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公开(公告)号：CN101093831A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200610027810.1
申请日：2006-06-19
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L23/552 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种射频金属氧化物半导体器件及其制造方法，该器件包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的器件层；和在所述器件层上形成的屏蔽层；以及在所述屏蔽层上形成的互连层。其制造方法为提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成器件层；在所述器件层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成屏蔽层；在所述屏蔽层和绝缘层上形成连接孔；在所述屏蔽层上形成互连层。所述屏蔽层屏蔽互连层产生电磁辐射对晶体管的影响并使得对所述半导体器件的测试变得简单准确。
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公开(公告)号：CN105824683B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201510007223.5
申请日：2015-01-07
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G06F9/455
Abstract: 一种二极管SPICE仿真模型，所述仿真模型包括：在二极管模型的阳极和阴极之间串联第一电阻，所述第一电阻的阻值为R1＝R0[1+(Vr/Vsat)n](1+1/n)，其中，R0为低场电阻，Vsat为饱和电压，Vr为所述第一电阻上的电压值，n为预设的系数。采用所述二极管SPICE仿真模型，在大电流ESD传输线脉冲测试时，可以有效提高二极管电流电压仿真曲线与实际的电流电压特性曲线拟合度。
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公开(公告)号：CN105824683A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201510007223.5
申请日：2015-01-07
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G06F9/455
Abstract: 一种二极管SPICE仿真模型，所述仿真模型包括：在二极管模型的阳极和阴极之间串联第一电阻，所述第一电阻的阻值为R1＝R0[1+(Vr/Vsat)n](1+1/n)，其中，R0为低场电阻，Vsat为饱和电压，Vr为所述第一电阻上的电压值，n为预设的系数。采用所述二极管SPICE仿真模型，在大电流ESD传输线脉冲测试时，可以有效提高二极管电流电压仿真曲线与实际的电流电压特性曲线拟合度。
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公开(公告)号：CN102683324B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110058951.0
申请日：2011-03-11
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/544
Abstract: 本发明涉及一种互连金属电容测试结构，该测试结构包括四个电容和四个焊垫，四个电容呈包含两行、两列的矩阵排列，四个电容的版图结构及尺寸完全相同，四个电容的上极板两两一组分别共同连接同一个焊垫，四个电容的下极板两两一组分别共同连接同一个焊垫，且如果两个电容的上极板共同连接一个焊垫，那么这两个电容的下极板就不能同时连接一个焊垫。矩阵的行间距和列间距与待测互连金属电容对之间的距离相等，因此可通过测量测试结构中的四个电容值来计算出待测互连金属电容之间不匹配度，因此本发明可以减少焊垫的数量，简化了不匹配度测试工艺，节省了晶圆的面积。本发明可广泛应用于互连金属电容的不匹配度测试过程中。
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公开(公告)号：CN103066060A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110319213.7
申请日：2011-10-19
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/544 , G01R31/26
Abstract: 一种半导体器件失配特性的检测结构及检测方法，其中，所述半导体器件失配特性的检测结构包括：半导体衬底，位于半导体衬底表面的若干相同的半导体器件，所述半导体器件等角度地围成至少一个圆环。由于所述半导体器件失配特性的检测结构中的半导体器件具有不同的摆放角度，通过对比不同摆放角度半导体器件的差值或标准差，判断在半导体晶圆上不同的摆放角度对半导体器件失配特性的影响，从而获得制作工艺、半导体晶片对半导体器件的电学参数失配所造成的影响，从而为设计者设计集成电路版图时半导体器件的最佳摆放位置提供帮助，并且为减小制造过程中造成的MOS晶体管失配特性提供参考。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101989456B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910056134.4
申请日：2009-08-07
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G11C11/412 , H01L27/11
Abstract: 本发明公开了一种静态随机存取存储器(SRAM)，在制作SRAM时，重新制造掩模版上的AA图形，使该掩膜版的AA图形中，接近场效应晶体管PG_1的栅极区域的拐角区域为非直角，接近场效应晶体管PG_r的栅极区域的拐角区域为非直角，非直角的拐角区域可以为曲面或楼梯形。因此，本发明防止了最终形成的SRAM性能失配。
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公开(公告)号：CN102683324A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110058951.0
申请日：2011-03-11
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/544
Abstract: 本发明涉及一种互连金属电容测试结构，该测试结构包括四个电容和四个焊垫，四个电容呈包含两行、两列的矩阵排列，四个电容的版图结构及尺寸完全相同，四个电容的上极板两两一组分别共同连接同一个焊垫，四个电容的下极板两两一组分别共同连接同一个焊垫，且如果两个电容的上极板共同连接一个焊垫，那么这两个电容的下极板就不能同时连接一个焊垫。矩阵的行间距和列间距与待测互连金属电容对之间的距离相等，因此可通过测量测试结构中的四个电容值来计算出待测互连金属电容之间不匹配度，因此本发明可以减少焊垫的数量，简化了不匹配度测试工艺，节省了晶圆的面积。本发明可广泛应用于互连金属电容的不匹配度测试过程中。
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公开(公告)号：CN100561488C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200710042347.2
申请日：2007-06-21
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种MOS管电阻的建模方法，包括下列步骤，挑选不同沟道宽度的MOS管作为待建模MOS管；针对每一个MOS管，至少使用一种多晶硅根数和单根多晶硅沟道宽度的组合方式来进行布图；测量根据所述布图结构生产的各个MOS管的I-V特性；根据测得的I-V特性得到相应电阻；拟和所得电阻，得到该电阻随多晶硅根数和单根多晶硅沟道宽度变化的关系。本发明建模方法得到的模型相对于现有技术更接近测量值，因此较精确。
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公开(公告)号：CN100492642C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610027257.1
申请日：2006-06-02
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L21/822
Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管保护电路的制造方法，所述电路包括NMOS管及保护二极管，所述的保护二极管有两个，该两个二极管的阳极分别和NMOS管栅极以及衬底相连接，该两个二极管的阴极相连。本发明制造的保护电路保护了金属氧化物半导体使其免受天线效应影响，同时防止对低开启电压以及零开启电压MOS管测量时保护二极管被开启而不能完整地测量MOS管的电流-电压特性。
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公开(公告)号：CN101083264A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200610027257.1
申请日：2006-06-02
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L21/822
Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管保护电路，包括NMOS管及保护二极管，所述的保护二极管有两个，该两个二极管的阳极分别和NMOS管栅极以及衬底相连接，该两个二极管的阴极相连。本发明保护了金属氧化物半导体使其免受天线效应影响，同时防止对低开启电压以及零开启电压MOS管测量时保护二极管被开启而不能完整地测量MOS管的电流－电压特性。
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