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公开(公告)号：CN103531525B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201210226475.3
申请日：2012-07-02
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528
摘要： 一种金属互连结构及其制作方法，其中制作方法包括：首先提供具有目标电连接区域的半导体衬底；接着在所述半导体衬底上形成图形化的无定形碳层或光刻胶层，所述图形化的无定形碳层或光刻胶层包括垂直相连的第一区域与第二区域；之后在所述半导体衬底上形成金属层；然后回蚀所述金属层，保留所述图形化的无定形碳层或光刻胶层侧墙的所述金属层，去除其它区域的所述金属层，保留的所述金属层对应目标电连接区域；再接着去除所述图形化的无定形碳层或光刻胶层以形成金属互连线图案；最后在所述金属互连线图案间填充介电材质以形成金属互连结构。本发明的技术方案，提供了一种寄生电容小、且导电性好的金属互连结构。
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公开(公告)号：CN103246170B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210028871.5
申请日：2012-02-09
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： G03F7/70725 , G03F7/70716 , G03F9/7003
摘要： 一种曝光装置及曝光方法，所述曝光装置包括：载物台，所述载物台包括第一区域和与第一区域对应的第二区域，所述载物台还包括位于第一区域的第一基底夹持器和位于第二区域的第二基底夹持器；光学投影单元，位于载物台上方，对第一基底夹持器或第二基底夹持器上的基底进行曝光；第一对准检测单元和第二对准检测单元，第一对准检测单元和第二对准检测单元对称的分布在光学投影单元的两侧，第一对准检测单元用于检测第一基底夹持器上的基底的对准标记，第二对准检测单元用于检测第二基底夹持器上的基底的对准标记。本发明实施例的曝光装置实现载物台的准确定位，提高曝光装置的产量。
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公开(公告)号：CN102706785B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110075911.7
申请日：2011-03-28
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种测试光刻胶层对离子注入阻挡能力的方法，包括如下步骤：提供一测试晶圆；对测试晶圆进行预烘焙处理；在测试晶圆上形成光刻胶层，所述光刻胶层的厚度从边缘至中心呈梯度变化；测量测试晶圆上不同位置光刻胶层的厚度；将预定能量的离子注入光刻胶层上；去除所述光刻胶层；对测试晶圆不同位置上的离子量进行测试；将不同位置的离子量与目标离子量进行比较，确定合适厚度的光刻胶层。本发明的方法大大降低了测试成本，而且涂布光刻胶层的厚度是连续变化的，可以选取更多的光刻胶厚度点进行测试，以找到最为合适的能够对离子注入具有阻挡能力的光刻胶层厚度。
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公开(公告)号：CN102706785A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201110075911.7
申请日：2011-03-28
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种测试光刻胶层对离子注入阻挡能力的方法，包括如下步骤：提供一测试晶圆；对测试晶圆进行预烘焙处理；在测试晶圆上形成光刻胶层，所述光刻胶层的厚度从边缘至中心呈梯度变化；测量测试晶圆上不同位置光刻胶层的厚度；将预定能量的离子注入光刻胶层上；去除所述光刻胶层；对测试晶圆不同位置上的离子量进行测试；将不同位置的离子量与目标离子量进行比较，确定合适厚度的光刻胶层。本发明的方法大大降低了测试成本，而且涂布光刻胶层的厚度是连续变化的，可以选取更多的光刻胶厚度点进行测试，以找到最为合适的能够对离子注入具有阻挡能力的光刻胶层厚度。
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公开(公告)号：CN103186035B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201110459372.7
申请日：2011-12-31
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种掩膜板及其制作方法、光刻胶层的曝光方法，掩膜板包括透明基板，所述透明基板的预定区域具有掺杂离子，具有掺杂离子的预定区域构成掩膜板上的图形；所述掺杂离子在泵浦光的照射下实现从低能级到高能级的跃迁；实现从低能级到高能级的跃迁后，所述掺杂离子在诱导光的照射下，产生发射光线，所述发射光线的波长、相位、振幅、传播方向均与所述诱导光相同，且所述发射光线的光强大于所述诱导光和泵浦光的光强。本技术方案改变了传统的对光刻胶层进行曝光的方法，就避免了光线经过掩膜板时的衍射现象，无论图形的特征尺寸缩小到何种程度，均可以利用该掩膜板进行光刻胶层的曝光工艺。
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公开(公告)号：CN104035284A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310069607.0
申请日：2013-03-05
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： G03F7/70741
摘要： 一种圆筒形掩模板系统、曝光装置和曝光方法，曝光装置包括：基台；晶圆载物台组，包括若干晶圆载物台，若干晶圆载物台依次在基台上的第一位置和第二位置之间循环移动；对准检测单元，进行晶圆的对准；圆筒形掩模板系统，用于装载圆筒形掩膜板，并使所述圆筒形掩膜板绕中心轴旋转；光学投影单元，将透过圆筒形掩膜板的光投射到晶圆载物台上晶圆的曝光区；当晶圆载物台从第一位置移动到第二位置，然后沿扫描方向的单方向扫描时，圆筒形掩膜板绕中心轴旋转，透过圆筒形掩膜板的光投射到晶圆载物台上的晶圆上，对晶圆上的沿扫描方向排列的某一列曝光区进行曝光。进行曝光时，晶圆载物台不需要改变扫描方向，从而节省了曝光时间，提高了曝光效率。
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公开(公告)号：CN103531525A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210226475.3
申请日：2012-07-02
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528
CPC分类号： H01L21/76838 , H01L23/522
摘要： 一种金属互连结构及其制作方法，其中制作方法包括：首先提供具有目标电连接区域的半导体衬底；接着在所述半导体衬底上形成图形化的无定形碳层或光刻胶层，所述图形化的无定形碳层或光刻胶层包括垂直相连的第一区域与第二区域；之后在所述半导体衬底上形成金属层；然后回蚀所述金属层，保留所述图形化的无定形碳层或光刻胶层侧墙的所述金属层，去除其它区域的所述金属层，保留的所述金属层对应目标电连接区域；再接着去除所述图形化的无定形碳层或光刻胶层以形成金属互连线图案；最后在所述金属互连线图案间填充介电材质以形成金属互连结构。本发明的技术方案，提供了一种寄生电容小、且导电性好的金属互连结构。
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公开(公告)号：CN104035285B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310069610.2
申请日：2013-03-05
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： G03F7/70141 , G03F1/00 , G03F7/703 , G03F7/70733 , G03F7/70775
摘要： 一种曝光装置及其曝光方法，所述曝光装置，包括：基台；晶圆载物台组，所述晶圆载物台组包括若干晶圆载物台，若干晶圆载物台依次在基台上的第一位置和第二位置之间循环移动；对准检测单元，进行晶圆的对准；掩膜板载物台，用于装载圆筒形掩膜板，并使所述圆筒形掩膜板绕中心轴旋转；光学投影单元，将透过圆筒形掩膜板的光投射到晶圆载物台上晶圆的曝光区；当晶圆载物台从第一位置移动到第二位置，然后沿扫描方向的单方向扫描时，圆筒形掩膜板绕中心轴旋转，透过圆筒形掩膜板的光投射到晶圆载物台上的晶圆上，对晶圆上的沿扫描方向排列的某一列曝光区进行曝光。进行曝光时，晶圆载物台不需要改变扫描方向，从而节省了曝光时间，提高了曝光效率。
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公开(公告)号：CN103309165A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210062523.X
申请日：2012-03-09
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/00 , G03F7/32 , G03F7/09 , G03F7/16 , G03F7/40 , H01L21/3105 , G03F7/039 , G03F7/038
CPC分类号： G03F7/0035 , H01L21/0274 , H01L29/02 , G03F7/0041 , G03F7/095
摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括步骤：提供基底；在所述基底上依次形成负光刻胶层和正光刻胶层；对所述负光刻胶层和正光刻胶层进行曝光，所述曝光的曝光能量具有第一阈值和第二阈值，且第一阈值大于第二阈值，在第一阈值的曝光能量作用下在正光刻胶层中形成第一曝光区，在第二阈值的曝光能量作用下在负光刻胶层中形成第二曝光区，第二曝光区的宽度大于第一曝光区的宽度；进行第一显影，去除正光刻胶层中的第一曝光区，形成第一开口；沿所述第一开口刻蚀负光刻胶层的第二曝光区，形成第二开口；去除正光刻胶层；进行第二显影，去除负光刻胶层的第二曝光区以外的光刻胶。本发明实施例的方法工艺步骤简单，套刻精度高，并且工艺过程容易控制。
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公开(公告)号：CN101989456B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910056134.4
申请日：2009-08-07
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G11C11/412 , H01L27/11
摘要： 本发明公开了一种静态随机存取存储器(SRAM)，在制作SRAM时，重新制造掩模版上的AA图形，使该掩膜版的AA图形中，接近场效应晶体管PG_1的栅极区域的拐角区域为非直角，接近场效应晶体管PG_r的栅极区域的拐角区域为非直角，非直角的拐角区域可以为曲面或楼梯形。因此，本发明防止了最终形成的SRAM性能失配。
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