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公开(公告)号：CN101323529B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200810040505.5
申请日：2008-07-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种微波烧结中的梯度透波结构及其用于制备陶瓷材料的方法。其特征在于：(1)在烧结高介电性能的材料时，在材料外面至少增加一个过渡层，过渡层由一定浓度的高效吸波物质加上微波透明的稀释剂构成；当采用多层结构作为过渡层时，高效吸波物质的浓度由外到内依次增加；(2)在烧结低介电、吸波较差材料时，发热材料或涂层要采取多层结构，其中高效吸波物质的浓度由外到依次增加，然后再降低，以利于微波的透过。本发明通过提高被烧结吸波效率，降低了由于多次反射造成的能量耗费及保温层的吸波发热，可以有效实现提高烧结温度的目的。另外这种梯度保温结构可以帮助被烧结体获得均匀的温度场及更好的烧结体质量。
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公开(公告)号：CN101423397A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810203002.5
申请日：2008-11-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明涉及一种控制陶瓷浆料固化进程的方法，属于陶瓷胶态成型领域。本发明利用有机酸在酸性条件下对凝胶体系自由基聚合的缓聚作用，达到控制陶瓷浆料固化进程的目的，陶瓷浆料中单体的聚合过程在低温下利用有机酸的缓聚作用可使陶瓷浆料长时间稳定，利于陶瓷浆料的制备和浇注；高温下陶瓷浆料中的单体可以顺利聚合，并使陶瓷浆料固化。该方法的突出特点是有机酸的加入不会影响陶瓷浆料的粘度；浆料固化进程可控。
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公开(公告)号：CN1948223A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610117979.6
申请日：2006-11-03
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/632 , B28C1/04 , B28C7/04
Abstract: 本发明涉及一种改善凝胶浇注成型制备陶瓷成型体的浆料，其特征在于所述所述的浆料是由水、陶瓷粉末、N－取代的丙烯酰胺或甲基丙烯酰胺单体、交联剂及非盐形式的水溶性偶氮引发剂组成；其中，①水、陶瓷粉末、N－取代的丙烯酰胺或甲基丙烯酰胺单体、交联剂及非盐形式的水溶性偶氮引发剂组成预配液，然后在搅拌条件下加入陶瓷粉体组成浆料，预配液的加入的质量百分数为陶瓷粉体的10－100％；②在预配液中，单体的加入的质量百分浓度为预配液的2－50％；引发剂的加入质量百分浓度为预配液的0.1－10％；交联剂的质量百分浓度为预配液的0－10％。所述的浆料稳定性较高，且固化过程中有较好的引发固化的能力，方便凝胶浇注成型工艺的实施。
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公开(公告)号：CN1899957A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610029366.7
申请日：2006-07-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B25/32
Abstract: 本发明涉及一种经改进的羟基磷灰石(HAP)粉体的制备方法，是对化学沉淀法制备羟基磷灰石粉体的改进，属于精细化工领域。采用廉价的氢氧化钙和磷酸氢二铵为原料，通过一定浓度氢氧化钙悬浮液和磷酸氢二铵水溶液混合后，于球磨容器中常温球磨8h－16h，反应结束后经过滤、洗涤、烘干、煅烧得到羟基磷灰石粉体。本发明价格低廉，制备方法非常简单，无需加入NaOH或氨水之类溶液控制反应过程的pH值，反应后也不需陈化工艺而直接洗涤，从而有望大大降低了羟基磷灰石的生产成本，易于大规模工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1092170C
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN99125696.4
申请日：1999-12-22
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/624 , C04B35/63
Abstract: 一种利用反应诱导凝胶化制备陶瓷素坯的方法，属于陶瓷成型领域。本发明特点是首先制备在pH值小于4的酸性和pH值至少为8.5%的碱性条件下稳定的浆料，然后在浆料中仅引入少量的氧化硅胶体，通过作为凝固剂各类的无机或有机物的反应，使浆料pH值为4-8，即氧化硅凝胶化较快的范围，以制备陶瓷素坯。氧化硅的含量为固相总重量的0.5-10%。起凝固作用的无机反应可以是氮化硅、氮化铝等的水解反应，有机反应包括各种酶催化或酸碱催化的反应，如尿素、羧酸酯、内酯等的水解反应。
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公开(公告)号：CN119430987A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411671858.0
申请日：2024-11-21
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B38/00 , C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种SiOC修饰碳化硼‑氧化铝复合材料及其制备方法。所述SiOC修饰碳化硼‑氧化铝复合材料包括：多孔结构碳化硼‑氧化铝材料，以及包覆修饰在所述碳化硼‑氧化铝材料的多孔结构与碳化硼、氧化铝颗粒表面的SiOC层；所述多孔结构碳化硼‑氧化铝材料的孔隙率为20‑40％。
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公开(公告)号：CN116332629A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310329185.X
申请日：2023-03-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B37/02
Abstract: 本发明涉及一种氧化铝陶瓷‑钛合金一体化复合结构及其制备方法。所述复合结构具有钛合金表面金属化基体‑过渡层‑氧化铝陶瓷基体结构；所述制备方法包括：钛合金表面化学施镀第一金属得钛合金表面金属化基体；氧化铝陶瓷、ZTA陶瓷、第二金属粉及助剂组成的氧化铝陶瓷基体原料粉体混合得氧化铝陶瓷基体粉；镀镍α‑Al2O3、氧化锆、第三金属粉组成的过渡层复合粉体原料混合得过渡层复合粉；过渡层复合粉、氧化铝陶瓷基体粉加压得复合陶瓷坯体；第一次烧结得复合陶瓷结构；将复合陶瓷结构与钛合金表面金属化基体装填于模具，控制复合陶瓷结构的过渡层与钛合金表面金属化层接触，经第二次烧结，得氧化铝陶瓷‑钛合金一体化复合结构。
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公开(公告)号：CN111933313B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202010714581.0
申请日：2020-07-21
Applicant: 上海核工程研究设计院有限公司 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: G21C7/24
Abstract: 本发明的目的在于公开一种长寿命中子吸收材料，它由名义组分为(Tbx,Dy2‑x)HfO5（1.3≤x≤1.95）的分散粉体、高致密度块状或圆柱状物体构成；与现有技术相比，具有立方萤石结构，物理化学性质稳定，抗腐蚀性能良好，辐照肿胀小。熔点高于1500℃，室温到熔化过程无相变，使用温度限值明显高于Ag‑In‑Cd合金（熔点800℃），热工安全裕量更大，中子吸收价值显著提升，损耗速率显著减缓，实现本发明的目的。
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