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公开(公告)号：CN116500669A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310664851.5
申请日：2023-06-02
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种可移动式自动定位现场校准测试系统，所述测试系统包括脉冲辐照装置、三维移动平台、校准装置、传感装置和控制装置；脉冲辐照装置、校准装置、传感装置和控制装置均安装在所述三维移动平台上；控制装置与脉冲辐照装置、三维移动平台、校准装置、传感装置均电连接；本发明根据报警探测仪器所在位置，自动控制平台移动至最佳探测位置处，同时根据校准装置发出的靶信号位置影像得到脉冲辐照装置的空间位置偏差值，根据该空间位置偏差值自动控制平台对脉冲辐照装置进行多方向位移的高精度调节，从而使得脉冲辐照装置的发射窗口与被校仪器对齐。本发明提出的测试系统无需人工干预，能够快速准确自动实现固定式辐射报警仪的校准。
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公开(公告)号：CN114197057B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202111542340.3
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅中子辐照装置及方法，辐照系统包括单晶硅装备间、硅水池和堆厅，所述堆厅内布置有堆芯，所述堆芯内设置有单晶硅辐照孔道；还包括单晶硅装取平台、硅水池自动对中吊车、移动车和堆厅自动对中吊车。本发明所述单晶硅装取平台能够实现单晶硅在转运桶和硅桶之间切换，同时硅水池自动对中吊车、移动车和堆厅自动对中吊车能够实现将转运桶或硅桶吊装至指定位置；本发明解决了单晶硅辐照过程中操作人员劳动强度大、受到的辐射剂量大和单晶硅破损率高的难题，该工艺流程中操作人员起到辅助作用，自动化设备按照规划行为进行操作，而且该工艺高效、安全、可靠。
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公开(公告)号：CN119729920A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411582141.9
申请日：2024-11-07
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本申请实施例公开了一种小型热光电系统模拟热源包括了壳体、支撑体、辐射器和加热组件，本申请实施例提供的小型热光电系统模拟热源的支撑体内限定出容置槽，通过支撑体和壳体的设置再结合发热器件设置在辐射器的下方，辐射器的下侧面、容置槽的槽底、容置槽的槽壁可以围合形成相对封闭的容置空间，电加热组件的发热器件悬设在该容置空间内，采用这样的结构设置，减少了发热器件与其他部件材料的接触，可降低高温阶段模拟电源各部件之间的互相影响，有利于避免不必要的传导漏热，使得更多的热能能够供给到辐射器，从而可使模拟热源小型化的同时仍然具有高能量密度，有效满足相关小型热光伏电源系统开发的需求。
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公开(公告)号：CN119710667A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411914906.4
申请日：2024-12-24
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种金属材料表面氧化膜的预制方法，涉及核电能源技术领域，包括以下步骤：清理金属材料表面的颗粒粉尘；清理金属材料表面的油脂；加入氧化膜预制液对金属材料进行预制，在金属材料表面形成氧化膜；所述预制液包括贫化醋酸锌，预制温度为250℃～320℃，预制压力为14.0MPa～16.5MPa。采用先对金属材料表面的粉尘颗粒和油脂等去除之后，再使用预制液进行预制的方式，且以贫化醋酸锌为预制液，控制预制温度和预制压力，在金属材料表面形成氧化膜，不仅使得氧化膜的预制工艺简单，而且有效解决了传统氧化膜预制工艺预制效果差的问题，具有很好的防腐蚀效果，而且腐蚀速率低，使得该氧化膜对设备的保护效果更好。
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公开(公告)号：CN119495462A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202410663574.0
申请日：2024-05-27
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种基于多孔SiC的肖特基结式β核电池及其制备方法，属于核电池技术领域；本发明的肖特基结式β核电池包括依次设置的下电极、高掺杂n型SiC衬底层、低掺杂n型SiC外延层、石墨烯上电极，所述高掺杂n型SiC衬底层的表面刻蚀有多孔纳米结构，肖特基结为三维结构；本发明的肖特基结式β核电池具有辐射面积大，入射粒子能量损失小，制作简单，能量转换效率高的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118584528A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410663568.5
申请日：2024-05-27
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种用于63Ni电镀源表面发射率测量的法拉第筒，属于放射源表面发射率测量技术领域，解决现有技术中缺少针对63Ni电镀源的法拉第筒测量设备的技术问题；本发明包括设在真空腔室内的支撑筒，以及固定在支撑筒上的双层法拉第套筒、电镀源安装架和二次电子抑制装置，所述双层法拉第套筒包括内层的法拉第筒收集极和外层的法拉第筒屏蔽壳，所述法拉第筒收集极底部布满锯齿结构，所述电镀源安装架设在支撑筒顶部并向下延伸到法拉第筒收集极内部，所述二次电子抑制装置套接在电镀源安装架外；本发明实现了对于直径为1～80mm高活度63Ni电镀源表面发射率的稳定测量工作，具有测量快速、稳定好，操作简单，使用方便的特点。
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公开(公告)号：CN117577404A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311589030.6
申请日：2023-11-27
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种数字化无源电阻箱，包括控制单元、显示单元、控制键盘和多个可变电阻器；所述多个可变电阻器串联且分别具有不同的电阻值范围；所述控制单元根据所述控制键盘输入的控制指令控制各个可变电阻器的电阻值，并根据各个可变电阻器的电阻值来测算当前电阻箱输出电阻值并发送至所述显示单元。通过将多个不同范围的可变电阻器串联，并且每个可变电阻器的电阻值能够根据控制单元接收控制键盘输入的控制指令进行调节，从而改变当前电阻箱输出电阻值，同时控制单元可以将当前电阻箱输出电阻值发送至显示单元进行显示，同时控制单元可以通过与上位机相连后，实现由上位机输入控制指令以及显示当前电阻箱输出电阻值。
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公开(公告)号：CN117554153A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311543937.9
申请日：2023-11-17
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种测量核电站流出液中Fe‑55的样品前处理装置及方法，涉及放射化学技术领域，包括弹簧状管道，弹簧状管道一端设置有三通接口，三通接口的其中两个连接口处均连接进液管，两根进液管上均连接注射泵；弹簧状管道的另一端连接出液管，出液管与静置分液漏斗连接；弹簧状管道安装在控温箱中。该样品前处理装置中的弹簧状管道的结构内部通道尺寸小，流体薄层间的距离极短，可以通过流体微团的粘性变形和分子扩散实现反应物料间的快速微观混合，从而极大的强化传质过程，使分离过程快速地进行，实现分离过程耗时由小时向秒的转变，从而极大的缩短了样品前处理的时间，提高了处理效率，而且操作十分简单，成本也很低，而且安全环保。
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公开(公告)号：CN119650131A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411751695.7
申请日：2024-12-02
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本申请公开一种辐照装置，涉及研究堆燃料辐照技术领域，主要目的是在热谱堆内创造出近似快堆的中子能谱环境，以模拟快堆燃料元件在实际堆中的运行环境，进行辐照试验。本申请的主要技术方案为：该辐照装置包括：定位法兰，所述定位法兰安装于研究堆堆顶固定结构；燃料棒组件，所述燃料棒组件与所述定位法兰相对固定；中子屏组件，所述中子屏组件设置于所述燃料棒组件外，所述中子屏组件内部设置有轴向的中空通道，所述燃料棒组件位于所述中空通道内；驱动组件，所述驱动组件与所述中子屏组件相连，所述驱动组件用于驱动所述中子屏组件相对于所述燃料棒组件周向旋转和/或轴向移动。
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公开(公告)号：CN119400269A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411530768.X
申请日：2024-10-30
Applicant: 中国核动力研究设计院
Inventor： 夏羿 , 王国华 , 宋霁阳 , 刘润麒 , 彭星杰 , 邱立青 , 康长虎 , 刘畅 , 郭雨非 , 陆瑶 , 何宇豪 , 马立勇 , 张平 , 彭芳 , 张文琪 , 吴笛 , 邹雨彤
IPC: G16C20/10 , G06F30/20 , G06F111/08
Abstract: 本发明提供了一种用于提升同位素辐照生产转换率的中子能谱优化方法，涉及反应堆工程技术领域，通过对同位素靶件和相关机构进行蒙卡建模；然后进行蒙卡临界计算，分别获取初始中子能谱；接下来基于初始中子能谱，对目标同位素进行中子能谱敏感性分析；之后在保持总中子通量不变的前提下，得到理想中子能谱；再比较初始与理想的中子能谱的差异，在蒙卡模型中的同位素靶件周围设置中子过滤器；继而通过更换中子过滤器的材质类型，再由蒙卡临界计算不同材质类型下的中子能谱，确定能够实现目标核素转换率提升的材质类型；最后基于确定的中子过滤器材质类型，获得优化后的中子能谱；能够提升同位素辐照的转化率，即同位素的生产效率。
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