公开(公告)号：CN111971788B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201980021298.5

申请日：2019-03-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 森田幸雄 ,  北住登 ,  森山阳介

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/36

Abstract: 电子元件搭载用基板具有：第1基板，具有第1面及与所述第1面相反侧的第2面；第2基板，具有第3面及与该第3面的相反侧的第4面；以及多个散热体，各散热体具有第5面及与该第5面的相反侧的第6面，第1基板在第1面具有电子元件的一个或者多个搭载部，该搭载部为矩形状，第2基板包含金属，是方形状，多个散热体包含碳材料，第5面在俯视透视时在与搭载部重叠的位置处至少与第2面相连结，在俯视透视该电子元件搭载用基板时，与多个散热体的沿着一个或者多个搭载部的长度方向以及第2基板的相对的边的方向的热传导相比，多个散热体的与沿着一个或者多个搭载部的长度方向以及第2基板的相对的边的方向垂直相交的方向的热传导大。

公开(公告)号：CN117598019A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202280047779.5

申请日：2022-05-10

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 藤代真人 ,  张香逸

IPC: H04W76/27 ,  H04W4/06

Abstract: 根据本发明第一方面的一种通信控制方法是在从网络向用户设备提供组播服务的移动通信系统中由用户设备执行的通信控制方法。该通信控制方法包括：在无线电资源控制(RRC)空闲状态或RRC非活动状态下执行监测组通知的处理，该组通知是指示用户设备正在参与的组播会话的启用的通知，并且从网络发送到用户设备所属的组；响应于接收到组通知，执行转换到RRC连接状态以接收组播会话的处理；以及执行控制，从而在RRC空闲状态或RRC非活动状态下对组播会话不再感兴趣时不执行监测的处理或转换的处理。监测的处理包括：当用户设备对组播会话感兴趣时，监测组通知。转换的处理包括：响应于在用户设备对组播会话感兴趣时接收到组通知，转换到RRC连接状态。

公开(公告)号：CN114007785B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202080046242.8

申请日：2020-06-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 矶部太志 ,  萩原亚寿纱

IPC: B23B27/16 ,  C04B35/5831

Abstract: 本发明的切削刀片具备具有第1面的氮化硼烧结体。在与第1面垂直的氮化硼烧结体的截面所对应的透射型X射线衍射中，设与第1面垂直方向的立方晶氮化硼的111衍射峰顶点的X射线强度为IcBN(111)v。设压缩型氮化硼的002衍射峰顶点的X射线强度为IhBN(002)v。设与第1面平行的方向的立方晶氮化硼的111衍射峰顶点的X射线强度为IcBN(111)h。设压缩型氮化硼的002衍射峰顶点的X射线强度为IhBN(002)h。根据这些X射线强度求得的压缩型氮化硼含有值大于0.005。立方晶取向值大于0.5，压缩型氮化硼取向值大于立方晶取向值。

公开(公告)号：CN112654451B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201980057977.8

申请日：2019-09-03

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 胜间忠

IPC: B23B27/14 ,  B23B27/16 ,  B23B51/00 ,  B23C5/16 ,  C23C16/36 ,  C23C16/40 ,  C22C29/08

Abstract: 本发明的涂层刀具具有具备第一面的基体和位于所述第一面之上的涂层膜。所述基体具有含有碳化钨粒子的硬质相、以及含有钴和镍中的至少一种的粘结相。在所述第一面散布有当量圆直径为10μm以上的岛部，该岛部含有70面积％以上的所述粘结相。所述涂层具有位于所述第一面之上且含有钛化合物的第一层、以及位于与该第一层之上相接的位置且含有氧化铝的第二层。所述涂层在与所述第一面正交的剖面中，在所述第一层具有以在沿着所述第一层和所述第二层的边界的方向上排列的方式配置的多个空孔。所述空孔在沿着所述边界的方向上的宽度的平均值比相邻的所述空孔的间隔的平均值小。(56)对比文件陈元春,艾兴,黄传真.溶胶-凝胶法制作陶瓷涂层硬质合金刀具.硅酸盐学报.2000,(第04期),全文.

公开(公告)号：CN112654450B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201980057925.0

申请日：2019-09-03

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 胜间忠

IPC: B23B27/14 ,  B23B27/16 ,  B23B51/00 ,  B23C5/16 ,  C23C16/36 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明的涂层刀具具有基体和涂层膜。涂层膜具有Ti(C、N)层和覆盖Ti(C、N)层的Al2O3层。Ti(C、N)层具有空孔区域，该空孔区域沿着Ti(C、N)层和Al2O3层的边界具有多个空孔。空孔的宽度的平均值比相邻的空孔的间隔的平均值小。Ti(C、N)层具有位于比空孔区域更靠近基体的位置的第一Ti(C、N)层。第一Ti(C、N)层中的碳相对于碳和氮的合计的原子比(C/(C+N))平均为0.50～0.65。本发明的切削刀具具备：刀柄，其为从第一端朝向第二端延伸的棒状，且具有位于第一端侧的刀槽；以及上述涂层刀具，其位于刀槽内。

公开(公告)号：CN112352352B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201980042778.X

申请日：2019-06-21

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 玉北司 ,  平松信树 ,  吉川博道 ,  中俣克朗

IPC: H01Q23/00 ,  H01Q1/32 ,  H01Q21/06

Abstract: 提供一种得以改善的天线元件、阵列天线、通信单元、移动体以及基站。天线元件构成为包含第1导体及第2导体、第3导体、第4导体、与第3导体电连接的供电线以及与供电线连接的滤波器。第1导体及第2导体沿第2平面扩展，在与第2平面相交的第1方向上分离地配置。第3导体沿包含第1方向的第1平面扩展，位于第1导体以及第2导体之间。第4导体沿第1平面扩展，与第1导体以及第2导体电连接，且与第3导体分离地配置。滤波器与第4导体重叠地配置。

公开(公告)号：CN117581448A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280045834.7

申请日：2022-06-03

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 田中裕也 ,  河合克敏 ,  中舍朋之

IPC: H02J50/20

Abstract: 实施方式的一个电子设备具有：发送部(13)，发送电波；接收部(14)，接收电波；推定部(15)，从接收到的所述电波中包含的规定信号推定接收装置的移动的速度以及在本机和所述接收装置之间的传播路径上变动的速度中的至少一方；确定部(18A)，从推定出的速度确定规定信号的发送周期；以及指示部(18B)，利用使发送的电波的中心频率在被分配给供电用的信道内偏移的值，来向接收装置指示所确定的发送周期。

公开(公告)号：CN117581447A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280045806.5

申请日：2022-06-06

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 河合克敏 ,  田中裕也 ,  中舍朋之

IPC: H02J50/20

Abstract: 一个方式的电子设备具有：发送部(13)，发送供电电波；接收部(14)，接收从相对于本机进行相对移动的受电装置发送的电波中包含的规定信号；存储部(15)，存储受电装置的移动包含规定速度以下的速度的情况下计算出的发送权重信息；以及控制部(16)，在受电装置以比规定速度大的速度移动的情况下，基于存储的发送权重信息，选择供电电波的所述发送权重信息。

公开(公告)号：CN117545575A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202280045205.4

申请日：2022-07-07

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 吉见启

IPC: B23B27/14

Abstract: 本发明的涂层刀具具有基体和位于基体之上的涂层。涂层具备含有Ti、Si和N的第2涂层。第2涂层所包含的金属元素之中，Ti和Si的合计为98原子％以上。第2涂层中，Ti、Si和N在厚度方向上分别反复增减。

公开(公告)号：CN117545574A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202280044422.1

申请日：2022-07-12

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 吉见启 ,  森聪史

IPC: B23B27/14

Abstract: 本公开的覆盖工具具有：基体，包含以WC粒子为硬质相成分、以Co为结合相的主成分的WC基硬质合金；覆盖层，位于基体上；以及中间层，位于基体与覆盖层之间。中间层含有Ti，平均层厚为1nm以上且15nm以下。覆盖层具有与中间层相接的第一覆盖层。第一覆盖层具有选自Al、第5族元素、第6族元素及除Ti以外的第4族元素所构成的群中的至少1种元素、选自C及N所构成的群中的至少1种元素、以及Si和Cr。