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公开(公告)号：CN118191694A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410435258.8
申请日：2024-04-11
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01R33/12
摘要： 本发明提供一种待测超导器件物性测试装置及测试方法，待测超导器件物性测试装置包括：上位机、源表、开关切换模块和N通道低通滤波阵列；其中N为大于1的自然数；上位机电连接源表的控制端和开关切换模块的控制端；上位机控制源表输出相应的激励信号范围，并控制开关切换模块选择对应工作通道；源表与开关切换模块电连接，开关切换模块通过N通道低通滤波阵列电连接到对应的测试端口；源表输出的激励信号范围传输至待测超导器件，待测超导器件反馈的测试信号传输至源表。本发明能够达到低电流输入测试，同时也可以实现低噪声，使得测试的精度进一步提高，提高低温测试效率；同时还极大减小了测试过程中低温的液氦和液氮等冷质的浪费，降低成本。
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公开(公告)号：CN109727850A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811564257.4
申请日：2018-12-20
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种利用离子注入实现目标薄膜纵向均匀掺杂的方法，包括于目标薄膜的厚度方向上选取N个不同的注入深度峰值点；确定待注入离子并提供M组预设注入条件以模拟待注入离子注入目标薄膜时的离子注入过程，得到注入能量-注入深度分布函数组，从而得到N个与注入深度峰值点一一对应的注入能量值；设定目标薄膜纵向掺杂的总目标浓度，并基于总目标浓度得到N个与注入能量值一一对应的注入剂量值，且N个注入剂量值之和的方差最小化；基于注入能量值及注入剂量值形成N组注入条件以控制待注入离子注入至目标薄膜，实现通过N次离子注入在纵向上叠加实现目标薄膜的纵向均匀掺杂。通过本发明解决了现有离子注入方法无法实现纵向均匀掺杂的问题。
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公开(公告)号：CN114221629A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111088251.6
申请日：2021-09-16
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H03F3/60
摘要： 本发明提供一种平衡式超导量子干涉器件微波放大器及其制备方法，该平衡式超导量子干涉器件微波放大器包括第一3dB正交定向耦合器、第一阻抗匹配网络、第二阻抗匹配网络、第一超导量子干涉器件、第二超导量子干涉器件、第三阻抗匹配网络、第四阻抗匹配网络及第二3dB正交定向耦合器。本发明的平衡式超导量子干涉器件微波放大器的整个电路输入输出端是关于SQUID对称，相较于单路SQUID微波放大器电路，平衡式SQUID微波放大器不仅能够大幅度提升输入输出匹配性能，扩展器件工作带宽，更容易实现级联，还能够改善放大器饱和功率和良好稳定。平衡式SQUID微波放大器采用平面微纳制备工艺加工实现，与现有大部分超导器件制备工艺兼容，可大大提高相关低温探测系统集成度。
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公开(公告)号：CN112068047A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010962027.4
申请日：2020-09-14
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01R33/035
摘要： 本发明提供一种改善超导量子器件EMC性能的器件结构与制备方法，器件结构包括衬底、第一金属层，绝缘结构层，第一金属层及金属屏蔽壳盖之间为超导量子干涉器件的结构区，该结构区其主要包括约瑟夫森结区、势垒层、自感环路和引线结构、配线层、输入线圈、反馈线圈和引线电极等。本发明可以提高超导量子干涉器件抗干扰能力，减小超导量子干涉器件的封装体积，提高使用系统集成度。本发明的屏蔽壳仅百微米量级，其本征谐振频率和低频截止频率远高于超导量子干涉器件工作点，避免对器件的影响。此外，集成屏蔽壳采用金属层，可以损耗约瑟夫森结高频辐射，在器件阵列中增加了相邻器件之间的隔离，避免相互串扰。
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公开(公告)号：CN110444658A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910745134.9
申请日：2019-08-13
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一基于AlMn合金超导薄膜的TES微量能器及制备方法，该方法包括：对由下至上包括下介质层、半导体衬底及上介质层的衬底结构进行背面刻蚀，以形成弱导热沟槽；于上介质层上形成两平行排布的电极，于两电极及其间的上介质层上形成AlMn合金超导薄膜；于上介质层及AlMn合金超导薄膜上形成设有接触孔的第一图形化掩膜层；于第一图形化掩膜层及接触孔上形成中间缓冲层，于中间缓冲层上形成设有形成孔的第二图形化掩膜层；于形成孔中形成包括接触点和吸收层本体的吸收层，去除第二图形掩膜层；去除吸收层外围的中间缓冲层，去除第一图形掩膜层，以通过接触点及其下的中间缓冲层实现吸收层本体和AlMn合金超导薄膜的连接。
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公开(公告)号：CN109873618A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910284777.8
申请日：2019-04-10
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H03H7/52
摘要： 本发明提供一种具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器，包括：输入端口及两个输出端口；匹配电感，其一端连接于所述输入端口，其另一端接地；传递电容，分别连接于所述输入端口与两个所述输出端口之间；隔离单元，连接于两个所述输出端口之间，所述隔离单元包括一隔离电感和一隔离电阻，其中所述隔离电感和所述隔离电阻并联于两个所述输出端口之间，或所述隔离电感和所述隔离电阻串联于两个所述输出端口之间。通过本发明解决了经典威尔金森功分器不适用于大功率信号传递的问题。
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公开(公告)号：CN109283395A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811456931.7
申请日：2018-11-30
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种多通道电阻测试系统及其测试方法，所述系统包括：样品支撑结构，用于放置N个待测试样品，N个待测试样品依次串联并引出2N+2个引出端；多通道切换开关控制模块，包括N个正电压端控制开关及N个负电压端控制开关，用于根据测试选择信号控制对应开关闭合，以从N个待测试样品中选出一与测试选择信号对应的实际测试样品；电流源，用于为N个串联的待测试样品提供恒定电流；数据读取模块，用于读取实际测试样品两端的电压差值；主控模块，用于向各开关发送所述测试选择信号。通过本发明解决了采用现有测试方法进行Tc值测试时，因引入热负载导致降温缓慢，同时因手动切换引线导致测试耗时较长的问题。
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