-
公开(公告)号：CN113527696A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010315707.7
申请日：2020-04-21
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种四苯基卟啉二维聚合物薄膜及其制备方法与应用。本发明制备四苯基卟啉二维聚合物薄膜的方法，包括如下步骤：将四溴苯基卟啉和金属(100)单晶衬底置于管式炉中，使得所述四溴苯基卟啉分解并在所述金属(100)单晶衬底上生长，即得到四苯基卟啉二维聚合物薄膜。本发明制备四苯基卟啉二维聚合物薄膜方法，具有操作简单、成本低、反应条件温和，且本发明四苯基卟啉二维聚合物薄膜均匀，厚度低，制备时容易转移；能广泛用于制备能量存储器件、传感器、超级电容器、纳米催化材料、场效应晶体管或气体分离材料。
-
公开(公告)号：CN111155143B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010013773.9
申请日：2020-01-07
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C25B3/13 , C25B15/029 , C25B15/033
摘要： 本发明公开了一种二维层状金属有机框架材料的制备方法。本发明是在含氧配位基团的有机配体溶液中通过电化学电解金属箔片来制备均匀的二维层状金属有机框架材料。首先将3,6,7,10,11‑六羟基三苯分散到去离子水中，加入碱性调节剂使其充分离子化。然后以金属箔片作为阳极和阴极，在两电极之间施加一定电压使配体迁移到阳极表面。进一步增大电压使阳极金属箔片开始电解释放金属离子，进而在阳极表面生成二维金属有机框架薄膜。本发明具有工艺设备简单、符合绿色制备理念、生产成本较低、制备周期较短、薄膜层数可控和薄膜导电性高的优势。
-
公开(公告)号：CN111206263B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010013779.6
申请日：2020-01-07
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种金属硼酸有机薄膜的制备方法。本发明是以苯‑1,3,5‑三基三硼酸为配体。首先将有机配体分散到去离子水中，加入碱性调节剂使其充分离子化，进一步超声后制备出均匀的有机溶液。然后以金属箔片作为阳极和阴极，通过电化学工作站逐步增加两个电极之间的电压，此时，在电场作用下配体离子会迁移到阳极的金属表面。当电压达到金属箔片的分解电压后。阳极金属箔片开始解离释放金属离子并与配体进行配位反应。进而在阳极表面生成二维金属有机框架薄膜。本发明具有工艺设备简单、制备薄膜容易转移、符合绿色制备理念、生产成本较低和制备周期较短的优势。
-
公开(公告)号：CN111118533A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010013775.8
申请日：2020-01-07
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种二维四羧基苯基卟啉金属有机框架材料的制备方法。本发明是以四羧基苯基卟啉为有机配体，首先将其分散到去离子水中，超声并加入碱性调节剂以制备出均匀的有机配体溶液。然后以金属箔片作为阳极和阴极，在阴极和阳极之间逐步增大电压，在电场作用下配体离子会迁移到阳极表面。当电压达到金属的分解电压后，阳极的金属箔片开始电解并释放出金属离子。该金属离子会与阳极表面的有机配体离子发生反应，进而在阳极表面生成二维金属有机薄膜。本发明具有设备简单、容易操作、生产成本较低、制备周期较短和符合绿色制备理念的优势。
-
公开(公告)号：CN102161482B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201110026532.9
申请日：2011-01-25
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C01B31/04
摘要： 本发明公开了一种制备石墨烯的方法。该方法，包括如下步骤：1)将基底在非氧化性气氛中升温至800-1200℃保持10-20分钟；2)保持所述步骤1)中的温度不变，向步骤1)反应体系中充入碳源和氢气，采用化学气相沉积法在所述步骤1)处理完毕的基底上进行反应，反应完毕关闭碳源，在非氧化性气氛下冷却到室温得到所述石墨烯。该石墨烯可以为离散的纳米薄片，也可以为连续的石墨烯膜。在石英基底上生长石墨烯可以直接用于高性能透明导电电极。在带有二氧化硅层的硅基底上生长石墨烯，不需要转移可直接用于电子器件组装，工艺简单，并且和现有半导体工业兼容。
-
公开(公告)号：CN101831622B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010183833.8
申请日：2010-05-20
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C23C16/26
摘要： 本发明公开了一种石墨烯泡沫及其制备方法。本发明所提供的石墨烯泡沫是按照包括下述步骤的方法制备得到的：1)将金属泡沫材料放进真空管式炉内，并在非氧化性气氛下进行煅烧；2)采用化学气相沉积法，在煅烧后的金属泡沫材料上沉积石墨烯；3)将得到的石墨烯修饰的金属泡沫材料中的泡沫金属除去；然后将得到的泡沫材料依次用去离子水、乙醇、乙醚清洗，取出烘干，得到所述石墨烯泡沫。该石墨烯泡沫材料为三维空心多孔网状结构，网壁为石墨烯，这种结构特点有效的阻止了石墨烯的团聚；集合了泡沫材料，导电材料的特点；具有超低密度、超高表面积、高导热、耐高温、耐腐蚀等优点。
-
公开(公告)号：CN116970135A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210437278.X
申请日：2022-04-21
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C08G12/08
摘要： 本发明公开了一种中空球状二维共价有机框架及其制备方法和应用，属于材料领域。本发明提供的中空球状二维共价有机框架的制备方法，包括如下步骤：三亚苯的胺单体与醛单体在溶剂和催化剂存在的条件下反应，得到所述中空球状二维共价有机框架。本发明的方法制备得到的有机框架为尺寸均一的中空球状结构，结晶度高，具有良好的化学和热稳定性。
-
公开(公告)号：CN111961216B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010829824.5
申请日：2020-08-18
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种原位生长二维MOFs薄膜的方法。本发明是将两片超亲水化处理的基板进行堆叠以形成微孔界面。然后在毛细管力分别驱动下，使金属离子溶液和配体溶液交替循环进入微孔中以实现MOF薄膜的限域生长。在升腾力驱动下以除去微孔中的水分，最终可实现在基板上直接生长MOFs薄膜。通过控制基板的形状、尺寸和循环次数可以实现对MOF薄膜形状、尺寸和厚度进行调控。本发明具有操作容易、设备简单、生产成本低、制备的MOF薄膜形状、尺寸和厚度可控等优势。
-
公开(公告)号：CN111206263A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010013779.6
申请日：2020-01-07
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C25B3/12
摘要： 本发明公开了一种金属硼酸有机薄膜的制备方法。本发明是以苯-1,3,5-三基三硼酸为配体。首先将有机配体分散到去离子水中，加入碱性调节剂使其充分离子化，进一步超声后制备出均匀的有机溶液。然后以金属箔片作为阳极和阴极，通过电化学工作站逐步增加两个电极之间的电压，此时，在电场作用下配体离子会迁移到阳极的金属表面。当电压达到金属箔片的分解电压后。阳极金属箔片开始解离释放金属离子并与配体进行配位反应。进而在阳极表面生成二维金属有机框架薄膜。本发明具有工艺设备简单、制备薄膜容易转移、符合绿色制备理念、生产成本较低和制备周期较短的优势。
-
公开(公告)号：CN111188085A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010056976.6
申请日：2020-01-16
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种大面积Cu(100)单晶铜箔的制备方法。该方法首先利用酸性溶液和去离子水对商业多晶铜箔进行清洗。然后在常压下单一气氛中对多晶铜箔进行退火处理。逐步冷却到室温后即可获得晶面为(100)的单晶铜箔。该方法可用于制备大面积单晶铜箔，且该方法具有操作简单、制备周期短、单晶度高、平整性好、可大规模生产的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
29 条记录 (耗时 0.03 秒)
