公开(公告)号：CN101388252B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200810213560.X

申请日：2008-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴祥珍 ,  薛光洙 ,  崔奇焕 ,  成政宪 ,  崔相武

IPC: G11C16/10

Abstract: 本发明提供了一种编程非易失性存储装置的方法，该方法可以包括：将编程电压施加到存储单元；在施加了编程电压之后，可以将辅助脉冲施加到存储单元以有助于电荷的热化；在施加辅助脉冲之后，可以将恢复电压施加到存储单元；在施加恢复电压之后，可以利用校验电压来校验存储单元的编程状态。

公开(公告)号：CN101359506A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810128073.3

申请日：2008-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成政宪 ,  薛光洙 ,  申雄澈 ,  朴祥珍 ,  崔相武

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/30 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  H01L29/792 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C16/0475 ,  G11C16/10 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储装置及其编程方法，其中，电子穿过衬垫氧化物层在电荷捕获层之间移动。非易失性存储装置包括在半导体基底上并存储电子的第一电荷捕获层、在第一电荷捕获层上的衬垫氧化物层以及在衬垫氧化物层上并存储电子的第二电荷捕获层。在写入数据的编程模式下，存储的电子穿过衬垫氧化物层在第一电荷捕获层的第一边缘和第二电荷捕获层中的第一边缘之间移动，或者存储的电子穿过衬垫氧化物层在第一电荷捕获层的第二边缘和第二电荷捕获层中的第二边缘之间移动。

公开(公告)号：CN101853858A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010171725.9

申请日：2010-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元住 ,  朴允童 ,  成政宪 ,  庆龙九 ,  崔相武 ,  李太熙

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/11578 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556

Abstract: 提供了具有层叠结构的非易失性存储器件以及包括该非易失性存储器件的存储卡和电子系统。非易失性存储器件可以包括衬底。层叠NAND单元阵列可以具有至少一个NAND组，每个NAND组可以包括垂直层叠在衬底上面的多个NAND串。至少一条信号线可以排列在衬底上从而与所述至少一个NAND组公共耦合。

公开(公告)号：CN101414484A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810213020.1

申请日：2008-08-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成政宪 ,  朴珠姬

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26

Abstract: 提供一种非易失性存储装置。所述非易失性存储装置可包括至少一串、与所述至少一串相应至少一条位线和/或感测晶体管。所述至少一串可包括串联的多个存储单元晶体管。感测晶体管可包括被配置为感测相应位线的电压的栅极。感测晶体管的阈值电压可高于通过从被施加以读取所述相应位线的电压减去给定电压所获得的电压，其中，所述相应位线被连接到所述多个存储单元晶体管中将被读取的存储单元晶体管。

公开(公告)号：CN101378013A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810128072.9

申请日：2008-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相武 ,  薛光洙 ,  申雄澈 ,  朴祥珍 ,  李银河 ,  成政宪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/3162

Abstract: 本发明提供了一种形成氧化铝层的方法和利用该方法制造电荷捕获存储装置的方法。形成氧化铝层的方法可以包括在下面的层上形成非晶氧化铝层、在非晶氧化铝层上形成结晶辅助层和使非晶氧化铝层结晶。形成结晶辅助层的步骤可以包括在非晶氧化铝层上形成非晶辅助层和使非晶辅助层结晶。

公开(公告)号：CN101290799A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810092453.6

申请日：2008-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  朴允童 ,  李承勋 ,  金锡必 ,  玄在雄 ,  成政宪 ,  李太熙

IPC: G11C16/02 ,  H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  G11C16/26

CPC classification number: H01L27/11521 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储装置及其操作方法。该非易失性存储装置包括以NAND串设置在半导体基底上的存储晶体管。串选择晶体管设置在NAND串的第一端，接地选择晶体管设置在NAND串的第二端。位线在串选择晶体管的外部电连接到半导体基底，并连接到接地选择晶体管的栅电极。

公开(公告)号：CN101414484B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200810213020.1

申请日：2008-08-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成政宪 ,  朴珠姬

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26

Abstract: 提供一种非易失性存储装置。所述非易失性存储装置可包括至少一串、与所述至少一串相应至少一条位线和/或感测晶体管。所述至少一串可包括串联的多个存储单元晶体管。感测晶体管可包括被配置为感测相应位线的电压的栅极。感测晶体管的阈值电压可高于通过从被施加以读取所述相应位线的电压减去给定电压所获得的电压，其中，所述相应位线被连接到所述多个存储单元晶体管中将被读取的存储单元晶体管。

公开(公告)号：CN101388252A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810213560.X

申请日：2008-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴祥珍 ,  薛光洙 ,  崔奇焕 ,  成政宪 ,  崔相武

IPC: G11C16/10

Abstract: 本发明提供了一种编程非易失性存储装置的方法，该方法可以包括：将编程电压施加到存储单元；在施加了编程电压之后，可以将辅助脉冲施加到存储单元以有助于电荷的热化；在施加辅助脉冲之后，可以将恢复电压施加到存储单元；在施加恢复电压之后，可以利用校验电压来校验存储单元的编程状态。

公开(公告)号：CN101373715A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810213314.4

申请日：2008-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相武 ,  成政宪 ,  薛光洙 ,  申雄澈 ,  朴祥珍

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种增大氧化铝层的能带隙的方法和一种制造电荷捕获存储装置的方法。即，本发明提供了具有增大的能带隙的结晶氧化铝层、包括结晶氧化铝层的电荷捕获存储装置和它们的制造方法。一种形成具有增大的能带隙的氧化铝层的方法包括以下步骤：在下膜上形成非晶氧化铝层；将氢(H)或羟基(OH)引入到非晶氧化铝层中；使包含H或OH的非晶氧化铝层结晶。

公开(公告)号：CN101262014A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810081587.8

申请日：2008-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相武 ,  薛光洙 ,  朴祥珍 ,  成政宪

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供了一种电荷捕获型存储装置和一种制造电荷捕获型存储装置的方法。电荷捕获型存储装置可包括基底上的隧道绝缘层、隧道绝缘层上的电荷捕获层和电荷捕获层上的由包含Gd或更小镧系元素的材料形成的阻挡绝缘层。