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公开(公告)号：CN116403890A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111594481.X
申请日：2021-12-23
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/304 , H01L25/065
摘要： 一种封装方法，方法包括：提供第一晶圆；进行多次晶圆堆叠操作，晶圆堆叠操作包括：形成呈凸台状的第一待键合晶圆，包括基底部和凸出于基底部的凸起部，将凸起部面向第二待键合晶圆，并与第二待键合晶圆键合，形成堆叠晶圆；对第一待键合晶圆背面进行减薄处理，减薄处理厚度至少为第一基底部的厚度；在凸起部的表面形成第一介质层，第一介质层的拐角处呈弧形状；对凸起部的边缘区域和第二待键合晶圆的边缘区域进行第二修边处理，使第二修边处理后的剩余第二待键合晶圆呈凸台状，且第二修边处理后剩余的堆叠晶圆作为后一次晶圆堆叠处理的第一待键合晶圆。降低在第二待键合晶圆的表面留有残留物的概率，从而能够提高半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN114864465A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110073805.9
申请日：2021-01-20
发明人： 刘清召
IPC分类号： H01L21/68 , H01L23/544 , H01L21/18
摘要： 本申请提供一种用于键合的晶圆结构及其形成方法、键合方法，所述键合方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆；利用所述第一标记区对准所述第一晶圆和所述第二晶圆并进行键合。本申请提供一种用于键合的晶圆结构及其形成方法、键合方法，使晶圆边缘的厚度小于晶圆中心的厚度，可以避免晶圆键合后产生气泡缺陷，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN117438393A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210821489.3
申请日：2022-07-13
发明人： 刘清召
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/538
摘要： 本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括第一衬底、位于所述第一衬底上的互连结构、位于所述互连结构上的第二衬底、以及，位于所述第二衬底上的多个层结构，其中，所述多个层结构中至少包括靠近所述基底表面的第一功能层；至少延伸至所述第一功能层的内部的第一开口和填充于所述第一开口内的第一隔离层；贯穿所述第一隔离层、所述第二衬底，直至暴露所述互连结构的第二开口；环绕在所述第二开口的侧壁的第二隔离层；填充在所述第二开口内的导电插塞。所述半导体结构能够避免导电插塞的导电离子扩散至功能层，提高半导体器件整体性能。
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公开(公告)号：CN114664794A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011539811.0
申请日：2020-12-23
发明人： 刘清召
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/60
摘要： 本申请提供一种晶圆键合标识及其形成方法、晶圆键合方法，其中所述晶圆键合标识包括主标识尺，包括若干均匀分布且具有第一间隔尺寸的主刻线；副标识尺，与所述主标识尺的起点对齐，且平行于所述主标识尺分布，包括若干均匀分布且具有第二间隔尺寸的副刻线；所述第一间隔尺寸大于所述第二间隔尺寸，且具有特定差值。本申请技术方案的晶圆键合标识在键合时可以作为键合标识，同时还能提供偏移数据，保证键合精度。
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