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公开(公告)号：CN111199990B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201911124423.3
申请日：2019-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型；光电转换区域，所述光电转换区域在所述半导体衬底中并且具有第二导电类型；氧化物半导体图案，所述氧化物半导体图案与所述半导体衬底的第一表面相邻；以及传输门，所述传输门在所述第一表面上并且与所述光电转换区域和所述氧化物半导体图案相邻。
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公开(公告)号：CN108695353B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201810325115.6
申请日：2018-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包含光电转换元件和耦合到光电转换元件的电荷存储节点。电荷存储节点可存储光电转换元件中产生的光电荷。电荷存储节点可包含半导体衬底中的浮动扩散区、半导体衬底中的浮动扩散区上的势垒掺杂区以及半导体衬底中的势垒掺杂区上的电荷漏区，其中半导体衬底与第一导电类型相关，浮动扩散区与第二导电类型相关，势垒掺杂区与第一导电类型相关，以及电荷漏区与第二导电类型相关。
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公开(公告)号：CN110191294B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201811502055.7
申请日：2018-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括彼此竖直地重叠的第一传感器像素和第二传感器像素。所述第一传感器像素包括第一信号发生电路和第一光电转换器，所述第一光电转换器连接到第一信号发生电路，并且被配置为从具有第一波长的光生成第一信息。所述第二传感器像素包括第二信号发生电路和第二光电转换器，所述第二光电转换器连接到第二信号发生电路，并且被配置为从具有第二波长的光生成第二信息。所述第一光电转换器的水平表面面积不同于所述第二光电转换器的第二水平表面面积。一种图像传感器模块包括所述图像传感器；光源，所述光源被配置为向目标对象发射光；以及双带通滤波器，所述双带通滤波器被配置为选择性地通过从所述目标对象反射的光。
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公开(公告)号：CN108878397B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201810442999.3
申请日：2018-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L27/30
Abstract: 提供了一种包括能够增强颜色再现性的有机光电层的图像传感器。根据本发明构思的图像传感器包括含彼此间隔开的多个像素区域和其间的隔离区域的半导体基板。所述多个像素区域的每个具有单位像素。该图像传感器还包括在隔离区域中并围绕单位像素的器件隔离层、第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层。该图像传感器还包括电连接到第一透明电极层并在隔离区域中布置于器件隔离层之间的通路插塞。通路插塞穿过隔离区域。第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层顺序地布置在半导体基板之上。
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公开(公告)号：CN112018167A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010083771.7
申请日：2020-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L27/146 , H01L27/30
Abstract: 一种图像传感器以及制造图像传感器的方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一浮置扩散区；模制图案，所述模制图案位于所述第一浮置扩散区上方，并且包括开口；第一光电转换部，所述第一光电转换部位于所述半导体衬底的表面；以及第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述第一光电转换部连接到所述第一浮置扩散区。所述第一传输晶体管包括第一传输栅电极和位于所述开口中的沟道图案。所述沟道图案包括氧化物半导体。所述沟道图案还包括侧壁部分和中心部分，所述侧壁部分覆盖所述开口的侧表面，所述中心部分从所述侧壁部分延伸到所述第一传输栅电极上方的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111415953A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010004290.2
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：半导体基板，具有彼此面对的第一表面和第二表面；第一光电转换部分，设置在半导体基板的第二表面上；第一浮置扩散区，与第一表面相邻地提供在半导体基板中；覆盖第一表面的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一沟道图案；以及第一传输栅电极，与第一沟道图案相邻地设置，并控制在第一光电转换部分中产生的电荷通过第一沟道图案传输到第一浮置扩散区。
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公开(公告)号：CN110191294A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201811502055.7
申请日：2018-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括彼此竖直地重叠的第一传感器像素和第二传感器像素。所述第一传感器像素包括第一信号发生电路和第一光电转换器，所述第一光电转换器连接到第一信号发生电路，并且被配置为从具有第一波长的光生成第一信息。所述第二传感器像素包括第二信号发生电路和第二光电转换器，所述第二光电转换器连接到第二信号发生电路，并且被配置为从具有第二波长的光生成第二信息。所述第一光电转换器的水平表面面积不同于所述第二光电转换器的第二水平表面面积。一种图像传感器模块包括所述图像传感器；光源，所述光源被配置为向目标对象发射光；以及双带通滤波器，所述双带通滤波器被配置为选择性地通过从所述目标对象反射的光。
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公开(公告)号：CN108696701A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810092712.9
申请日：2018-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：第一光电元件；第一光电元件下方的第二光电元件；以及第二光电元件下方包括第一半导体器件和第二半导体器件的像素电路。第一半导体器件连接到第一光电元件中的至少一个。第二半导体器件连接到第二光电元件中的至少一个。第一半导体器件连接到不同的第一光电元件并且在多个像素区域中的一个像素区域中。
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公开(公告)号：CN108695353A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810325115.6
申请日：2018-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H04N5/3591 , H04N5/3597 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37457 , H04N5/378 , H01L27/14601 , H01L27/14605 , H01L27/1461 , H01L27/14643
Abstract: 一种图像传感器包含光电转换元件和耦合到光电转换元件的电荷存储节点。电荷存储节点可存储光电转换元件中产生的光电荷。电荷存储节点可包含半导体衬底中的浮动扩散区、半导体衬底中的浮动扩散区上的势垒掺杂区以及半导体衬底中的势垒掺杂区上的电荷漏区，其中半导体衬底与第一导电类型相关，浮动扩散区与第二导电类型相关，势垒掺杂区与第一导电类型相关，以及电荷漏区与第二导电类型相关。
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公开(公告)号：CN108307180A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201710706673.2
申请日：2017-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 王一兵 , 李泰渊 , 伊利亚·奥夫相尼科夫
Abstract: 提供了图像传感器中的像素、成像单元、用于测距的系统及方法。在图像传感器中的每个像素内将飞行时间(TOF)技术与模拟振幅调制相结合。像素可为双抽头像素或单抽头像素。像素中的两个光电子接收器电路接收各自的模拟调制信号。接收的光电子电荷在这两个电路之间的分布是由两个模拟调制电压的差(或比值)控制的。在像素内以此方式生成的差分信号为了TOF测量而在时域中被调制。因此，TOF信息通过像素自身内部的基于模拟域的单端差分转换器被添加到接收的光信号。基于TOF的距离测量及其分辨率通过改变调制的持续时间是可控制的。具有这些特征的自主导航系统可在诸如低光、雾、恶劣天气或强环境光的困难的驾驶条件下为驾驶员提供改善的视野。
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