-
公开(公告)号：CN110846716B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201810947517.X
申请日：2018-08-20
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种制备等边三角形四氧化三铁单晶的方法。该方法包括：以表面具有铁镀层的铜箔为铁源，将所述铁源置于衬底上，在保护气和还原气存在的条件下，使得铜箔转换为液态后，降温至1080℃以下，通入碳源进行化学气相沉积反应，反应完毕得到所述等边三角形四氧化三铁单晶。本发明具有成本低，不用超高真空系统，对反应设备要求低，利于Fe3O4单晶的大规模生产等优点。
-
公开(公告)号：CN111826712A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910298770.1
申请日：2019-04-15
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种制备晶片级均匀六方氮化硼薄膜的方法。该方法采用化学气相沉积法，利用大单晶铜基底预先进行电化学抛光，而后放入高温管式炉进行生长六方氮化硼，即可得到晶片级六方氮化硼薄膜。在不同的晶面上氮化硼会形成三角、六方等多种晶型，在同一晶面上六方氮化硼会实现单晶晶型的无缝拼接，最终形成均匀连续晶片级六方氮化硼薄膜，六方氮化硼作为优异的介电材料在光电材料、微电子器件等方面都有极高的潜在应用价值，本发明为六方氮化硼材料的产业化应用提供了进一步可能。
-
公开(公告)号：CN108956552B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810411189.1
申请日：2018-05-02
申请人： 中国科学院化学研究所 , 中国科学院大学
摘要： 本发明属于荧光碳纳米材料应用技术领域，具体涉及一种碳量子点的制备方法和用碳量子点检测重铬酸根的方法。本发明以廉价易得的磷酸或水溶性磷酸盐和有机胺为原料，在不需要表面钝化剂和其他添加剂的前提下进行了碳量子点的绿色制备，制备出了水溶性较好的N,P掺杂的碳量子点，粒径分布均匀，碳量子点颗粒平均直径≦5nm。本发明具有原料低廉、方法简单快捷等优点，并且该量子点实现了对Cr2O72‑的选择性检测，所述碳量子点对Cr2O72‑检出限较低，最低检出限可达1.2μM，实现了较高灵敏度的检测。另外，所述检测方法不受大多数干扰离子(如Cu2+,K+,Na+,Ca2+,Mg2+,Co2+,Ni2+,Ba2+,Pb2+,Fe2+,Zn2+,Al3+,Fe3+)的影响，极具应用前景。
-
公开(公告)号：CN102605339A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210042207.6
申请日：2012-02-22
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种规则形貌的氮掺杂石墨烯及其制备方法。该氮掺杂石墨烯是采用化学气相沉积法进行制备的，包括下述步骤：将金属催化剂置于反应器中，在非氧化性气氛中加热使所述催化剂升温至200～600℃，然后向所述反应器中通入碳氮源进行反应，得到氮掺杂石墨烯。本发明制备的氮掺杂石墨烯为具有四边形结构的规则氮掺杂石墨烯，其层数可为1～10层，该氮掺杂石墨烯既可以为多晶结构亦可以为单晶结构。本发明提供的制备规则形貌的氮掺杂石墨烯的方法工艺简单、经济成本低、环境友好，可以大规模生产。
-
公开(公告)号：CN101920954A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010244635.8
申请日：2010-08-03
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C01B31/00
摘要： 本发明公开了一种卤化石墨与卤化石墨烯及其制备方法。所述卤化石墨的制备方法是将膨胀石墨与卤素单质在微波辐射下进行反应即得所述卤化石墨。所述卤化石墨烯的制备方法是按照上述方法得到卤化石墨，然后将所述卤化石墨进行分散、离心并收集上层清夜，经处理即得所述卤化石墨烯。所述卤化石墨烯中单质卤的质量百分含量为0.5％-4.0％。本发明的制备方法能够高收率，大量的生产卤化石墨和卤化石墨烯。此外，本发明还具有合成路线简单，合成成本低(原料均为商业化的廉价产品)，反应时间短等优点。
-
公开(公告)号：CN114684813B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202011576672.9
申请日：2020-12-28
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C01B32/186
摘要： 本发明公开了一种制备大面积均匀单层石墨烯薄膜的方法。该方法将电化学抛光后的单晶基底铜(111)放入高温管式炉，采用化学气相沉积法即可得到大面积均匀单层石墨烯薄膜。本发明利用两步碳源供给，先高碳源生长多层石墨烯大面积薄膜，继而降低碳源，并维持小碳源的长时间供给，多层区域优先刻蚀，最终会达到刻蚀与生长的动态平衡，得到大面积连续单层石墨烯薄膜。
-
公开(公告)号：CN110846716A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201810947517.X
申请日：2018-08-20
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种制备等边三角形四氧化三铁单晶的方法。该方法包括：以表面具有铁镀层的铜箔为铁源，将所述铁源置于衬底上，在保护气和还原气存在的条件下，使得铜箔转换为液态后，降温至1080℃以下，通入碳源进行化学气相沉积反应，反应完毕得到所述等边三角形四氧化三铁单晶。本发明具有成本低，不用超高真空系统，对反应设备要求低，利于Fe3O4单晶的大规模生产等优点。
-
公开(公告)号：CN110273176A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810218065.1
申请日：2018-03-16
申请人： 中国科学院化学研究所 , 中国科学院大学
摘要： 本发明公开了一种制备大面积单晶Cu(111)的方法。该方法包括如下步骤：将多晶铜箔进行若干次处理，得到所述单晶Cu(111)；每次处理均为先抛光，后退火。上述方法中，若干次至少为3次；具体为3次或4次。利用该方法所得铜箔的晶面均为(111)面，且单晶Cu(111)的面积仅仅受限于制备容器的大小，从而实现了单晶Cu的大面积制备，具有重要的应用价值。
-
公开(公告)号：CN109668839A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201710950998.5
申请日：2017-10-13
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： G01N21/25 , G01N23/203 , G01N1/32 , G01N1/44
摘要： 本发明公开了一种简单、高效、易行的方法来辨别铜片表面上的晶界和(111)、(110)、(100)三种晶面。该方法是将待鉴定的铜在空气中进行加热氧化，结束后置于光学显微镜下进行观察，根据不同颜色的交界区域判断其晶界位置，根据颜色信息判断其晶面指数。晶面氧化速度顺序为(100)面>(110)面>(111)面，而晶面颜色随时间变化顺序为浅黄—橙黄—红色—粉色—白色—黄色。与传统电子背散射衍射分析相比，本发明操作简便，节省时间，精确度高，对设备、空间要求很低，通常条件即可完成。
-
公开(公告)号：CN103145117B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310064051.6
申请日：2013-02-28
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C01B31/04
摘要： 本发明公开了一种制备石墨烯的方法。该方法，是在化学气相沉积的过程中，利用催化剂活化二氧化碳的性质，然后再通过加氢反应在铜基底上生长石墨烯。通过控制二氧化碳的流量来改变碳源浓度从而达到形貌演变的效果。本发明公开的方法，与传统的方法相比，大大增加了制备石墨烯过程中其形貌的可控程度，可控地制备了由六角形转变到圆形的石墨烯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
37 条记录 (耗时 0.04 秒)
