石墨烯-铜纳米线复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN105023629B

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:CN201410172931.X

    申请日:2014-04-28

    摘要: 本发明涉及一种石墨烯-铜纳米线复合薄膜及其制备方法,所述复合薄膜包括:衬底、铜纳米线层和石墨烯层,所述铜纳米线层位于衬底上或者部分嵌入衬底中,所述石墨烯层位于所述铜纳米线层上。所述方法包括:采用乙二醇和水的混合溶液作为转移介质将由聚合物辅助支撑的石墨烯转移至位于衬底上或者部分嵌入衬底中的铜纳米线薄膜上;沥干所述转移介质后在还原性气氛和/或惰性气氛中于100~200℃热处理30~60分钟以使石墨烯贴合在铜纳米线薄膜上;以及置于能溶解辅助支撑的聚合物的有机溶剂中以去除石墨烯表面的聚合物。

    一种过渡金属氧化物/石墨烯复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN105845195A

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201610182599.4

    申请日:2016-03-28

    摘要: 本发明涉及一种过渡金属氧化物/石墨烯复合薄膜及其制备方法,将过渡金属醇盐用醇溶解稀释后旋涂在石墨烯表面对其进行掺杂,经过热处理,得到过渡金属氧化物/石墨烯复合薄膜,所述过渡金属氧化物/石墨烯复合薄膜包括石墨烯层和沉积于石墨烯层上的过渡金属氧化物层。本发明成本低廉、操作简便。掺杂处理后,石墨烯表面电阻显著下降,且可以在较长时间内保持稳定。掺杂处理之后石墨烯方阻能降低40~50%,并且表现出非常优异的稳定性和光透过率。本发明对拓展石墨烯透明导电薄膜应用具有重要意义。本发明制备的石墨烯薄膜可望在太阳能电池、触摸屏、电加热膜等领域得到广泛应用。

    一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102436929A

    公开(公告)日:2012-05-02

    申请号:CN201110216528.9

    申请日:2011-07-22

    IPC分类号: H01G4/008 H01G4/06 H01G4/12

    摘要: 本发明涉及一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法,其特征在于以具有高导电氮化物单元(核)/高介电绝缘层结构(壳)的核壳结构复合粉体代替传统晶界层电容器的材料单元,采用SPS烧结工艺制备高介电、低损耗的仿晶界层电容器。所述的仿晶界层电容器材料包括SrTiO3/TiN、BaTiO3/ZrN、CaTiO3/TiN、MgTiO3/NbN、(Ba,Sr)TiO3/TiN和Pb(Mg1/3Nb2/3)O3/NbN等。本发明的设计理念突破了传统晶界层电容器仅限于SrTiO3和BaTiO3等极个别陶瓷材料这一缺点,将其推广到一系列高介电陶瓷材料,从而可以大大扩展“晶界层电容器”的家族规模。

    一种半定量表征碳纳米管悬浮液稳定性的方法

    公开(公告)号:CN1196924C

    公开(公告)日:2005-04-13

    申请号:CN03116185.5

    申请日:2003-04-04

    IPC分类号: G01N21/33 G01N21/27 C01B31/02

    摘要: 本发明提供了一种半定量表征碳纳米管悬浮液稳定性的方法。主要以紫外可见分光光度法为测试手段,利用碳纳米管悬浮液在某一固定波长的吸光度随浓度呈线性变化的规律,通过测定每隔0.5小时,碳纳米管悬浮液上层溶液吸光度的变化,从而半定量计算出碳纳米管悬浮液浓度随时间的变化曲线。水介质中碳纳米管悬浮液浓度的测定波长为253nm,标准工作曲线的浓度范围为0.10-0.20gL-1。乙醇介质中测定波长为257nm,标准工作曲线的浓度范围为0.08-0.25gL-1。利用这一表征方法,可解决传统沉降体积表征法不适于碳管悬浮液表征的局限性,同时也提高了稳定性表征法的准确性,达到半定量化的要求。