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公开(公告)号：CN101980026B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010501597.X
申请日：2010-09-29
Applicant: 东南大学
Inventor： 李伟华
Abstract: 本发明提出的圆形硅膜二维风速风向传感器采用圆形的半导体硅薄膜作为传感面，采用圆形的半导体硅薄膜(104)作为传感面，传感器的最下层是半导体硅衬底(101)，在硅衬底(101)上设置一排发热电阻(102)，在具有发热电阻(102)的硅衬底(101)之上设置二氧化硅绝缘层(103)，在二氧化硅绝缘层(103)之上设置半导体硅薄膜(104)，金属电极(105)沿着圆形的半导体硅薄膜(104)边界一周均匀分布；利用热分布变化引起半导体薄膜电阻率分布变化的原理测量风速和风向。
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公开(公告)号：CN101980025B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010501568.3
申请日：2010-09-29
Applicant: 东南大学
Inventor： 李伟华
Abstract: 圆形铂金薄膜二维风速风向传感器的最下层是半导体硅衬底(101)，在硅衬底(101)上制作发热电阻(102)，在具有发热电阻(102)的硅衬底(101)之上是二氧化硅绝缘层(103)，二氧化硅绝缘层(103)之上采用圆形的铂金薄膜(104)作为传感面，铂金电极(105)位于圆形的铂金薄膜(104)的圆周外；由发热电阻产生的热量形成圆形的铂金薄膜电阻率的初始分布，流动的空气移动了热量并导致圆形的铂金薄膜电阻率分布发生变化，利用热分布变化引起铂金薄膜电阻率分布变化的原理测量风速和风向。
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公开(公告)号：CN101975870A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010501541.4
申请日：2010-09-29
Applicant: 东南大学
Inventor： 李伟华
Abstract: 本发明提出的矩形硅膜二维风速风向传感器采用矩形的半导体硅薄膜(104)作为传感面，传感器的最下层是半导体硅衬底(101)，在硅衬底(101)上设置一排发热电阻(102)，在具有发热电阻(102)的硅衬底(101)之上设置二氧化硅绝缘层(103)，在二氧化硅绝缘层(103)之上设置半导体硅薄膜(104)，金属电极(105)有16个，分别位于矩形的半导体硅薄膜(104)的一边均匀分布；利用热分布变化引起半导体薄膜电阻率分布变化的原理测量风速和风向。
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公开(公告)号：CN101320398A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810022645.X
申请日：2008-07-18
Applicant: 东南大学
Abstract: 微机电变截面固支梁系统级宏模型的建立方法涉及微机电系统(MEMS)器件系统级建模方法，在变截面固支梁一维信号流模型中引入弹性回复力修正项，将因宽梁部分的宽度方向弯曲所产生的两维效应转换为一维模型修正，使得模型精度远高于一维信号流图模型；借助此模型和方法可以方便地对不同尺寸双端固支变截面梁进行系统级模拟，分析变截面梁的静态行为和动态行为。
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公开(公告)号：CN1263093C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410066051.0
申请日：2004-12-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 薄膜二维淀积过程模拟的边界元胞自动机方法提供了一种用于薄膜二维淀积过程模拟的边界元胞自动机方法，该方法采用二维的摩尔邻域，在一个薄膜的淀积过程中，根据薄膜淀积过程中不断变化的衬底表面形貌确定各个时间步长时对应的淀积速率，并采用次级时间步长值确定圆形惠更斯波的产生过程；将一个元胞在某一时间步长内被完全淀积后的剩余时间加到下一时间步长用于淀积其相邻元胞，并确定这个元胞的所有邻域内元胞的状态与该元胞的剩余时间值的关系。解决已有薄膜二维淀积过程模拟边界方法难以同时达到初始条件简单、精度高、速度快的要求的问题。可以快速、高精度地模拟薄膜淀积过程，并可以方便地描述由于工艺缺陷产生的复杂边界条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1234592C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN03131591.7
申请日：2003-05-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 微电子机械系统器件大信号等效电路宏模型的建立方法是一种微电子机械系统(MEMS)器件大信号等效电路宏模型的建立方法，采用力与电压或力与电流类比的方法建立相应的等效电路，即将梳状谐振器中的单对叉指极板表示为一对相对横向运动的耦合双极板，而将等效电路宏模型表示为由左边是电源部分、中间为辅助部分、右边是输出部分组成的等效电路，其中可动的上电极板(101)与固定的下电极板(102)之间的距离d、电压Uc、极板宽度h、与横向运动的力Fe之间的转换关系为：Fρ＝-(εh/2d)U2C，该大信号等效电路宏模型能适用于大信号作用下的系统级模拟，同时也适合于小信号的分析。
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公开(公告)号：CN1082669C
公开(公告)日：2002-04-10
申请号：CN98111625.6
申请日：1998-12-21
Applicant: 东南大学
IPC: G01S13/91
Abstract: 电子地理信息定位方法及装置是一种用于给城市中的移动目标指明其所在的地理位置并提供其它交通信息的方法及装置，其方法是采用多台小功率信息发射机和纵横结构的网络布局对地面区域进行网格划分，在被划分的网格内设置一台信息发射机，不断地发射信息代码对该信息发射机所处的地理位置进行定标，接收机在某一个网格内接收该网格内信息发射机发射的信息，获得该信息接收机所处网格地理位置的X和Y坐标及各种提示并显示在显示器上。
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公开(公告)号：CN104568586B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510010385.4
申请日：2015-01-08
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/08
Abstract: 本发明提出了一种薄膜材料断裂强度的测试结构，可以用于导电薄膜材料和绝缘薄膜材料的断裂强度测试。本发明将力的加载驱动部分和由待测薄膜材料制作的断裂强度测试结构分层，并通过结合区进行叠层连接。通过游标结构测量拉伸的长度。为防止测试结构被拉断时无法测量实际的拉伸长度，采用了平行缓冲梁和阻尼弹簧防止出现过冲。本发明的测试结构、测量方法和参数提取的方法极其简单，可以用于导体/绝缘体等多种薄膜材料的断裂强度的测试。
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公开(公告)号：CN103995022B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410247627.7
申请日：2014-06-05
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 一种硅材料顶层硅杨氏模量和残余应力的测试结构及测试方法，结构包括SOI硅片，SOI硅片包括底层硅材料，底层硅材料上有第一、第二锚区绝缘介质层和电极绝缘介质层，其上分别有第一锚区、第二锚区和电极，底层硅材料上方有双端固支梁，双端固支梁与电极相对。方法：把待测的具有硅材料顶层硅杨氏模量和残余应力测试结构的样片放在半导体分析仪的探针台上，在电极与第一锚区或第二锚区之间施加电压，电压从0.0V开始，步长为0.1V，当双端固支梁被静电引力突然拉到固定电极上时，半导体分析仪会停止增加电压，记录下该吸合电压;测出两组不同长度的双端固支梁的吸合电压，计算出绝缘衬底上的硅材料顶层硅的杨氏模量和残余应力。
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公开(公告)号：CN103424057B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310399725.8
申请日：2013-09-05
Applicant: 东南大学
IPC: G01B5/24
Abstract: 本发明公开了一种用于测量微机电结构偏转角度的游标尺结构，该结构既可以测量顺时针偏转角，也可以测量逆时针偏转角。微机电结构偏转角测量游标尺由一维移动测量游标尺；偏转指针板；相对型电热执行器；连接一维移动测量游标尺和相对型电热执行器的水平直梁，以及连接偏转指针板和相对型电热执行器的水平直梁组成。通过电热执行器推动角度测量指针偏转并同时带动游标尺结构水平直线移动。根据游标尺的水平移动量和设计参数并由简单地数学计算得到指针所发生的角度偏转量。通过该游标尺可以测量微机电器件受驱动所产生的偏转角，也可以测量结构释放时因残余应力而产生的偏转角。
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