公开(公告)号：CN110571230A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910148452.7

申请日：2019-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东灿 ,  金宽植 ,  金保延 ,  徐恩成 ,  尹一永 ,  崔承勋

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：基底，包括用于接收光并产生图像数据的传感器区域和与传感器区域相邻的焊盘区域；绝缘层，在基底上；下透明电极，在传感器区域中的绝缘层上；以及蚀刻停止层，在传感器区域和焊盘区域中的绝缘层上。蚀刻停止层可以包括氮化硅。下透明电极的最上表面相对于基底的高度可以基本上等于蚀刻停止层的上表面相对于基底的高度。

公开(公告)号：CN109585473A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811132946.8

申请日：2018-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹惺铉 ,  权杜原 ,  金宽植 ,  白寅圭 ,  宋泰荣

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种制造图像感测设备的方法，包含：形成包含像素区域的第一区域的第一衬底结构，第一衬底结构具有第一表面和第二表面；形成包含用于驱动像素区域的电路区域的第二衬底结构，第二衬底结构具有第三表面和第四表面；将第一衬底结构结合到第二衬底结构，以使得第一表面连接到第三表面；在第二表面上形成像素区域的第二区域；形成第一连接通孔，第一连接通孔从第二表面延伸以穿过第一衬底结构；使用导电凸块将半导体芯片安装在第四表面上；以及将第一衬底结构、第二衬底结构以及半导体芯片的堆叠结构分离成单元图像感测设备。

公开(公告)号：CN118431241A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202311645195.0

申请日：2023-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金井山 ,  金宽植 ,  崔津榕 ,  金嘉映 ,  金泰暋 ,  朴龙纯 ,  白寅圭 ,  李承祜

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/76

Abstract: 公开了图像传感器和包括图像传感器的电子系统。所述图像传感器包括：下绝缘膜，布置在基底上方并且具有非平坦表面，非平坦表面具有凹凸形状并且包括第一表面和至少一个第二表面，第一表面在与基底的前侧表面平行的水平方向上延伸，并且所述至少一个第二表面从第一表面朝向基底延伸；电容器，布置在下绝缘膜上以接触下绝缘膜的非平坦表面，并且沿着下绝缘膜的非平坦表面的轮廓共形地覆盖下绝缘膜的非平坦表面；上绝缘膜，覆盖电容器和下绝缘膜；以及至少一个空气间隙，具有在水平方向上面向下绝缘膜的所述至少一个第二表面的侧面，并且具有在垂直方向上由上绝缘膜限定的高度。

公开(公告)号：CN110828493B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201910503830.9

申请日：2019-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉准 ,  金宽植 ,  金昶和 ,  朴商秀 ,  赵万根

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，包括与光入射的第二表面相对的第一表面；第一光电转换层，位于衬底中；包括多个布线层的布线结构，位于衬底的第一表面上；层间绝缘膜，位于衬底的第二表面上；电容器结构，位于层间绝缘膜中；以及第一布线，位于层间绝缘膜上。所述电容器结构包括依次堆叠在衬底的第二表面上的第一导电图案、介电图案和第二导电图案。第二导电图案连接到第一布线。

公开(公告)号：CN109728012B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201811210354.3

申请日：2018-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹惺铉 ,  权杜原 ,  金宽植 ,  宋泰荣 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像感测设备，该图像感测设备包括第一基底结构、第二基底结构和存储器芯片。第一基底结构包括具有光电转换元件的像素区域。第二基底结构包括连接到第一基底结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且还包括电路区域以驱动像素区域。存储器芯片安装在第二基底结构的第二表面上。第一基底结构和第二基底结构通过穿过第一基底结构的第一连接过孔电连接。第二基底结构和存储器芯片通过穿过第二基底结构的一部分的第二连接过孔电连接。第一连接过孔和第二连接过孔在平面上位于不同位置处。

公开(公告)号：CN114823756A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210072528.4

申请日：2022-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴商秀 ,  金宽植 ,  金昶和 ,  金太䪸 ,  林奎显

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：衬底，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及像素隔离部分，其设置在衬底中，并且被配置为将单位像素彼此隔离。像素隔离部分包括：第一填充绝缘图案，其从第一表面朝着第二表面延伸，并且具有空气间隙区，第一填充绝缘图案包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁；导电结构，其包括第一侧壁上的第一部分、第二侧壁上的第二部分和将第一部分和第二部分连接的连接部分；以及绝缘衬垫，其设置在第一部分与衬底之间，并且设置在第二部分与衬底之间。

公开(公告)号：CN110993628A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201910521368.5

申请日：2019-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宽植 ,  金昶和 ,  金润庆 ,  朴商秀 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/30

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：第一基底；第一结构，位于第一基底的前表面上，第一结构包括围绕第一导电层的第一层间绝缘层；第二基底；第二结构，位于第二基底的面对第一基底的前表面的前表面上，第二结构包括第二层间绝缘层，第二层间绝缘层结合到第一层间绝缘层；有机光电层，位于第二基底的后表面上；以及通路电极结构，穿过第二基底和第二结构与第一导电层接触，通路电极结构包括位于通路电极结构中的气隙。

公开(公告)号：CN110880519A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910500928.9

申请日：2019-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  金宽植 ,  朴商秀 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有位于其中的光电转换元件；第一通孔，延伸到基底的第一表面，使得第一通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露，第一通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸；第一绝缘膜至第三绝缘膜，顺序堆叠在基底的第一表面上；以及接触件，延伸穿过第一绝缘膜至第三绝缘膜，并延伸到第一通孔的第二上表面。接触件包括在第一通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分、在第二绝缘膜中的第三部分和在第三绝缘膜中的第四部分。

公开(公告)号：CN110556397A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910160093.7

申请日：2019-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉准 ,  金宽植 ,  李范硕 ,  林海敏 ,  赵万根

IPC: H01L27/30 ,  H01L51/44

Abstract: 提供了一种有机图像传感器。有机图像传感器包括包含彼此间隔开的多个第一电极的像素电极。有机图像传感器包括包含突出超过所述多个第一电极的表面的突出部的绝缘区。有机图像传感器包括在像素电极和绝缘区的突出部上的有机光电转换层。此外，有机图像传感器包括与像素电极相对并且在有机光电转换层上的第二电极。

公开(公告)号：CN109962054A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811215891.7

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉准 ,  权杜原 ,  金宽植 ,  宋泰荣 ,  尹惺铉

IPC: H01L23/522

Abstract: 公开了一种具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置。所述半导体装置包括形成在衬底上的通孔插塞和形成在通孔插塞的一端处的用于互连的金属层，其中绝缘结构位于用于互连的金属层下方，并且绝缘结构根据与用于互连的金属层的位置关系具有不同的分层结构。