公开(公告)号：CN112071358B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202010881162.6

申请日：2020-08-27

Applicant: 南京航天航空大学 ,  上海卫星装备研究所

Inventor： 路同山 ,  苏京 ,  李秀伟 ,  徐骏 ,  周博 ,  曹康丽 ,  潘阳阳 ,  高冬冬 ,  费涛 ,  刘刚

IPC: G11C29/56

Abstract: 本发明提供了一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应综合测试装置，包括：PC机、上位机、下位机、单粒子效应模拟源、充放电效应模拟源以及电磁屏蔽单元；所述PC机通过串口与上位机相连；所述串口的通信协议为RS232；所述下位机置于模拟源环境中；所述模拟源环境为单粒子效应模拟源或充放电效应模拟源；所述上位机通过高频信号线与下位机相连；所述上位机与下位机通信的信号速率小于或者等于50MHZ。本发明能够在实验室模拟源辐照条件下获取SRAM存储器单粒子效应、充放电效应的特征参数，如翻转截面、翻转曲线、翻转阈值等信息参数，不用针对不同的效应更换上位机和PC机。

公开(公告)号：CN112071358A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010881162.6

申请日：2020-08-27

Applicant: 上海卫星装备研究所

Inventor： 苏京 ,  李秀伟 ,  徐骏 ,  周博 ,  曹康丽 ,  潘阳阳 ,  高冬冬 ,  费涛 ,  刘刚

IPC: G11C29/56

Abstract: 本发明提供了一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应综合测试装置，包括：PC机、上位机、下位机、单粒子效应模拟源、充放电效应模拟源以及电磁屏蔽单元；所述PC机通过串口与上位机相连；所述串口的通信协议为RS232；所述下位机置于模拟源环境中；所述模拟源环境为单粒子效应模拟源或充放电效应模拟源；所述上位机通过高频信号线与下位机相连；所述上位机与下位机通信的信号速率小于或者等于50MHZ。本发明能够在实验室模拟源辐照条件下获取SRAM存储器单粒子效应、充放电效应的特征参数，如翻转截面、翻转曲线、翻转阈值等信息参数，不用针对不同的效应更换上位机和PC机。