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公开(公告)号：CN102332886B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201110234178.9
申请日：2011-08-16
申请人： 无锡中普微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种多频带功率放大器，其包括对多个频带的信号进行放大的功率放大单元和谐波抑制电路。在所述功率放大单元放大一个频带的信号时使所述谐波抑制电路连接于所述功率放大单元的输出路径中，所述谐波抑制电路抑制放大后的该一个频带的信号的谐波，在所述功率放大单元放大另一个频带的信号时使所述谐波抑制电路不连接于所述功率放大单元的输出路径中。这样，所述谐波抑制电路实现了类似F类功率放大器等高效率功率放大器的效果，即通过改变谐波阻抗来改进输出功率和效率，这样在不干扰该另一频带的正常信号的前提下改善了功率放大器的输出滤波、功率和效率。
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公开(公告)号：CN106603053A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611069002.1
申请日：2016-11-28
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H03K17/687
CPC分类号： H03K17/687
摘要： 本发明揭露了一种具有改进偏置电路的射频开关电路，其包括：第一射频端、第二射频端、第一电容、第二电容；射频开关，其包括源极、漏极、栅极以及体端，源极经过第一电容与第一射频端耦接，漏极经过第二电容与第二射频端耦接，偏置电路，其基于电池电压提供第一偏置电压、第二偏置电压和第三偏置电压，第一偏置电压大于第二偏置电压，第二偏置电压大于第三偏置电压，其中，第二偏置电压被耦接至射频开关的源极以及漏极，在需要控制射频开关导通时，第一偏置电压被耦接至射频开关的栅极，第二偏置电压被耦接至射频开关的体端，在需要控制射频开关截止时，第三偏置电压被耦接至射频开关的栅极和体端。这样可以节省芯片面积，降低成本。
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公开(公告)号：CN102710224B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201210195782.X
申请日：2012-06-14
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 本发明公开了一种多模功率放大器，其包括具有多个功率模式的可调功率放大模块、连接于所述可调功率放大模块前端的前端匹配电路和连接于所述可调功率放大模块后端的后端匹配电路。输入射频信号依次经过前端匹配电路、可调功率放大模块和后端匹配电路得到输出射频信号。所述可调功率放大模块对输入的射频信号进行功率放大，所述可调功率放大模块包括复数个可控功率放大单元，通过使能或/和非使能所述可控功率放大单元来调整所述可调功率放大模块的增益，进而使得所述可调功率放大模块工作于不同的功率模式。这样只需要一个可调功率放大模块就可以实现多种功率模式，并且这种方式能降低成本，节省面积。
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公开(公告)号：CN102006017B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201010570407.X
申请日：2010-12-02
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 本发明公开了一种偏置电路，其包括：输入端、输出端、第二晶体管、第一电阻、第二电阻和数字可调电阻。所述数字可调电阻和所述第二电阻依次串联在所述输入端和第二晶体管的集电极之间，所述第一电阻串联于所述输出端和第二晶体管的基极之间，所述第二电阻和所述数字可调电阻的中间节点与第二晶体管的基极相连，所述第二晶体管的发射极与地相连。其中所述偏置电路通过输入端连接偏置电压，通过输出端为功率放大器提供偏置。
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公开(公告)号：CN105226368B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510772515.8
申请日：2015-11-12
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H01P5/18
摘要： 本发明提供一种定向耦合器，其包括：发射端口、输出端口、隔离端口、耦合端口、连接于所述发射端口和所述输出端口之间的第一电感以及连接于所述耦合端口和所述隔离端口之间的第二电感，其中第一电感的电感值小于第二电感的电感值，至少第二电感为集总元件。这样的定向耦合器可以节省面积，且使用灵活，特别适用于片上实现或者基板设计，这种结构相较于分布式无源结构的方案而言，对无源结构的设计要求大大降低，灵活性也大大增强，而且容易实现高集成度和低成本。
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公开(公告)号：CN106656074A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611234282.7
申请日：2016-12-28
申请人： 无锡中普微电子有限公司
CPC分类号： H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/45098
摘要： 本发明涉及一种3G射频功率放大器电路，其包括第一级放大结构以及通过级间匹配电路与所述第一级放大结构连接的第二级放大结构；第一级放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路；第二级放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路；第一级放大结构通过级间匹配电路与第二级放大结构连接，第一级放大结构的输入匹配电路、第二级放大结构的输出匹配电路以及所述级间匹配电路均不采用SMD电容及SMD电感，能有效提高封装产能，降低封装成本，提高封装的适应性，安全可靠。
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公开(公告)号：CN106505956A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611235245.8
申请日：2016-12-28
申请人： 无锡中普微电子有限公司
CPC分类号： H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/45098
摘要： 本发明涉及一种3G射频功率放大器电路模块，其包括第一级放大结构以及通过级间匹配电路与所述第一级放大结构连接的第二级放大结构；第一级放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路；第二级放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路；第一级放大结构通过级间匹配电路与第二级放大结构连接，第一级放大结构的输入匹配电路、第二级放大结构的输出匹配电路以及所述级间匹配电路均不采用SMD电容及SMD电感，能有效提高封装产能，降低封装成本，提高封装的适应性，安全可靠。
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公开(公告)号：CN106788369A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611069003.6
申请日：2016-11-28
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H03K17/687
CPC分类号： H03K17/687
摘要： 本发明揭露了一种具有改进偏置电路的射频开关电路，其包括：第一射频端、第二射频端、第一电容、第二电容；射频开关，其包括源极、漏极、栅极以及体端，源极经过第一电容与第一射频端耦接，漏极经过第二电容与第二射频端耦接，偏置电路，其基于电池电压提供第一偏置电压、第二偏置电压和第三偏置电压，第一偏置电压大于第二偏置电压，第二偏置电压大于第三偏置电压，其中，第二偏置电压被耦接至射频开关的源极以及漏极，在需要控制所述射频开关导通时，第一偏置电压被耦接至射频开关的栅极，第二偏置电压被耦接至射频开关的体端，在需要控制射频开关截止时，第三偏置电压被耦接至射频开关的栅极和体端。这样可以节省芯片面积，降低成本。
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公开(公告)号：CN106788287A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611235220.8
申请日：2016-12-28
申请人： 无锡中普微电子有限公司
CPC分类号： H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/451
摘要： 本发明涉及一种3G射频功率放大器模块，其包括第一级放大结构以及通过级间匹配电路与所述第一级放大结构连接的第二级放大结构；第一级放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路；第二级放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路；第一级放大结构通过级间匹配电路与第二级放大结构连接，第一级放大结构的输入匹配电路、第二级放大结构的输出匹配电路以及所述级间匹配电路均不采用SMD电容及SMD电感，能有效提高封装产能，降低封装成本，提高封装的适应性，安全可靠。
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公开(公告)号：CN104883200B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510306624.0
申请日：2015-06-05
申请人： 无锡中普微电子有限公司
摘要： 本发明提供一种适用于双频收发系统的双工器，其包括第一收发端口、第二收发端口、天线端口、连接于第一收发端口和天线端口之间的低通滤波单元、连接于第二收发端口和天线端口之间的高通滤波单元。该低通滤波单元包括第一电感、第二电感、第三电感和第一电容。该高通滤波单元包括第四电感、第五电感、第二电容和第三电容。本发明中通过在低频通道上的低通滤波单元内增加一个电感，在高频通道上的高通滤波单元内增加一个电感，从而可以提高低频通道和高频通道之间的隔离度，同时还可以实现天线端口的静电释放功能。
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