公开(公告)号：CN110872472A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910801210.3

申请日：2019-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保延 ,  高井健次 ,  金度润 ,  金相均 ,  尹普彦

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321

Abstract: 公开了一种用于化学机械抛光(CMP)的浆料组合物，其包括用作抛光粒子的富勒醇和氢氧化烷基铵二者的复合化合物。可低成本大量制备展现出优秀抛光特性的所述浆料组合物。还公开了一种制备浆料组合物的方法，其包括：通过使氢氧化烷基铵、过氧化氢和富勒烯反应获得富勒醇复合化合物和未反应的过氧化氢的混合物；通过将过氧化氢分解催化剂粒子加入混合物中去除未反应的过氧化氢；通过过滤从混合物中分离过氧化氢分解催化剂粒子；以及将抛光添加剂加入混合物。还公开了一种制造半导体装置的方法，其包括：提供限定沟槽的图案；在所述图案上形成金属材料膜以填充沟槽；以及所述利用浆料组合物执行金属材料膜的CMP。

公开(公告)号：CN110571230B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN201910148452.7

申请日：2019-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东灿 ,  金宽植 ,  金保延 ,  徐恩成 ,  尹一永 ,  崔承勋

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：基底，包括用于接收光并产生图像数据的传感器区域和与传感器区域相邻的焊盘区域；绝缘层，在基底上；下透明电极，在传感器区域中的绝缘层上；以及蚀刻停止层，在传感器区域和焊盘区域中的绝缘层上。蚀刻停止层可以包括氮化硅。下透明电极的最上表面相对于基底的高度可以基本上等于蚀刻停止层的上表面相对于基底的高度。

公开(公告)号：CN111490048A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201911270314.2

申请日：2019-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔承勋 ,  具滋应 ,  金官性 ,  金保延 ,  金完敦 ,  尹普彦 ,  任廷爀 ,  全艺伶

IPC: H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573

Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；层间绝缘层，位于所述半导体衬底上，所述层间绝缘层包括：第一开口，所述第一开口在所述第一区域上，并且具有第一宽度；以及第二开口，所述第二开口在所述第二区域上，并且具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；至少一个第一金属图案，所述至少一个第一金属图案填充所述第一开口；第二金属图案，所述第二金属图案位于所述第二开口中；以及填充图案，所述填充图案在所述第二开口中位于所述第二金属图案上，其中，所述至少一个第一金属图案和所述第二金属图案均包括相同的第一金属材料，所述填充图案由非金属材料形成。

公开(公告)号：CN111490048B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN201911270314.2

申请日：2019-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔承勋 ,  具滋应 ,  金官性 ,  金保延 ,  金完敦 ,  尹普彦 ,  任廷爀 ,  全艺伶

IPC: H10B41/10 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B41/42 ,  H10B43/10 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40

Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；层间绝缘层，位于所述半导体衬底上，所述层间绝缘层包括：第一开口，所述第一开口在所述第一区域上，并且具有第一宽度；以及第二开口，所述第二开口在所述第二区域上，并且具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；至少一个第一金属图案，所述至少一个第一金属图案填充所述第一开口；第二金属图案，所述第二金属图案位于所述第二开口中；以及填充图案，所述填充图案在所述第二开口中位于所述第二金属图案上，其中，所述至少一个第一金属图案和所述第二金属图案均包括相同的第一金属材料，所述填充图案由非金属材料形成。

公开(公告)号：CN110571230A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910148452.7

申请日：2019-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东灿 ,  金宽植 ,  金保延 ,  徐恩成 ,  尹一永 ,  崔承勋

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：基底，包括用于接收光并产生图像数据的传感器区域和与传感器区域相邻的焊盘区域；绝缘层，在基底上；下透明电极，在传感器区域中的绝缘层上；以及蚀刻停止层，在传感器区域和焊盘区域中的绝缘层上。蚀刻停止层可以包括氮化硅。下透明电极的最上表面相对于基底的高度可以基本上等于蚀刻停止层的上表面相对于基底的高度。

公开(公告)号：CN103295879A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310020701.7

申请日：2013-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权炳昊 ,  李根泽 ,  高镛璿 ,  金弘镇 ,  裴相元 ,  安时庆 ,  梁凖烈 ,  韩索 ,  金保延 ,  洪命基

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76841 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/76861

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成包含第一金属的第一层；形成包含第二金属的第二层，所述第二层与所述第一层相邻；对所述第一层和第二层的顶面进行研磨；以及使用清洁溶液对所述第一层和第二层进行清洁。所述清洁溶液可包含对所述第一层和第二层进行腐蚀的腐蚀溶液和防止所述第二层被过度腐蚀的抑制剂。