公开(公告)号：CN110571230A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910148452.7

申请日：2019-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东灿 ,  金宽植 ,  金保延 ,  徐恩成 ,  尹一永 ,  崔承勋

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：基底，包括用于接收光并产生图像数据的传感器区域和与传感器区域相邻的焊盘区域；绝缘层，在基底上；下透明电极，在传感器区域中的绝缘层上；以及蚀刻停止层，在传感器区域和焊盘区域中的绝缘层上。蚀刻停止层可以包括氮化硅。下透明电极的最上表面相对于基底的高度可以基本上等于蚀刻停止层的上表面相对于基底的高度。

公开(公告)号：CN110571230B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN201910148452.7

申请日：2019-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东灿 ,  金宽植 ,  金保延 ,  徐恩成 ,  尹一永 ,  崔承勋

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：基底，包括用于接收光并产生图像数据的传感器区域和与传感器区域相邻的焊盘区域；绝缘层，在基底上；下透明电极，在传感器区域中的绝缘层上；以及蚀刻停止层，在传感器区域和焊盘区域中的绝缘层上。蚀刻停止层可以包括氮化硅。下透明电极的最上表面相对于基底的高度可以基本上等于蚀刻停止层的上表面相对于基底的高度。