氧化石墨烯量子点的提纯方法

    公开(公告)号:CN103708447A

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201310740378.0

    申请日:2013-12-27

    Abstract: 本发明提供一种氧化石墨烯量子点的提纯方法,所述氧化石墨烯量子点的提纯方法至少包括:提供氧化石墨烯量子点水溶液;在所述氧化石墨烯量子点水溶液中混入表面活性剂以形成混合溶液;向所述混合溶液中加入非极性溶剂,以将所述氧化石墨烯量子点萃取到所述非极性溶剂中,得到氧化石墨烯量子点非极性溶液;干燥所述氧化石墨烯量子点非极性溶液,以得到氧化石墨烯量子点粉体。本发明提供的上述氧化石墨烯量子点的提纯方法可得到高纯度氧化石墨烯量子点粉体。

    一种大规模制备石墨烯粉体的方法

    公开(公告)号:CN103253661A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201310200469.5

    申请日:2013-05-27

    Abstract: 本发明涉及一种低成本且能大规模制备高质量石墨烯粉体的方法,为将石墨加入到含有氧化剂和插层剂的混合溶液中,搅拌均匀后超声处理,同时持续通入He,形成插层剂和He气分子插层的石墨插层化合物;然后过滤、洗涤、干燥,并在空气中热处理实现石墨插层化合物首次剥离;之后分散于有机溶剂中,持续通入He条件下再次超声处理;然后离心去掉沉淀,取上层溶液进行过滤、洗涤、烘干后即得到石墨烯粉体;本发明的方法安全环保、操作简单,适合大规模生产,制得的石墨烯缺陷少,导电性好。

    一种基于离子注入技术打开石墨烯带隙的方法

    公开(公告)号:CN102703988A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210174733.8

    申请日:2012-05-31

    Abstract: 本发明提供一种基于离子注入技术打开石墨烯带隙的方法,包括如下步骤:1)将石墨烯放置在Si片上,然后放入离子注入机中,用离子束轰击所述Si片上的石墨烯,使其产生缺陷;2)将步骤1)中经过离子束轰击后的有缺陷的石墨烯于合适的气氛中进行退火处理。该方法首先用离子注入技术轰击石墨烯表面,使其表面产生缺陷(空位),然后选择在合适的气体气氛中退火,完成N型或者P型掺杂,从而打开带隙。实现了石墨烯的掺杂并改善了其开关特性。

    一种高度取向结构厚膜的制备方法

    公开(公告)号:CN116253917A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310124633.2

    申请日:2023-02-16

    Abstract: 本发明涉及一种高度取向结构厚膜的制备方法,其包括将二维纳米片分散在溶剂中得到二维纳米分散液;将二维纳米分散液平铺于基材表面,形成片层随机取向的第一凝胶膜层;将多根直线插入第一凝胶膜层的内部诱导切变流场进行取向处理,形成片层高度定向排布的第二凝胶膜层,该直线与第一凝胶膜层在基材平面平行的方向上发生相对运动,该相对运动为速度介于3mm/s‑16mm/s之间的平动或转速介于600rpm‑1100rpm之间的转动;干燥第二凝胶膜层,得到高度结构取向的二维纳米片基厚膜。本发明的制备方法,在厚度为80μm‑400μm范围内可制备出结构取向因子为0.91‑0.99的高定向厚膜。

    一种石墨烯基温控涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN114958193A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210583268.7

    申请日:2022-05-26

    Abstract: 本发明涉及一种石墨烯基温控涂层,其覆盖在基材上并包括由高导热石墨烯粉体和高辐射石墨烯粉体构成的导热‑辐射无缝串联散热梯度结构,从靠近基材的一侧到远离基材的另一侧,高导热石墨烯粉体和高辐射石墨烯粉体的质量比从1:0.01~1:0.1梯度变化至1:1~1:5。本发明还涉及上述的石墨烯基温控涂层的制备方法,在基材上同时分别动态涂覆或动态混合后涂覆高导热石墨烯基复合涂料和高辐射石墨烯基复合涂料,涂覆时高导热石墨烯基复合涂料的加载速率逐渐减小,高辐射石墨烯基复合涂料的加载速率逐渐增大。根据本发明的石墨烯基温控涂层,可充分发挥高导热和高辐射两种热量传递通道的协同效应,实现对基材温度的有效调控。

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