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公开(公告)号：CN101159292A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710163042.7
申请日：2007-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/792 , H01L29/51 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/42332 , H01L21/28273
Abstract: 一种可包括形成于基底上的隧道绝缘层的电荷陷阱存储器装置。电荷陷阱层可形成于隧道绝缘层上，其中，电荷陷阱层是掺杂有一种或多种过渡金属的较高k介电绝缘层。隧道绝缘层可与电荷陷阱层中的金属相对不发生反应。隧道绝缘层还可减少或防止电荷陷阱层中的金属扩散到基底。
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