高介电常数的钛酸钡/聚合物复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103382240A

    公开(公告)日:2013-11-06

    申请号:CN201310295859.5

    申请日:2013-07-15

    Abstract: 本发明公开了一种高介电常数的钛酸钡/聚合物复合材料及其制备方法;所述复合材料包括如下体积百分含量的各组分:单核1~60%,内壳3~30%,外壳20~80%,所述单核为钛酸钡陶瓷颗粒,所述内壳为具有高介电常数的聚酰胺,所述外壳为介电常数较低的聚甲基丙烯酸甲酯。本发明还涉及前述的复合材料的制备方法,本发明复合材料中的单核先用氨基硅烷作表面处理,引入有机官能团,然后依次分散到不同单体溶液中,得到核-壳-壳之间共价键连接结构的复合材料,所述复合材料具有高的介电常数,低的介电损耗,无机颗粒均匀分布的特征;本发明复合材料适用于制备嵌入式电容器、高储能电容、场发射三极管等先进电子电器设备。

    一种抗水树电缆绝缘材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101717542A

    公开(公告)日:2010-06-02

    申请号:CN200910310083.3

    申请日:2009-11-20

    Abstract: 本发明公开了一种抗水树电缆绝缘材料的制备方法,采用了极性分子改性的芳香性弹性体共聚物、过氧化物交联剂、聚乙烯树脂以及抗氧剂,通过熔融共混法制备。本发明制备的抗水树绝缘材料可以显著抑制电缆绝缘层中的交联聚乙烯因水电老化而产生的水树的长度,其水树长度是同等条件下过氧化物交联聚乙烯的40%,显著提高了绝缘电缆的使用寿命。

    一种辐射制冷用反蛋黄壳结构光散射体及其制备方法

    公开(公告)号:CN118185588A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410168491.4

    申请日:2024-02-06

    Abstract: 本发明公开了一种辐射制冷用反蛋黄壳结构光散射体及其制备方法,涉及材料制备技术领域,所述方法包括:S1、加入硅源、相变石蜡乳液模板,升温至相变石蜡熔点以上形成油相;S2、另加入水、硅源水解抑制剂与乳化剂,形成水相;S3、在剧烈搅拌之下将S1油相加入S2水相中,高速均质乳化;S4、向S3的反应物中加入硅源生长催化剂并在机械搅拌下加热、反应;S5、将S4中的反应产物抽滤、洗涤,得到反蛋黄壳结构光散射体材料。本发明通过一步设计合成反蛋黄壳结构光散射体材料,合成方法简单,合成的光散射体材料的结构可调控性强,用于辐射制冷技术,可以制备得到具有超高阳光反射率及相变功能的辐射制冷材料。

    高介电、高储能纳米复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107901523B

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN201711056990.0

    申请日:2017-10-27

    Abstract: 本发明提供了一种高介电、高储能纳米复合材料的制备方法,其包括如下步骤:分别制备静电纺丝前驱体溶液、涂膜前驱体溶液A和涂膜前驱体溶液B;将所述静电纺丝前驱体溶液进行静电纺丝,得到有序纤维膜;将所述涂膜前驱体溶液A进行流延成膜,得到流延膜A,将所述有序纤维膜平铺于所述流延膜A的表面,干燥后在有序纤维膜A的表面进行涂膜前驱体溶液B的流延,形成流延膜B;在200℃下进行淬火,得到所述高介电、高储能纳米复合材料。本发明制备的纳米复合材料结构致密,克服了传统电纺纤维膜气孔率高等缺点,在静电电容器、电压力控制系统、电缆绝缘、晶体管等方面有着广泛的潜在应用。

    高温静电储能双链结构聚合物电介质及制备方法

    公开(公告)号:CN113087879A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110567266.4

    申请日:2021-05-24

    Inventor: 黄兴溢 陈杰

    Abstract: 本发明公开了一种高温静电储能双链结构聚合物电介质及制备方法,该双链聚合物绝缘材料的结构通式为:其中n表示重复结构的单元数。所述聚合物是经Grubbs催化剂引发双官能降冰片烯吡咯烷单体进行开环易位聚合(ROMP)得到。该聚合物具有双主链的分子结构,其中二苯砜基结构即是该聚合物的桥连单元,也是极性偶极单元。本发明所制备的聚合物薄膜具有透明,柔性,易加工、高玻璃化转变温度,高热导率、高介电常数,低介电损耗,高储能密度及高储能效率等特点,在200℃下表现出稳定的静电储能特性,适用于制备在高温环境下的高储能密度电容、嵌入式电容器、场效应晶体管等先进电子电器设备。

    高储能密度聚合物复合电介质及其制备方法

    公开(公告)号:CN106543606B

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201610972805.1

    申请日:2016-11-04

    Abstract: 本发明公开了一种高储能密度聚合物复合电介质及其制备方法;所述复合电介质包括质量分数为55~97.5%的含氟铁电聚合物基体和45~2.5%的多巴胺改性的高介电常数纳米填料。所述制备方法为通过溶液共混、流延成膜和热压成型的工艺制备。本发明将高介电常数纳米颗粒先采用具有长链结构的多巴胺进行接枝改性,所述具有长链结构的多巴胺既可以改善高介电常数纳米颗粒的分散性,又可以与含氟铁电聚合物基体良好相容,增强聚合物基体与高介电常数纳米颗粒填料之间的界面结合力。本发明所制备的高储能密度聚合物复合电介质具有质量轻、柔韧性好、储能密度高等特点,适用于制备高储能密度电容、嵌入式电容器、场效应晶体管等先进电子电器设备。

    一种柔性聚合物基石墨烯泡沫材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103254656B

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201310145041.5

    申请日:2013-04-24

    Abstract: 本发明涉及石墨烯泡沫复合材料领域,尤其涉及一种多孔的柔性聚合物基石墨烯泡沫材料及其制备方法。本发明的柔性聚合物基石墨烯泡沫材料,所述泡沫材料中,聚合物泡沫所占的比例为90‑99.9wt%,石墨烯所占的比例为0.1‑10wt%。与现有技术相比,本发明的柔性聚合物基石墨烯泡沫材料的体积可依据需要制备,且具有优异的压缩和回弹力学性能、导电性能和表面疏水性。

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