成形对象物输送机构、树脂成形装置和树脂成形品的制造方法

    公开(公告)号:CN118254324A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202311662789.2

    申请日:2023-12-06

    发明人: 池西哲郎

    IPC分类号: B29C43/18 B29C43/34 B29L31/34

    摘要: 本发明提供成形对象物输送机构、树脂成形装置和树脂成形品的制造方法,能够进行适应成形对象物的大型化或成形对象物的树脂成形形状复杂化的成形模的设计。成形对象物输送机构(13)向具有保持成形对象物(W)的夹持机构(2)的成形模(14)交接成形对象物(W),其包括:承载部(4),供成形对象物(W)滑动并承载成形对象物(W);以及第一操作部(6),设置在向承载部(4)滑动的成形对象物(W)所经过的经过区域(R)的上方,用于操作夹持机构(2)。

    静电吸盘
    142.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111128838B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN201910976997.7

    申请日:2019-10-15

    申请人: TOTO株式会社

    IPC分类号: H01L21/683

    摘要: 本发明的目的在于提供一种静电吸盘,在设置有多孔质部的静电吸盘中,能够进一步抑制电弧放电的发生。具备:陶瓷电介体基板,具有放置吸附对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面;基座板,支撑所述陶瓷电介体基板且具有气体导入路;及第1多孔质部,设置在所述基座板与所述陶瓷电介体基板的所述第1主面之间且与所述气体导入路相对的位置,其特征为,所述第1多孔质部具有分别具有多个孔且相互离开设置的多个疏松部分,所述多个疏松部分分别在相对于从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的第1方向以规定角度倾斜的方向上延伸。

    静电吸盘
    144.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111128837B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN201910976863.5

    申请日:2019-10-15

    申请人: TOTO株式会社

    IPC分类号: H01L21/683

    摘要: 本发明的目的在于提供一种静电吸盘,在设置有多孔质部的静电吸盘中,能够进一步抑制电弧放电的发生。具备:陶瓷电介体基板,具有放置吸附对象物的第1主面、第2主面;基座板,具有气体导入路;及第1多孔质部,设置在与所述气体导入路相对的位置,其特征为,所述陶瓷电介体基板具有位于所述第1主面与所述第1多孔质部之间的第1孔部,所述第1多孔质部具有:多孔部,具有多个孔;及第1致密部,比所述多孔部更致密,在向垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的第1方向的平面进行投影时,构成为所述第1致密部与所述第1孔部发生重叠,所述多孔部与第1孔部并不重叠。

    防止因体液引起的抗原抗体反应阻碍的物质

    公开(公告)号:CN110462402B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN201880021112.1

    申请日:2018-03-27

    IPC分类号: G01N33/543 G01N33/566

    摘要: 本发明旨在提供对在使用含有体液(尤其是唾液等来自生物粘膜的成分)的试样的免疫测定法中的抗原抗体反应阻碍有效的抑制剂,以及旨在抑制免疫测定法中的假阳性和假阴性。本发明提供一种免疫反应阻碍抑制剂,其特征在于,所述免疫反应阻碍抑制剂是抑制在免疫测定法中因试样中的体液引起的免疫反应阻碍作用的免疫反应阻碍抑制剂,并含有以下的(1)和(2)中的任一种化合物:(1)“R1‑SO3H”表示的磺酸化合物或其盐(式中,R1表示直链状C5至C30烷基、经具有至少一个直链状C5至C30烷基的碳环式芳香族基取代的直链状C1至C30烷基、或具有至少一个直链状C5至C30烷基的碳环式芳香族基,这些基团也可具有取代基);(2)“N+‑R2R3R4R5”表示的季铵离子或其盐(式中,R2至R5各自独立地表示直链状C1至C30烷基、或经至少一个直链状C5至C30烷基取代的碳环式芳香族基,这些基团也可具有取代基)。

    光检测装置和电子设备
    146.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118235423A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202280075751.2

    申请日:2022-12-09

    摘要: 提供了一种用于实现光谱分离的技术。光检测装置包括其中设置有光电转换部的半导体层和被设置在半导体层的光入射面侧的光学滤波器层。光学滤波器层包括分别针对各个像素设置的第一滤波器部和第二滤波器部。第一滤波器部和第二滤波器部中的每个包括:设置在半导体层的光入射面侧的第一金属膜;具有不同的折射率并且在半导体层的厚度方向上并排配置在第一金属膜的与半导体层所在的一侧相反的一侧的第一介电膜和第二介电膜;和设置在第一介电膜和第二介电膜的与第一金属膜所在的一侧相反的一侧的第二金属膜。第一介电膜与第二介电膜的厚度比在第一滤波器部和第二滤波器部中是不同的。