公开(公告)号：CN110444658A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910745134.9

申请日：2019-08-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 伍文涛 ,  吕越 ,  陈建国 ,  梁恬恬 ,  王沪兵 ,  高波 ,  王镇

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24

Abstract: 本发明提供一基于AlMn合金超导薄膜的TES微量能器及制备方法，该方法包括：对由下至上包括下介质层、半导体衬底及上介质层的衬底结构进行背面刻蚀，以形成弱导热沟槽；于上介质层上形成两平行排布的电极，于两电极及其间的上介质层上形成AlMn合金超导薄膜；于上介质层及AlMn合金超导薄膜上形成设有接触孔的第一图形化掩膜层；于第一图形化掩膜层及接触孔上形成中间缓冲层，于中间缓冲层上形成设有形成孔的第二图形化掩膜层；于形成孔中形成包括接触点和吸收层本体的吸收层，去除第二图形掩膜层；去除吸收层外围的中间缓冲层，去除第一图形掩膜层，以通过接触点及其下的中间缓冲层实现吸收层本体和AlMn合金超导薄膜的连接。

公开(公告)号：CN113764569A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202111039268.2

申请日：2021-09-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 高波 ,  陈建国 ,  吕越 ,  黄浩 ,  欧欣 ,  王镇

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/18 ,  H01L39/24

Abstract: 本发明涉及一种基于离子注入的冷子管开关及其制备方法，冷子管开关包括门线和控制线，所述控制线与所述门线平行并叠加于所述门线上，所述门线的材料为通过离子注入方法得到的超导薄膜。本发明的基于离子注入的冷子管开关，采用离子注入方法得到的超导薄膜作为冷子管开关的门线材料，可以对超导薄膜的临界温度和临界磁场进行连续性调控，因此可以根据冷子管开关所需的工作参数来选择相应注入浓度的超导薄膜，从而使冷子管开关的工作参数具有灵活性。

公开(公告)号：CN110444658B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201910745134.9

申请日：2019-08-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 伍文涛 ,  吕越 ,  陈建国 ,  梁恬恬 ,  王沪兵 ,  高波 ,  王镇

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24

Abstract: 本发明提供一基于AlMn合金超导薄膜的TES微量能器及制备方法，该方法包括：对由下至上包括下介质层、半导体衬底及上介质层的衬底结构进行背面刻蚀，以形成弱导热沟槽；于上介质层上形成两平行排布的电极，于两电极及其间的上介质层上形成AlMn合金超导薄膜；于上介质层及AlMn合金超导薄膜上形成设有接触孔的第一图形化掩膜层；于第一图形化掩膜层及接触孔上形成中间缓冲层，于中间缓冲层上形成设有形成孔的第二图形化掩膜层；于形成孔中形成包括接触点和吸收层本体的吸收层，去除第二图形掩膜层；去除吸收层外围的中间缓冲层，去除第一图形掩膜层，以通过接触点及其下的中间缓冲层实现吸收层本体和AlMn合金超导薄膜的连接。

公开(公告)号：CN111575668A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010290064.5

申请日：2020-04-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 高波 ,  陈建国 ,  吕越 ,  黄浩 ,  游天桂 ,  欧欣 ,  王镇

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/14 ,  C23C16/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/30 ,  C23C16/455 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种磁性掺杂超导薄膜及制备方法和超导转变边沿探测器，涉及低温超导探测器技术领域。本发明通过在衬底上形成预设的宿主薄膜，并在宿主薄膜的深度方向进行非均匀注入磁性离子，在宿主薄膜的深度方向上形成共存的磁性掺杂区和非掺杂区，得到磁性掺杂超导薄膜。本发明采用非均匀的离子注入方式，能够有效抑制宿主薄膜的超导特性，起到调控宿主薄膜的临界温度的目的。相对于现有技术，本发明在达到相同的临界温度调控的同时，还可以获得更低的电阻率；由于该磁性掺杂超导薄膜具有较高的稳定性，能够使超导转变边沿探测器的制备和性能避免因双层膜不稳定性带来的影响，能够极大地提高超导转变边沿探测器制备过程中和使用性能的稳定性。