通过氮化物插入层，防止硅衬底表面形成非晶氧化硅层，有效改善上层氧化镓的结晶质量，实现高质量的硅衬底氧化镓异质外延。
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公开(公告)号：CN105914200B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610263299.9
申请日：2016-04-26
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开了一种可扩展型无源寻址LED微显示器件的结构和制备技术方案，所述的LED微显示器件包括LED微型像素阵列和无源寻址型硅基驱动基板。在LED阵列中实现行LED像素点的n电极互连，在硅基基板上实现列LED像素点的P电极互连。然后通过倒装焊接的方式实现LED阵列和硅基基板的键合。另外，通过在LED像素点的透明电极上涂覆全波段可见光二次辐射材料，使用红绿蓝对位分布式像素点滤色片覆盖，或使用单色二次辐射材料对位分布式涂覆；通过行列扫描寻址供电微LED像素点，获得蓝紫光辐射，激发二次辐射材料，获得全波段可见光，通过滤色片获得三原色，或者通过直接激发单色二次辐射材料获得，从而达到微显示的目的。这种方法制备出的微显示器件能够达到微型、低压低电流驱动、彩色显示、寿命长等优点。
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公开(公告)号：CN105915284B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201610256029.5
申请日：2016-04-22
申请人： 中山大学
IPC分类号： H04B10/116 , H04B10/114
摘要： 本发明提供一种双向传输的可见光通信装置，包括功能型LED收发模组，PIN/APD并LED收发模组，接收端滤波模块、放大器；功能型LED收发模组由N个在LED外延结构上加了功能型材料的双功能LED器件组成，双功能LED能够分别工作于发光模式和光电探测模式；PIN/APD并LED收发模组由PIN或APD光电探测器及LED组成；接收端滤波、放大器由滤波电桥、自动增益放大器或运算放大器组成。所述装置的下行系统包括功能型收发模组中的LED发射端，PIN/APD光电探测器接收端，放大器；上行系统包括PIN/APD并LED收发模组中的LED发射端、功能型收发模组中LED接收端、滤波电路、放大器。所述双向通信装置能同时实现下载和上传数据信息，上行通信峰值波长与下行通信峰值波长相差20‑100nm，可有效避免信号窜扰。
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公开(公告)号：CN108642473A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810486410.X
申请日：2018-05-21
申请人： 中山大学
摘要： 本发明提供了一种具有电磁屏蔽功能的红外透明窗口的制备方法，所述窗口由蓝宝石衬底及其上方的氧化物膜叠层共同构成。所述蓝宝石衬底双面抛光、厚度100～10000μm，所述氧化物膜包括锡掺杂氧化铟(ITO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、氟掺杂氧化锡(FTO)中的一种或者多种的叠层，总厚度0.2～200μm，平均电子浓度不高于5×1019cm-3。所述红外透明窗口0.78～2.5μm波长范围内最低透过率为82％、2.5～5μm波长范围内最低透过率为53％，方块电阻低于100Ω/sq，对1～18GHz电磁波的屏蔽效率大于10dB。
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