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公开(公告)号：CN119763628A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411662816.0
申请日：2024-11-20
IPC: G11C11/417 , G11C11/412 , G11C11/419
Abstract: 本发明提供了一种基于三冗余反馈的高可靠性21T抗辐照SRAM单元电路及设备，SRAM单元包含十二个NMOS晶体管N1～N12和九个PMOS晶体管P1～P9；N7‑N12的栅极连接字线WL，均由WL控制；P4～P9作为上拉晶体管，N1‑N6作为下拉晶体管，P1～P3作为锁存控制管，其连接方式相互锁存并构建反馈回路；六个存储节点S0～S5与通过传输管N7～N12分别于位线BL和BLB连接。本发明的抗辐照SRAM单元在写入的过程中，通过三对传输管同时传输数据，提高写稳定性并降低写延迟，同时构建相互反馈的冗余节点对，具有完全抗单节点翻转与双节点翻转的能力，并对部分三节点翻转具有容错能力。
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公开(公告)号：CN119637116A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411861726.4
申请日：2024-12-17
Applicant: 上海卫星装备研究所
Abstract: 本发明提供一种抗中子、电子、质子辐射的相变储能一体化结构及其制备方法。本发明针对航天器内部敏感单机抗辐射要求及热控要求，提出了一种抗粒子辐射的相变储能一体化结构及其制备方法，包括点阵增强空腔结构、多功能相变工质。所述点阵增强空腔结构为点阵增强的密封连通结构，兼具导热和承载功能。所述多功能相变工质为相变基体材料掺杂辐射防护纳米粒子，填充于点阵增强空腔结构的空腔中，实现粒子防护和相变储能的功能。本发明结构简单合理，附加重量小，可实施性强，可灵活应用于航天器内部敏感单机中子、电子、质子辐射防护及热控，提升航天器在轨运行可靠性和寿命。
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公开(公告)号：CN118843303A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410999002.X
申请日：2024-07-24
Applicant: 上海卫星装备研究所
Abstract: 本发明提供了一种面向卫星敏感单机的抗强电磁脉冲防护结构及制备方法，包括吸波超构材料层和相变储热板，吸波超构材料层包括网格状三维吸波超构材料结构，吸波超构材料层以相变储热板的一侧表面为金属基底，相变储热板包括点阵夹层结构板，点阵夹层结构板内部为密封连通结构，其内部空腔充装相变工质。本发明通过吸波超构材料层吸收强电磁脉冲，发生热转换，热量由相变储热板传导吸收，避免局部过热；简单合理，附加重量小，可实施性强，可以灵活应用于卫星敏感单机防护结构，减少强电磁脉冲对敏感单机的损伤和破坏，同时兼具承载和储热功能，满足航天器轻量化要求，显著提高了航天器在轨运行的可靠性和安全性。
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公开(公告)号：CN116082877A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211728205.2
申请日：2022-12-29
Applicant: 上海卫星装备研究所
Abstract: 本发明公开了一种高反射率填料及其无机热控涂层的制备方法；该涂层包括面漆和覆盖层组成；面漆涂料以改性高模数硅酸钾树脂溶液为粘结剂，改性纳米氧化锌为高反射率填料；覆盖层以改性高模数硅酸钾树脂溶液为主。本发明的热控涂层外观为近白色、厚度为100‑150μm、太阳吸收比为0.08‑0.16，半球发射率为0.90‑0.92、总质损TML
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公开(公告)号：CN112071358A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010881162.6
申请日：2020-08-27
Applicant: 上海卫星装备研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供了一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应综合测试装置，包括：PC机、上位机、下位机、单粒子效应模拟源、充放电效应模拟源以及电磁屏蔽单元；所述PC机通过串口与上位机相连；所述串口的通信协议为RS232；所述下位机置于模拟源环境中；所述模拟源环境为单粒子效应模拟源或充放电效应模拟源；所述上位机通过高频信号线与下位机相连；所述上位机与下位机通信的信号速率小于或者等于50MHZ。本发明能够在实验室模拟源辐照条件下获取SRAM存储器单粒子效应、充放电效应的特征参数，如翻转截面、翻转曲线、翻转阈值等信息参数，不用针对不同的效应更换上位机和PC机。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116082877B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202211728205.2
申请日：2022-12-29
Applicant: 上海卫星装备研究所
Abstract: 本发明公开了一种高反射率填料及其无机热控涂层的制备方法；该涂层包括面漆和覆盖层组成；面漆涂料以改性高模数硅酸钾树脂溶液为粘结剂，改性纳米氧化锌为高反射率填料；覆盖层以改性高模数硅酸钾树脂溶液为主。本发明的热控涂层外观为近白色、厚度为100‑150μm、太阳吸收比为0.08‑0.16，半球发射率为0.90‑0.92、总质损TML
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公开(公告)号：CN112071358B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202010881162.6
申请日：2020-08-27
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供了一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应综合测试装置，包括：PC机、上位机、下位机、单粒子效应模拟源、充放电效应模拟源以及电磁屏蔽单元；所述PC机通过串口与上位机相连；所述串口的通信协议为RS232；所述下位机置于模拟源环境中；所述模拟源环境为单粒子效应模拟源或充放电效应模拟源；所述上位机通过高频信号线与下位机相连；所述上位机与下位机通信的信号速率小于或者等于50MHZ。本发明能够在实验室模拟源辐照条件下获取SRAM存储器单粒子效应、充放电效应的特征参数，如翻转截面、翻转曲线、翻转阈值等信息参数，不用针对不同的效应更换上位机和PC机。
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公开(公告)号：CN112071357B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010879924.9
申请日：2020-08-27
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供了一种基于FPGA的SRAM存储器充放电效应测试系统及方法，包括：测试单元；所述测试单元包括：PC机、上位机、下位机、充放电效应模拟源、电磁屏蔽单元；所述电磁屏蔽单元包括：金属板、法拉第笼；所述PC机通过串口与上位机相连；所述上位机通过屏蔽线与下位机相连；所述下位机安放于模拟源环境中；所述PC机、上位机、电源系统安装于电磁屏蔽单元中。本发明首次提出SRAM存储器充放电效应测试方法，利用本发明所述的测试方法能够实现对SRAM存储器由充放电效应产生的故障进行测试。
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公开(公告)号：CN114264380A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111388365.2
申请日：2021-11-22
Applicant: 上海卫星装备研究所
IPC: G01J5/53
Abstract: 本发明提供了一种基于标准辐亮度计的卫星红外载荷定标系统及方法，直线移动平台用于承载液氮制冷低温黑体和可变温标准黑体在直线导轨上移动；可变温标准黑体发出的标准红外辐射光源经过离轴反射镜反射后再经平面反射镜反射透过真空窗口入射至红外标准辐亮度计；红外标准辐亮度计安装在第一高精度转台上，卫星红外载荷安装在第二高精度转台上；第一高精度转台和第二高精度转台安装在直线移动平台上；计算机通过运动机构控制器控制直线移动平台沿着导轨来回移动；计算机通过运动机构控制器控制直线移动平台、第一高精度转台以及第一高精度转台。本发明大大提升了卫星红外载荷定标精度和效率。
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公开(公告)号：CN117877615A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311776763.0
申请日：2023-12-21
Applicant: 上海卫星装备研究所
Abstract: 本发明提供了一种复合材料基空间辐射防护产品防护性能评估方法及系统，包括：步骤S1：通过高能质子辐照试验，测量穿透样品前后质子能量的变化，使用透射法计算材料对质子的阻止本领，计算样品对空间质子的防护效率；步骤S2：对系列不同厚度的样品，通过电子放射源或加速器生成系列电子能量组合的方式开展辐照试验，测量样品前后剂量片测得的能谱或单能电子的剂量，计算材料对空间电子的防护效率；步骤S3：由质子和电子的防护效率对产品的总体辐射防护效果进行评估。本发明解决在不同轨道空间能谱硬度差别大的情况下，聚合物辐射防护材料防护效率定义不清、防护效率参数适用范围小的问题。
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