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公开(公告)号：CN113515016B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202110388077.0
申请日：2021-04-12
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于DMD数字掩膜的双光束激光直写方法和装置，该装置包括两路光，每路光各含一个DMD加载相应的数字图形，其中一路光中的DMD加载待刻写的实心图形，用于引发光刻胶的聚合反应；另一路光中的DMD加载所述实心图形对应边缘的空心图形，用于抑制光刻胶的聚合反应；将两路光进行合束后使两个图形投影到样品面上并实现严格对准。本发明通过DMD产生数字掩膜在实现快速面直写的基础上，通过双路激光分别进行引发和抑制光刻胶聚合可提高直写分辨率。利用本发明，有望实现高速高分辨激光直写，为纳米加工技术实现大批量生产提供新思路。
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公开(公告)号：CN117348892A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311209512.4
申请日：2023-09-18
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供了一种类人五感阵列传感器信号读出方法与装置，所述方法包括：五感阵列传感器获取待测量的物理信息并转换为传感电信号，通过行扫描模块逐行扫描读取，多路复用模块实现每行输出电信号的多路复用，输出经由模拟信号调理和模数转换后，由中央处理模块接收，执行解码、存储、处理，并将经处理的传感电信号传输至存算一体模块；存算一体模块，同时存储与计算经处理的传感电信号，得到最终的处理结果。采用本方法与装置，能够极大地压缩系统体积及成本，在一个面积只有约A4大小的硬件平台上实现了对K*K级模拟传感阵列信号的列并行读出；同时突破了传统冯·诺依曼架构的内存墙和功耗墙问题，以更低的功耗，实现了更优秀的算法硬件加速。
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公开(公告)号：CN117269133A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311207609.1
申请日：2023-09-19
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开一种三维即时荧光寿命成像方法与装置，该方法通过对激发光进行相位调制或者全息调制，实现一种非典型聚焦光斑，该光斑具有轴向非对称特征，利用该聚焦光斑实现对样品不同层面同时分区扫描，同时对激发的荧光进行离焦矫正相位调制，实现对不同焦面荧光聚焦在同一面阵探测器的探测面上，结合寿命探测仪器，创新性地实现低像差的三维即时扫描荧光寿命成像，即实现对样品单次二维扫描获得三维荧光寿命信息。相比于传统的层切式扫描荧光寿命成像方法，本发明通过单次二维扫描即可实现三维荧光寿命成像的方法和装置可以明显提高三维荧光寿命成像速度，提高三维荧光寿命成像的可适用范围。
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公开(公告)号：CN116430687B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310698595.1
申请日：2023-06-14
Abstract: 本发明涉及一种超分辨激光纳米直写光刻技术，具体涉及一种基于双光束的高通量超分辨三维刻写方法与系统，该方法为，合束光平行入射数字微镜器件并经数字微镜器件反射后入射微透镜阵列，于微透镜阵列焦平面处形成聚焦点阵，使该聚焦点阵成像于双光束光刻胶表面形成激发光束与抑制光束重合的刻写点阵，对双光束光刻胶进行曝光；合束光由激发光束与抑制光束合束得到；通过调节数字微镜器件区域微镜的开关状态，调控刻写点阵中各点处的能量；通过调节抑制光束的能量，使刻写点阵中各点于中心区域形成光刻胶聚合促进，于外围区域形成光刻胶聚合抑制。与现有技术相比，本发明实现了高通量、超分辨、三维纳米结构的刻写，大幅提升刻写精度与效率。
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公开(公告)号：CN116183568B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310020503.4
申请日：2023-01-06
Abstract: 一种三维结构光照明超分辨显微成像的高保真重构的方法，包括：将一束平行光分为强度相等、偏振方向一致的三束平行光束，在样品上进行干涉形成三维非均匀照明光场，样品受到非均匀照明光场调制后频谱产生频移；由物镜接收样品发出的荧光信号后，经过场镜汇聚到成像像面，用探测器接收该荧光信号，得到一张混有样品高低频信息的低分辨率图像；多次改变照明光场的空间位移和方向，再次拍摄受光场调制的荧光信号，得到一系列混有样品高低频信息的低分辨率图像，作为原始图像。再将原始图像进行后续图像处理，首先进行照明光场的初始相位和空间频率的参数估计，然后再对样品各个频带进行分离，最后将各频谱进行组合重构出样品的高保真超分辨图像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117031884A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311021903.3
申请日：2023-08-15
Abstract: 本申请涉及一种基于飞秒激光时空同步聚焦的线光场扫描刻写装置和方法，所述装置包括：包括按光前进方向依次设置的飞秒激光光源、一维扩束系统、光栅光阀、成像系统和位移台；飞秒激光光源用于发射飞秒激光至一维扩束系统；一维扩束系统用于将飞秒激光的光斑扩束为一维线形光斑后垂直入射至光栅光阀的表面；光栅光阀用于对一维线形光斑进行调制并将得到的一级衍射光发射至成像系统；成像系统用于将一级衍射光在成像系统的物镜焦面上进行时空同步聚焦，输出线形光场对待刻写目标进行刻写。采用本装置能够结合飞秒激光和光栅光阀进行线扫描刻写，提升刻写精度，实现任意复杂结构大面积高速扫描刻写和大面积高均匀结构、连续灰度结构的快速加工。
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公开(公告)号：CN116974143A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310700233.1
申请日：2023-06-14
Abstract: 本发明公开了一种飞秒激光直写光刻胶及其在制备硅纳米图案中的应用。所述飞秒激光直写光刻胶包括未经改性或经过硅烷偶联剂改性的纳米硅颗粒、光引发剂、单体、树脂、分散剂和溶剂。本发明提供了所述的飞秒激光直写光刻胶在制备硅纳米图案中的应用，具体步骤为：(1)将涂有所述飞秒激光直写光刻胶的硅片放到飞秒激光直写系统的载物台上，开启飞秒激光直写系统，启动飞秒激光进行刻写；(2)将刻写后的光刻胶进行显影，得到微结构；(3)将得到的微结构于光刻胶组分中有机物的玻璃化转化温度以上进行加热，得到硅颗粒组成的硅纳米图案。本发明提供的硅基转移方案转移难度低，转移精度高，对比深硅刻蚀的转移方法极大的降低了成本。
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公开(公告)号：CN116859668A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310703748.7
申请日：2023-06-14
Abstract: 本发明公开了一种阳离子型双光子光刻胶及其图案化方法。所述阳离子型双光子光刻胶含有环氧树脂、活性稀释剂、光酸型引发剂和敏化剂；所述的环氧树脂选自下列至少一种：苯酚型酚醛环氧树脂、邻甲酚型酚醛环氧树脂、双酚A型酚醛环氧树脂、四酚基乙烷四缩水甘油醚环氧树脂；所述的敏化剂选自下列至少一种：2‑异丙基硫杂蒽酮、5‑硝基苊、7‑二乙氨基‑3‑噻吩甲酰基香豆素、苯并蒽酮、9‑苯基吖啶、苯并噻唑、N‑乙烯基咔唑和酚噻嗪。本发明提供的阳离子型光刻胶的灵敏度高，既满足了高速刻写的需求，也不需要复杂的敏化剂合成步骤；双光子刻写的速度可以达到100mm/s，线条质量均匀清晰。
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公开(公告)号：CN112859534B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202011638382.2
申请日：2020-12-31
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种基于边缘光抑制阵列的并行直写装置和方法，该装置可产生N×N强度独立可控的高质量PPI阵列，每个PPI刻写点由干涉点阵暗斑和激发光重合而成，具有高通量超分辨刻写的能力。装置主要包括两路光：一路光通过四光束干涉产生等强度等间距的光斑点阵，点阵暗斑用作涡旋抑制光；另一路光通过MLA产生N×N激发光点阵，同时通过SLM和DMD分别调控各激发光的位置和强度，实现涡旋光阵列与激发光点阵精密重合且刻写点大小独立可控。该装置与方法通过产生相同刻写点大小的PPI阵列，可进行高均匀度三维结构的高通量超分辨直写加工，控制刻写点大小使其具有特定分布，还可并行加工任意曲面结构，可应用于超分辨光刻等领域。
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公开(公告)号：CN113985707B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202111241114.1
申请日：2021-10-25
Applicant: 之江实验室
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种可控脉冲展宽与延时的超分辨激光直写装置及方法，该装置包括飞秒激光光源、二分之一波片、偏振分光棱镜、脉冲展宽器、能量调制器、相位板、直角棱镜、反射镜等部件。本发明将飞秒光源出射的飞秒光束分成两束光，对其中一束进行脉冲展宽与光强分布的调制，然后将两束光合束后入射到刻写系统，实现同波长的基于边缘光抑制的激光刻写。利用本发明的装置可以得到一束强度分布为高斯的飞秒光束和一束可调脉冲宽度、可调光强分布的光束，并且可以通过调控光程来精细调控分束后的两个光束达到刻写样品上的时间，精度可达皮秒量级，可用于高精度激光直写光刻系统。
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