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公开(公告)号：CN102710224B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201210195782.X
申请日：2012-06-14
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 本发明公开了一种多模功率放大器，其包括具有多个功率模式的可调功率放大模块、连接于所述可调功率放大模块前端的前端匹配电路和连接于所述可调功率放大模块后端的后端匹配电路。输入射频信号依次经过前端匹配电路、可调功率放大模块和后端匹配电路得到输出射频信号。所述可调功率放大模块对输入的射频信号进行功率放大，所述可调功率放大模块包括复数个可控功率放大单元，通过使能或/和非使能所述可控功率放大单元来调整所述可调功率放大模块的增益，进而使得所述可调功率放大模块工作于不同的功率模式。这样只需要一个可调功率放大模块就可以实现多种功率模式，并且这种方式能降低成本，节省面积。
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公开(公告)号：CN102006017B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201010570407.X
申请日：2010-12-02
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 本发明公开了一种偏置电路，其包括：输入端、输出端、第二晶体管、第一电阻、第二电阻和数字可调电阻。所述数字可调电阻和所述第二电阻依次串联在所述输入端和第二晶体管的集电极之间，所述第一电阻串联于所述输出端和第二晶体管的基极之间，所述第二电阻和所述数字可调电阻的中间节点与第二晶体管的基极相连，所述第二晶体管的发射极与地相连。其中所述偏置电路通过输入端连接偏置电压，通过输出端为功率放大器提供偏置。
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公开(公告)号：CN108134585B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201711314625.5
申请日：2017-12-12
申请人： 无锡中普微电子有限公司
发明人： 赵罡
摘要： 本发明揭露了一种射频功率放大器及其输出匹配电路，所述输出匹配电路包括：射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端的第一电感、第二电容、第三电容、第四电感；耦接于第一电感的与第二电容耦接的连接端和接地端之间的第一电容；耦接于第二电容的与第三电容耦接的连接端和接地端之间的第二电感；耦接于第三电容的与第四电感耦接的连接端和接地端之间的第三电感。本发明中的输出匹配电路能够覆盖两个不同的频段，为单颗功率放大器实现多频段放大信号打下了良好的基础。
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公开(公告)号：CN108039585A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711371523.7
申请日：2017-12-19
申请人： 无锡中普微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种天线调谐电路，其包括:天线；多条射频通路，所述多条射频通路均包括一串联支路和一并联支路，所述串联支路的前端与其所在的所述射频通路的射频信号端口连接，所述串联支路的后端与所述天线连接，所述并联支路的前端与其所在的所述射频通路的射频信号端口连接，所述并联支路的后端接地。其中：所述天线调谐电路被控制进入一种射频开关状态，使得一条所述射频通路的串联支路导通、其余所述射频通路的串联支路均断开，同步地，串联支路被导通的所述射频通路的并联支路断开、其余所述射频通路的并联支路导通。本发明大幅度地降低了各射频通路上的关断电容，最终提高了不同射频通路之间的隔离度、降低了不同频段之间的干扰。
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公开(公告)号：CN107994876A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201810022582.1
申请日：2018-01-10
申请人： 无锡中普微电子有限公司
摘要： 本发明揭露了一种用于WI-FI模块中的射频功率放大器，其包括：射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、第一级间匹配电路、第二级射频功率放大结构、第二级间匹配电路、第三级射频功率放大结构和输出匹配电路。本发明中的用于WI-FI模块的射频功率放大器位于一块芯片上，无需采用SMD电容电感，也不需要采用基板进行封装，设计简单，降低了成本。
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公开(公告)号：CN106603026A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611236111.8
申请日：2016-12-28
申请人： 无锡中普微电子有限公司
CPC分类号： H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/45098
摘要： 本发明涉及一种3G射频功率放大器模块，其包括第一级放大结构以及通过级间匹配电路与所述第一级放大结构连接的第二级放大结构；第一级放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路；第二级放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路；第一级放大结构通过级间匹配电路与第二级放大结构连接，第一级放大结构的输入匹配电路、第二级放大结构的输出匹配电路以及所述级间匹配电路均不采用SMD电容电感，能有效提高封装产能，降低封装成本，提高封装的适应性，安全可靠。
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公开(公告)号：CN105226368A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510772515.8
申请日：2015-11-12
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H01P5/18
摘要： 本发明提供一种定向耦合器，其包括：发射端口、输出端口、隔离端口、耦合端口、连接于所述发射端口和所述输出端口之间的第一电感以及连接于所述耦合端口和所述隔离端口之间的第二电感，其中第一电感的电感值小于第二电感的电感值，至少第二电感为集总元件。这样的定向耦合器可以节省面积，且使用灵活，特别适用于片上实现或者基板设计，这种结构相较于分布式无源结构的方案而言，对无源结构的设计要求大大降低，灵活性也大大增强，而且容易实现高集成度和低成本。
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公开(公告)号：CN104883200A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510306624.0
申请日：2015-06-05
申请人： 无锡中普微电子有限公司
摘要： 本发明提供一种适用于双频收发系统的双工器，其包括第一收发端口、第二收发端口、天线端口、连接于第一收发端口和天线端口之间的低通滤波单元、连接于第二收发端口和天线端口之间的高通滤波单元。该低通滤波单元包括第一电感、第二电感、第三电感和第一电容。该高通滤波单元包括第四电感、第五电感、第二电容和第三电容。本发明中通过在低频通道上的低通滤波单元内增加一个电感，在高频通道上的高通滤波单元内增加一个电感，从而可以提高低频通道和高频通道之间的隔离度，同时还可以实现天线端口的静电释放功能。
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公开(公告)号：CN102710224A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210195782.X
申请日：2012-06-14
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 本发明公开了一种多模功率放大器，其包括具有多个功率模式的可调功率放大模块、连接于所述可调功率放大模块前端的前端匹配电路和连接于所述可调功率放大模块后端的后端匹配电路。输入射频信号依次经过前端匹配电路、可调功率放大模块和后端匹配电路得到输出射频信号。所述可调功率放大模块对输入的射频信号进行功率放大，所述可调功率放大模块包括复数个可控功率放大单元，通过使能或/和非使能所述可控功率放大单元来调整所述可调功率放大模块的增益，进而使得所述可调功率放大模块工作于不同的功率模式。这样只需要一个可调功率放大模块就可以实现多种功率模式，并且这种方式能降低成本，节省面积。
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公开(公告)号：CN102385413A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110278558.2
申请日：2011-09-19
申请人： 无锡中普微电子有限公司
发明人： 韦钢
IPC分类号： G05F3/30
摘要： 本发明提供一种带隙基准电压产生电路，其包括第一二极管、第二二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻。第一二极管的阴极接第一参考电压，其阳极经由第一电阻与第一参考电压连接；第二二极管的阴极接第一参考电压，其阳极连接于第三电阻的一端，第三电阻的另一端经由第二电阻与第一参考电压连接；第四电阻的一端与第一参考电压连接，利用与流经第三电阻的电流和第二电阻的电流的混合电流成正比的电流流经第四电阻，从而在第四电阻的另一端得到基准电压。其中第一二极管为一个基准二极管，第二二极管包括多个并联的基准二极管。本发明中利用二极管代替原来的双极型晶体管，从而使得其可以采用标准的CMOS工艺来实现。
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