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公开(公告)号：CN111430389B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201911423578.7
申请日：2019-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个光电转换器件，所述多个光电转换器件在所述衬底内彼此不直接接触；第一沟槽，所述第一沟槽被构造为从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的内部并且在所述多个光电转换器件中的相邻光电转换器件之间延伸；第一支撑件，所述第一支撑件在所述第一沟槽内；以及第一隔离层，所述第一隔离层在所述第一沟槽内至少部分地覆盖所述第一支撑件的两个侧壁，其中，所述第一支撑件的下表面与所述衬底的所述第一表面共面。
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公开(公告)号：CN111081725B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201910938386.3
申请日：2019-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器、图像传感器模块和制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括：光电转换器，位于基底的像素区域中，以响应于入射到像素区域上的入射光而产生光电子；信号发生器，在像素区域中位于基底的第一表面上，以根据光电子产生与对象的图像信息对应的电信号；以及像素分离图案，从基底的第一表面到基底的与基底的第一表面相对的第二表面穿透基底，像素分离图案包括折射率小于基底的折射率的绝缘图案和被绝缘图案围绕的金属导电图案，并且像素区域被像素分离图案围绕并与邻近像素区域隔离。
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公开(公告)号：CN118486694A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410176635.0
申请日：2024-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金局泰
IPC: H01L27/146 , H04N23/15 , H04N23/16 , H04N25/13 , H04N25/703
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，具有像素分离凹槽；在基板中的多个光感测元件；以及像素分离区，填充像素分离凹槽，其中像素分离区包括：第一绝缘层，覆盖像素分离凹槽的内壁；第一导电层，在像素分离凹槽内覆盖第一绝缘层的侧表面的至少一部分；第二绝缘层，在由第一导电层限定的内部空间内覆盖第一导电层的侧表面的一部分；以及第二导电层，填充由第一导电层限定的内部空间中未被第二绝缘层填充的空间的全部，并且与第一导电层连接并接触。
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公开(公告)号：CN117995857A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311443165.1
申请日：2023-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：基板，包括第一表面以及与第一表面相反的第二表面；以及在基板中的像素分离部，像素分离部将多个像素彼此分离，所述多个像素包括在顺时针方向上的第一至第四像素，像素分离部包括在第一像素和第二像素之间的第一部分以及在第一像素和第三像素之间的第二部分。第一部分和第二部分中的每个包括覆盖基板的侧表面的第一电介质图案以及覆盖第一电介质图案的侧表面的第一硅图案。第二部分还包括与第一硅图案的侧壁相邻的第二硅图案。第二硅图案在俯视图中具有菱形形状。
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公开(公告)号：CN115132766A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210116471.3
申请日：2022-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器包括：半导体衬底，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一像素隔离结构，其设置在从半导体衬底的第一表面垂直地延伸并限定多个像素区的第一沟槽中；以及第二像素隔离结构，其设置在从半导体衬底的第二表面垂直地延伸的第二沟槽中。第二像素隔离结构与第一像素隔离结构重叠。第一像素隔离结构包括：衬里半导体图案，其将间隙区限定在第一沟槽中，衬里半导体图案包括侧壁部分和连接侧壁部分的底部部分；衬里绝缘图案，其设置在衬里半导体图案和半导体衬底之间；以及封盖绝缘图案，其设置在衬里半导体图案的间隙区中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107068565B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201610879028.6
申请日：2016-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。可在衬底上形成伪栅电极层和伪栅极掩模层。可将伪栅极掩模层图案化以形成伪栅极掩模，从而暴露出伪栅电极层的一部分。可通过倾斜离子注入将离子注入伪栅电极层的暴露部分中以及伪栅电极层的与伪栅电极层的暴露部分邻近的一部分中，以在伪栅电极层中形成生长阻挡层。可利用伪栅极掩模作为蚀刻掩模对伪栅电极层进行蚀刻，以形成伪栅电极。可在包括伪栅电极和伪栅极掩模的伪栅极结构的侧表面上形成间隔件。可执行选择性外延生长工艺，以形成外延层。
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公开(公告)号：CN111430389A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201911423578.7
申请日：2019-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个光电转换器件，所述多个光电转换器件在所述衬底内彼此不直接接触；第一沟槽，所述第一沟槽被构造为从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的内部并且在所述多个光电转换器件中的相邻光电转换器件之间延伸；第一支撑件，所述第一支撑件在所述第一沟槽内；以及第一隔离层，所述第一隔离层在所述第一沟槽内至少部分地覆盖所述第一支撑件的两个侧壁，其中，所述第一支撑件的下表面与所述衬底的所述第一表面共面。
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公开(公告)号：CN120051018A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202410750883.1
申请日：2024-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了图像传感器。所述图像传感器包括：半导体基底，具有第一导电类型并且包括彼此背对的第一表面和第二表面；多个光电转换区，在半导体基底中并且具有第二导电类型；以及第一像素隔离结构，位于在第一方向上彼此邻近的光电转换区之间。第一像素隔离结构包括：第一导电图案，与半导体基底邻近并且具有从第一表面延伸到第二表面的形状；内部介电图案，在第一导电图案的内侧表面上；掩埋介电图案，在内部介电图案上；以及蚀刻停止层，在内部介电图案与掩埋介电图案之间。
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公开(公告)号：CN119230568A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410248456.3
申请日：2024-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括彼此背对的第一表面和第二表面，其中，基底包括多个像素区域；隔离图案，从第一表面延伸并延伸到基底中，其中，隔离图案位于所述多个像素区域之间；以及抗反射层，位于隔离图案上，其中，隔离图案包括第一器件隔离图案和第二器件隔离图案，第一器件隔离图案接触抗反射层，第二器件隔离图案与抗反射层间隔开，其中，第一器件隔离图案包括第一介电层和导电反射层，导电反射层位于第一介电层上，其中，导电反射层的顶表面和第一介电层的顶表面距基底的第二表面相同的距离。
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公开(公告)号：CN118315401A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410304518.8
申请日：2019-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：半导体基板，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及像素隔离膜，在像素沟槽中，从半导体基板的第一表面延伸到半导体基板中，像素隔离膜在半导体基板中限定有源像素，其中像素隔离膜包括：绝缘衬垫，在像素沟槽的内壁上；界面层，在像素沟槽中的绝缘衬垫上，界面层具有第一端和第二端，界面层的第一端比界面层的第二端更靠近第一表面；以及掩埋层，在界面层上并填充像素沟槽的内部，和其中界面层的第一端具有第一宽度，界面层的第二端具有第二宽度，第二宽度比第一宽度大，界面层设置在绝缘层和掩埋层之间。
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