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公开(公告)号：CN103424057B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310399725.8
申请日：2013-09-05
Applicant: 东南大学
IPC: G01B5/24
Abstract: 本发明公开了一种用于测量微机电结构偏转角度的游标尺结构，该结构既可以测量顺时针偏转角，也可以测量逆时针偏转角。微机电结构偏转角测量游标尺由一维移动测量游标尺；偏转指针板；相对型电热执行器；连接一维移动测量游标尺和相对型电热执行器的水平直梁，以及连接偏转指针板和相对型电热执行器的水平直梁组成。通过电热执行器推动角度测量指针偏转并同时带动游标尺结构水平直线移动。根据游标尺的水平移动量和设计参数并由简单地数学计算得到指针所发生的角度偏转量。通过该游标尺可以测量微机电器件受驱动所产生的偏转角，也可以测量结构释放时因残余应力而产生的偏转角。
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公开(公告)号：CN104034604A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410243543.6
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种绝缘衬底上薄膜硅材料残余应力的测试结构及方法，其测试结构由两组结构构成。其中第一组由一个多晶硅悬臂梁、一个薄膜硅双端固支梁、一个由薄膜硅制作的垫板组成；第二组由一个多晶硅悬臂梁和一个由薄膜硅制作的垫板组成。实际测量薄膜硅残余应力的单元是薄膜硅双端固支梁，而两组结构的差别仅在于是否包括薄膜硅双端固支梁，两组结构中其他对应单元结构和几何尺寸完全相同。施加静电力使多晶硅悬臂梁下弯并进而下压薄膜硅双端固支梁和垫板接触衬底。通过两组测试结构的测试提取出单独驱动薄膜硅双端固支梁达到测试挠度所需要的力，由力、测试挠度、杨氏模量和几何尺寸可以计算得到绝缘衬底上薄膜硅材料的残余应力。本发明的测试结构、测量方法和参数提取的方法极其简单。
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公开(公告)号：CN102589965B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210005078.3
申请日：2012-01-10
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/00
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅泊松比在线测试结构，包括绝缘衬底、非对称的多晶硅十字梁、第一多晶硅下极板和第二多晶硅下极板，并通过静电力驱动的方式使非对称的多晶硅十字梁发生偏转，从而根据几何关系和材料力学原理获得多晶硅材料的泊松比参数。本发明通过激励电压所产生的静电力使测试结构发生转动，通过结构设计使最大扭转角成为已知量，并根据测试结构达到最大扭转角时的激励电压测量值，以及已知的结构几何参数和物理参数计算得到多晶硅材料的泊松比，因而测试设备要求低，且测试方法简单，测试过程及测试参数值稳定。多晶硅加工制备过程与后续微机电器件（MEMS）的制造同步进行时，没有特殊加工要求，完全符合在线测试的要求。
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公开(公告)号：CN103439031A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310401239.5
申请日：2013-09-05
Applicant: 东南大学
IPC: G01L1/06
Abstract: 本发明提出了一种双层薄膜材料残余应力的测试结构，其中测量单元为圆柱支撑的第一层薄膜圆盘结构，在第一层薄膜圆盘平面上覆盖有另一层薄膜材料形成双层薄膜圆盘结构，在第一层薄膜圆盘边缘直径方向上延伸出一个直梁，直梁末端有一投影游标。利用简单双层薄膜圆盘结构并配合投影游标，可以获得MEMS常用薄膜材料的残余应力，并且可以推广到更多层薄膜材料情况下的各层薄膜残余应力测试，测量方法和参数提取的计算方法极其简单。
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公开(公告)号：CN103424064A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310399640.X
申请日：2013-09-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种用于测量微机电结构微小几何尺寸变化量和（或）移动量的高分辨率测微游标尺结构，该高分辨率测微游标尺结构包括：一维移动测量游标尺、用于移动量放大的杠杆机构和相对型电热执行器。该装置利用电流产生热驱动方式移动测试探头，利用杠杆结构增强灵敏度，利用特殊的游标尺测量等效移动量，由杠杆的放大倍率设计可以有效且简单地提高测微分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102963857A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210396317.2
申请日：2012-10-17
Applicant: 东南大学
IPC: B81B3/00
Abstract: 本发明公开了一种电磁驱动调变齿间隙的微机电梳齿机构，包括左移电磁执行器、右移电磁执行器、由左移定齿和右移定齿组成的定齿、动齿、第一锚区和绝缘衬底，左移电磁执行器与左移定齿的一端连接，左移定齿的另一端连接在第一锚区上，右移电磁执行器与右移定齿的一端连接，右移定齿的另一端连接在第一锚区上；左移定齿包括第一宽梁、左移梳齿、两个第一折叠梁；右移定齿包括第二宽梁、右移梳齿、两个第二折叠梁；动齿包括质量块、动齿梳齿、两个第二锚区和两个第三折叠梁；第一宽梁上设有左移止挡块，第二宽梁上设有右移止挡块。该微机电梳齿机构在电磁驱动下，调变齿间隙，使得微机电振动所产生的信号强。
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公开(公告)号：CN101916043B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010236322.8
申请日：2010-07-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强分布模拟方法，该方法用于厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强模拟模型，该模型为立方体，自上到下依次包括相互平行的掩模版(M)、补偿介质(C)、厚胶(R)和衬底(W)，在掩模版(M)设有掩模孔，该掩模孔的四个边界定点的坐标分别为A1(x1，y1，0)、A2(x2，y2，0)、A3(x3，y3，0)和A4(x4，y4，0)，补偿介质(C)的厚度为d1，厚胶(R)的厚度为d，厚胶(R)内任意一个网格坐标P(x，y，z)；厚胶(R)内任意一个网格坐标P(x，y，z)到掩膜版(M)的距离为z。该方法解决了目前没有厚胶紫外光垂直光刻工艺的高精度三维光强分布模拟方法的问题。
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公开(公告)号：CN101916043A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010236322.8
申请日：2010-07-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强分布模拟方法，该方法用于厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强模拟模型，该模型为立方体，自上到下依次包括相互平行的掩模板(M)、补偿介质(C)、厚胶(R)和衬底(W)，在掩模板(M)设有掩模孔，该掩模孔的四个边界定点的坐标分别为A1(x1，y1，0)、A2(x2，y2，0)、A3(x3，y3，0)和A4(x4，y4，0)，补偿介质(C)的厚度为d1，厚胶(R)的厚度为d，厚胶(R)内任意一个网格坐标P(x，y，z)；厚胶(R)内任意一个网格坐标P(x，y，z)到掩模板(M)的距离为z。该方法解决了目前没有厚胶紫外光垂直光刻工艺的高精度三维光强分布模拟方法的问题。
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公开(公告)号：CN1270351C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200410065791.2
申请日：2004-11-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 光刻胶三维刻蚀过程模拟的动态元胞自动机方法，采用三维的摩尔邻域，计算某一个元胞的刻蚀过程时，考虑6个相邻元胞和12个对角邻元胞对其刻蚀过程的影响，忽略8个点相邻元胞对其刻蚀过程的影响，制定规则确定模拟运算过程中不断更新的表面元胞，使得模拟过程中只需要计算表面元胞的刻蚀过程：一个元胞在某一时间步长内被完全刻蚀后，这一时间步长还可能有剩余时间，不忽略这些剩余时间，将这一剩余时间加到下一时间步长用于刻蚀其相邻元胞，且在计算表面元胞的剩余时间值时考虑该表面元胞的所有邻域内元胞的状态；本发明解决已有光刻胶刻三维刻蚀过程模拟方法难以同时达到稳定性、模拟速度和精度要求的问题。
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公开(公告)号：CN119354291A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411254487.6
申请日：2024-09-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种补偿热式流量计工艺误差的低自热恒温差控制电路及控制方法，包括加热电阻、环境温度电阻、控制电阻、启动电阻、第一电位器、第二电位器、第一~第六电阻、三极管、第一运算放大器、第二运算放大器、第三运算放大器和电源；第三运算放大器通过负反馈调节控制第一电阻、第二电阻、加热电阻和环境温度电阻为主体构成的惠斯通电桥处于平衡状态；第三~第六电阻通过分压降低环境温度电阻的加热功率，第一电位器和第二电位器的阻值可调，能够补偿加热电阻与环境温度电阻加工中产生的阻值与温度系数的误差。本发明能够更加精确的控制加热电阻的过热温度恒定不变，从而提高测量的精度。
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