公开(公告)号：CN109495080A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201710824737.9

申请日：2017-09-12

申请人： 施少俊

发明人： 施少俊

IPC分类号： H03F3/21 ,  H03F3/183 ,  H03F1/32 ,  H03F1/52

CPC分类号： H03F3/21 ,  H03F1/32 ,  H03F1/52 ,  H03F3/183 ,  H03F2200/444

摘要： 本发明属于音频功率放大电路领域，涉及一种换导式全桥功率放大电路，其包括：第一稳压电路和第二稳压电路以及第一互补管静态基极电位固定自动控制电路，启动电阻R1和电感L以及第一互补管和第二互补管及功放管组成的全桥电路，第一互补管保护电路，过电流过电压功率限定保护电路，防开机过电流保护电路；采用以上方法使本申请电路避免了功放启动时第一互补管出现较大的集电极电流，同时使第一互补管的b-e结在动态时工作于可靠状态；本发明主要用于10瓦功率(不失真功率约5瓦)以内的音频功率放大电路，其有益效果是：采用单电源供电来运行有启动电阻的乙类推挽全桥功率放大电路，能使播放的音乐达到低音轻松层次分明、音质清晰、音色优美动听令人感到甚是满意。

公开(公告)号：CN109150115A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810861529.0

申请日：2018-08-01

申请人： 北京中科汉天下电子技术有限公司

发明人： 彭凤雄 ,  钱永学 ,  孟浩 ,  杨清华 ,  何世海 ,  李东岳

IPC分类号： H03F1/02 ,  H03F1/30 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21 ,  H03F3/24

CPC分类号： H03F3/19 ,  H03F1/0211 ,  H03F1/302 ,  H03F3/21 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/451

摘要： 本申请提供了一种射频功率放大器偏置电路，包括：基准电路模块、镜像电路模块、镇流电阻以及电流调整电路模块，其中，所述基准电路模块用于为所述镜像电路模块提供基准电压；所述镜像电路模块用于根据所述基准电压生成第一电流和第二电流；所述电流调整电路模块用于将所述第一电流调整为第三电流，以使所述第三电流与所述第二电流叠加形成第四电流；所述第四电流通过所述镇流电阻，为射频放大晶体管Q1提供偏置。该偏置电路通过镜像电路模块与电流调整模块的调整，偏置电流随偏置电压Vref变化的变化量相比传统电路中的变化量大大减小，降低了对射频功率放大器的性能指标的影响。

公开(公告)号：CN109067366A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810857995.1

申请日：2018-07-31

申请人： 京信通信系统(中国)有限公司 ,  京信通信系统(广州)有限公司 ,  京信通信技术(广州)有限公司 ,  天津京信通信系统有限公司

发明人： 李雪平 ,  刘海涛 ,  刘兴现 ,  陈太蒙 ,  李娣 ,  姚顺奇

IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F1/52 ,  H03F3/21

CPC分类号： H03F1/301 ,  H03F1/523 ,  H03F3/21 ,  H03F2200/351 ,  H03F2200/447

摘要： 本发明实施例提供一种GaN功率放大器供电控制电路、上掉电控制方法，用于解决现有技术中GaN功率放大器供电控制电路结构复杂，制造成本高昂的技术问题。其中，所述供电控制电路包括处理器、栅极电压生成电路、漏极电压开关电路以及GaN功率放大器；所述处理器通过所述栅极电压生成电路与所述GaN功率放大器的栅极相连，通过所述漏极电压开关电路与所述GaN功率放大器的漏极相连；所述处理器用于控制所述GaN功率放大器的栅极电压和漏极电压。

公开(公告)号：CN108429541A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201710479673.3

申请日：2017-06-22

申请人： 立积电子股份有限公司

发明人： 陈智圣 ,  谢佩娟

IPC分类号： H03F1/32

CPC分类号： H03F1/3241 ,  H03F1/0205 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21 ,  H03F2200/451

摘要： 本发明公开了一种前置补偿器，用于对放大器的线性度进行补偿。前置补偿器包含第一电容以及阻抗转换电路。第一电容的第一端耦接于放大器的第一节点。阻抗转换电路用以进行阻抗转换以提供可变电容值。阻抗转换电路包含第一偏压输入电路以及双极型晶体管。第一偏压输入电路用以接收第一偏压。双极型晶体管的基极耦接于第一偏压输入电路的输出端及第一电容的第二端，双极型晶体管的集极浮接，而双极型晶体管的射极耦接于放大器的第二节点。

公开(公告)号：CN108233974A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711084108.3

申请日：2017-11-07

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 松井秀纪 ,  竹松佑二

IPC分类号： H04B1/40

CPC分类号： H01L23/535 ,  H01L23/00 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/66 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L2223/6644 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/451 ,  H04B1/38 ,  H04B1/40

摘要： 本发明降低收发模块的噪声的影响。收发模块(10)包括：(i)具有面(20A)及作为其背面的面(20B)的布线基板(20)；(ii)具有信号端子(31)及接地端子(32)、信号端子(31)被表面连接安装在面(20A)上的低噪声放大器(30)；(iii)具有信号端子(41)及接地端子(42)、信号端子(41)及接地端子(42)被表面连接安装在面(20A)上的功率放大器(40)；(iv)覆盖低噪声放大器(30)及功率放大器(40)的绝缘性树脂(50)；以及(v)覆盖绝缘性树脂(50)的表面的导电性护罩(60)。接地端子(32)与导电性护罩(60)相连接。

公开(公告)号：CN105428402B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201510578851.9

申请日：2015-09-11

申请人： 恩智浦有限公司

发明人： 托尼·范胡克 ,  维特·桑迪·恩 ,  皮特鲁斯·H·C·马涅 ,  蓬奇·伊沃 ,  迪克·克拉森 ,  马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/063 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7378 ,  H03F3/21

摘要： 一种包括双极晶体管的半导体器件及其制造方法。一种包括双极晶体管的功率放大器。所述双极晶体管包括：包括横向延伸的漂移区的集电极。所述双极晶体管还包括：位于所述集电极上方的基极。所述双极晶体管还包括：位于所述基极上方的发射极。所述双极晶体管还包括具有与集电极的导电类型不同的导电类型的掺杂区域。掺杂区域在集电极下方横向延伸以在掺杂区域和集电极之间的接触区域处形成结。所述掺杂区域具有不均匀的横向掺杂分布。所述掺杂区域的掺杂级别在离所述双极晶体管的集电极‑基极结最近的那部分掺杂区域中最高。

公开(公告)号：CN105122640B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201480020192.0

申请日：2014-04-11

申请人： 追踪有限公司

发明人： M·威尔森

IPC分类号： H03F3/30 ,  H03F1/02

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H03F1/0216 ,  H03F3/21 ,  H03F3/3022 ,  H03F2200/252

摘要： 本发明涉及一种AB类放大器，其用于接收输入电流并且生成放大的输出电流并且具有经连接以提供所述输出电流的第一和第二输出晶体管，其中如果所述输入电流小于阈值，那么启用所述第一输出晶体管并且禁用所述第二输出晶体管，并且如果所述输入电流超过阈值，那么启用所述第二输出晶体管。

公开(公告)号：CN108111129A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201710888987.9

申请日：2017-09-27

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 竹中干一郎

IPC分类号： H03F1/02 ,  H03F3/21

CPC分类号： H03F1/0288 ,  H03F1/56 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/225 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/391 ,  H03F2200/451

摘要： 本发明提供一种在较广范围的输出功率电平上可实现高效率且小型化的功率放大器。功率放大器包括：分配器，其将从输入部输入的第一信号分配为第二信号和比第二信号大致延迟度(是满足的实数)的第三信号；第一放大器，其在第一信号的功率电平为第一电平以上的区域中将第二信号放大来输出第四信号；第二放大器，其在第一信号的功率电平为高于第一电平的第二电平以上的区域中将第三信号放大来输出第五信号；第一移相器，其输入有第四信号，输出比第四信号大致延迟度的第六信号；第二移相器，其输入有第五信号，输出比第五信号大致提前度的第七信号；以及合成部，其将第六及第七信号合成，来输出第一信号的放大信号。

公开(公告)号：CN108011603A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711010523.4

申请日：2017-10-25

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 赵炳学 ,  河宗钰 ,  金正勋 ,  金胤锡

IPC分类号： H03F3/24 ,  H03F1/30 ,  H03F1/32 ,  H04B1/04

CPC分类号： H03F1/32 ,  H03F1/0222 ,  H03F1/302 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/102 ,  H03F2200/105 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/21 ,  H03F2200/555

摘要： 本发明提供一种适配多频带的功率放大器设备，所述功率放大器设备包括：包络跟踪(ET)电流偏置电路，被构造为根据输入信号的包络通过计算基于参考电压的直流DC和基于ET电压的ET电流而产生第一ET偏置电流；以及功率放大器电路，具有双极结型晶体管，所述双极结型晶体管供给有所述第一ET偏置电流和电源电压以将所述输入信号放大，其中，将所述第一ET偏置电流的平均电流控制为大致恒定。

公开(公告)号：CN104348420B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201410369405.2

申请日：2014-07-30

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 竹中干一郎 ,  伊藤雅广 ,  堀正和 ,  有家光夫 ,  中村隼人 ,  荒屋敷聪 ,  松本秀俊 ,  佐藤刚 ,  田中聪

IPC分类号： H03F1/02 ,  H03F3/20

CPC分类号： H03F1/0222 ,  H03F1/02 ,  H03F1/0216 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/32 ,  H03F1/42 ,  H03F1/52 ,  H03F1/56 ,  H03F3/04 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21 ,  H03F2200/102 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/444 ,  H03F2200/451 ,  H03G3/004

摘要： 在采用包络跟踪方式的功率放大模块中，以低成本来实现线性的提高。功率放大模块包括：对无线频率信号进行放大来输出第一放大信号的第一功率放大电路；基于根据所述无线频率信号的振幅而进行变动的电源电压来对所述第一放大信号进行放大并输出第二放大信号的第二功率放大电路；以及匹配电路，该匹配电路包含串联连接在所述第一及第二功率放大电路之间的第一及第二电容器、以及连接在所述第一及第二电容器与接地之间的电感器，并使所述第一功率放大电路的增益随着所述第二功率放大电路的电源电压的变高而降低。